专利名称：光刻工艺中自动批量建立层间误差测量程式的方法
技术领域：
本发明涉及光刻技术领域，具体是一种光刻工艺中自动批量建立层间误差测量程 式的方法。
背景技术：
使用量测机台建立量测程式对光刻层间的误差进行量测，这在光刻工艺中已经被 普遍使用。但是大部分量测程式需要通过在硅晶圆上手动建立量测程式来进行，而且针对 每一个产品要单独的去建立每一个程式，这样不仅引入了人为误差，而且增加了量测时间。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提出一种光刻工艺中的光刻层间误 差的量测方法，具体技术方案如下一种光刻工艺中的光刻层间误差的量测方法，其包括步骤1)制作光刻信息文档。信息文档包括产品的光刻信息；曝光区域尺寸；切割道尺 寸以及量测标记在曝光域中的坐标等晶圆布局参数。这些信息文档是以固定的格式(包括 字体大小，字体颜色，表格形式等等)制作成Word文档，excel表格或是TXT文档等各种形 式，以方便计算机程序识别。2)把光刻信息转换成程式参数文件。利用计算机程序进行转换，具体方法是把光 刻信息文档中的相关参数通过计算机程序先转换成程序变量，然后由程序将这些变量写成 量测机台可以识别的程式参数文件。本步骤中提到的计算机程序，在现有技术中很多见，常 用的是使用Perl语言编写的计算机程序，来把步骤1)中的参数编入参数文件中。3)建立通用的量测程式的模板，具体包括3. 1)对产品设计通用的基准图案在光掩模板设计图中固定位置画一个基准图案，作为将来量测机台对准识别用的 标记。将这个图案以及这个图案在曝光域的坐标导入量测机台的数据库中。由于该基准图 案位于产品光罩的固定位置上，因此当这个图案曝到硅晶片以后，通过蚀刻工艺就会在在 每个曝光区域的相对应的固定位置上。而量测机台可以将数据库中的图案与晶片上的图案 进行比较来做识别，以确定量测区域的坐标系，从而通过基准图案与量测标记的相对坐标 来找到量测位置。由于这个基准图案对于每一个产品每一光刻层制程来说都是一样的，所 以只需一次导入一个基准图案，就可以适用于大部分的产品的几乎所有光刻层的制程。3. 2)通过对产品量测设定通用的环境参数，例如是否开启光路偏差矫正功能，是 否使用手动辅助量测功能，是否打开自动截图功能等等。4)把所述程式参数导入量测机台的数据库，在数据库中，根据所述量测程式的模 板和程式参数生成各个产品对应的量测程式，最终导入量测机台对相应产品进行量测。该 数据库由四部分组成1.晶圆布局参数；2.量测标记坐标设定；3.基准图案辨识设定；4.设定环境参数设定；根据上述生成的文件和模板，量测机台可以自动将其整合成量测程式。与现有技术相比，本发明通过制作光刻信息文档，量测模板以及所编写的计算机 程序，利用计算机可以自动批量生成量测程式，无需硅晶圆，无需手动操作，可以降低制成 时间，提高效率，减少人为操作失误。
图1是本发明的方法流程示意图；图2是具体实施例中步骤3)的基准图案设计图。
具体实施例方式下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步说明。如图1，一种光刻工艺中的光刻层间误差的量测方法，包括步骤1)制作光刻信息文档；2)把光刻信息转换成程式参数文件；3)建立通用的量测程式的模板，包括3. 1)对产品设计通用的基准图案；先在光掩模板设计图中固定位置画一个基准图案，作为量测机台对准识别用的标 记；再把所述基准图案及其在曝光域的坐标导入量测机台的数据库中；3. 2)对产品量测设定通用的环境参数；4)把所述程式参数导入量测机台的数据库，在数据库中，根据所述量测程式的模 板和程式参数生成各个产品对应的量测程式，最终导入量测机台对相应产品进行量测；通过将上述生成的文件和模板，量测机台可以自动将其整合成光刻层间误差的量 测程式。概括来说，本方法是将各个产品的光刻信息制作成固定格式的文档，并针对大部 分产品建立一个通用的量测程式的模板，通过编写的计算机程序转化成相关的程式参数并 导入量测机台的数据库，该数据库可通过程式参数与程式模板将自动生成各个产品对应的 量测程式。将生成好的量测程式导入到量测机台端进行量测。下面结合例子对本方法进行说明，本例的机台是由美国科天公司生产的 ARCHER10。1)制作光刻信息文档，格式如下晶圆布局参数Wafer MapScribe width :80umChip Size :X = 1891. OOOum Y = 1571. OOOumShot Array :X = 9 Y = 9Shot Size :X = 23572. 000 Y = 31289. 000Total Chip Numbers :8802Shot shift :X :-702 Y :-11537. 5
Wafer Edge :3200umNotch in bottom量测坐标位置如表1 :表 权利要求
1.一种光刻工艺中的光刻层间误差的量测方法，其特征是包括步骤1)制作光刻信息文档；2)把光刻信息转换成程式参数文件；3)建立通用的量测程式的模板，包括 3. 1)对产品设计通用的基准图案；先在光掩模板设计图中固定位置画一个基准图案，作为量测机台对准识别用的标记； 再把所述基准图案及其在曝光域的坐标导入量测机台的数据库中； 3. 2)对产品量测设定通用的环境参数；4)把所述程式参数导入量测机台的数据库，在数据库中，根据所述量测程式的模板和 程式参数生成各个产品对应的量测程式，最终导入量测机台对相应产品进行量测；根据上述生成的文件和模板，量测机台自动将其整合成光刻层间误差的量测程式。
2.根据权利要求1所述的光刻工艺中的光刻层间误差的量测方法，其特征是所述步骤1)中，信息文档包括产品的光刻信息；曝光区域尺寸、切割道尺寸，以及量测标记在曝光 域中的坐标等晶圆布局参数。
3.根据权利要求1所述的光刻工艺中的光刻层间误差的量测方法，其特征是所述步骤2)中，把光刻信息转换成程式参数文件是利用计算机程序进行转换，具体方法是，把光刻信 息文档中的相关参数通过计算机程序先转换成程序变量，然后由程序将这些变量写成量测 机台可以识别的程式参数文件。
4.根据权利要求1所述的光刻工艺中的光刻层间误差的量测方法，其特征是所述步骤3)中，对产品量测设定通用的环境参数，包括是否开启光路偏差矫正功能、是否使用手动辅 助量测功能，和是否打开自动截图功能。
5.根据权利要求1所述的光刻工艺中的光刻层间误差的量测方法，其特征是所述步骤4)中，所述数据库由四部分组成1)晶圆布局参数；幻量测标记坐标设定；幻基准图案辨识设定；4)设定环境参数设定。
全文摘要
一种光刻工艺中的光刻层间误差的量测方法，包括步骤1)制作光刻信息文档；2)把光刻信息转换成程式参数文件；3)建立通用的量测程式的模板；4)把所述程式参数导入量测机台的数据库，在数据库中，根据所述量测程式的模板和程式参数生成各个产品对应的量测程式，最终导入量测机台对相应产品进行量测；根据上述生成的文件和模板，量测机台可以自动将其整合成光刻层间误差的量测程式。与现有技术相比，本发明通过制作光刻信息文档，量测模板以及所编写的计算机程序，利用计算机可以自动批量生成量测程式，无需硅晶圆，无需手动操作，可以降低制成时间，提高效率，减少人为操作失误。
文档编号G03F7/20GK102109772SQ201110032430
公开日2011年6月29日 申请日期2011年1月28日 优先权日2011年1月28日
发明者岳力挽, 陆向宇, 陈骆 申请人:上海宏力半导体制造有限公司