专利名称：具有窄的表面声波属性分布的铌酸锂晶片的利记博彩app
技术领域：
本发明一般涉及制作晶体的方法，更具体地涉及实现表面声波器件(“SAW”)的高 可再现性能的晶体的生长和规范。
背景技术：
铌酸锂(LN)供应商通常区别对待用于光学应用的LN和用于表面声波(SAW)应用 的LN。因为用于光学应用的晶体通常需要更好的均勻性和较低的光损耗，所以光学LN晶体 通常使用纯度较高的起始材料、长度较短的晶体、每次生长过程中熔体体积到晶体体积的 较低的固化率以及对所生长晶体的更严格检视。光学材料生长的这种低效率转化为成品光 学晶片比SAW晶片高的成本。在许多应用中，例如在TV接收器和移动通信基站中，使用由LN衬底制造的SAW滤 波器。这种滤波器的目的一般在于使通带中的信号频率通过，并且显著衰减阻带中的信号 频率。高性能滤波器经常要求将某些频率衰减至与通带频率相比小于_65dB。由于衬底SAW速度的偏移改变滤波器的频率响应，其对滤波器的制造产量不利。 因此，SAW晶片客户不仅要求晶片内有良好的速度均勻性，而且要求长时间段内在晶片之 间以及从不同晶体切割下来的晶片之间有良好的速度均勻性。同时，SAW衬底需要有高的 成本有效性，以瞄准客户对电子设备降价的预期。对于晶体制造商来说，由熔体生长LN晶 体要求将最大量的熔体转换成有用的晶体材料，同时将SAW速度控制在窄范围内。已经表 明的是，LN的SAW速度变化的主要因素是组分从同成分的偏离(K.Yamada，H. Tekemura， Y. Inoue, T. Omi VXR S. Matsumura, "Effect of Li/Nb Ratio on the SAW Velocity of 128° Y-X LiNb03 Wafers (Li/Nb 比率对 128 ° Y-X LiNb03 晶片的 SAW 速度的影响)”， Japanese Journal of Applied Physics 26—2 (supplement 26—2)，219—222 (1987))。对于 常用的LN 128°晶片来说，由于组分变化而引起的SAW速率从中心值的偏离是每mol%氧 化锂10900ppm。其它定向的铌酸锂或者可以由接近同成分的熔体生长的晶体也表现出SAW 速度随组分变化而偏移。均勻的晶体能够由同成分组分生长而成，从而制造出组分与熔体相同的晶 体。LN生长的早期工作已经确定同成分组分为Xc = [Li]/([Li]+ [Nb]) =48.6% (J. R. Carruthers, G. E. Peterson, Μ. Grasso 以及 P. Μ· Bridenbaugh, "Nonstoichiometry and Crystal growth of Lithium niobate (铌酸锂的非化学计量和晶体生长)，，，J. App 1. Phys. 42，1846-1851 (1971))。这个值后来被改进，首先是由Abrahams改进为48. 45%, 并且最终被 Bordui 改进为 48. 38 %。(S. C. Abrahams 和 P. Marsh, "Defect structure dependence on composition in lithium niobate (依赖于铌酸锂的组分的缺陷结构)”， Acta Crystal logr. , Sect. B =Struct. Sci. 42,61 (1986),以及 P. F. Bordui，R.G.Norwood 禾口 J. L. Nightingale, "Composition for growth of homogeneous lithium niobate crystals (均质铌酸锂晶体的生长组分)”，US 5，310，448 (1994))。LN衬底用户希望晶片间变化被控制在窄的限度内。用于规定晶体组分的可接受
4方法之一是使用组分与居里温度之间的相关性规定居里温度的范围，如Bordui等人所述 (P. F. Bordui，R. G. Norwood, D. H. Jundt, Μ. Μ. Fejer, J. App 1. Phys. 1992,71 (2)，875-879)。 对于光学级LN，领先的供应商坚持非常严格的居里温度规范。例如，Crystal Technology, Inc.声明光学晶片“在0.02mol%内同成分”，这等同于居里温度的士0.7°C的规范容限。 SAES Getters (米兰，意大利)也声明了 士0. 7°C的规范范围，尽管中心值稍有不同(1140， 与 Crystal Technology, Inc.的 1142. 3°C不同)。其它光学LN供应商通常具有不太苛求的规范。例如，Isowave (多佛，新泽西) 引用了 0.02mol%的(晶片内)组分均勻性，但是没有要求晶片间的可重复性。对于声 学或者SAW级材料来说，晶片价格是主要关注点，并且晶片制造商通过实现高的熔体固化 率较之光学生长降低成本。对于SAW级材料来说，这样的值超过60%，通常在85%以上 (P. F. Bordui等人，US5，310，448 (1994))，通过引用合并于此。由于这种高固化率，组分控制 和对居里温度的规范需要放宽。大多数供应商对SAW晶片的居里规范具有士 2°C至士 3°C的 窗口(Yamaju Ceramics Co.，Ltd :1132士2°C，J&S Crystal Technology LTD :1142士3°C， Crystal Technology, Inc. :1142. 3士 1. 9°C )。当看到声明的这些规范窗口时，人们需要 知道应该怎么解释这些规范窗口 所有领先的供应商都声明绝对温度这一事实表明晶片间 (以及晶体间)的变化被控制在绝对数值内，尽管所声明的数字的不一致表明在测量方法 或绝对温度校准上存在大的系统差。在规范中没有给出额外信息的情况下，将根据相关的IEC标准 (IEC62276，Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW)device applications-Specifications and measuring methods Current specifications (用于 表面声波器件应用的单晶晶片-规范以及测量方法的当前规范))来解释该规范，在上述 标准中，居里范围被规定为不超出中心值士3°C，并且为所列出的缺陷组共同假设2. 5%的 AQL(可接收质量水平)。厚度规范、抛光质量和清洁度是也可以带来某些反作用的质量类 别，并且人们可以预期，晶体生长装置需要控制组分，使得居里温度超出极限的晶片不超过 大约1%。关于对用于制备LN的起始熔体的称量过程进行控制的第一份报告是由0’ Bryan 写 的(H. M. 0' Bryan, P.K.Gallagher 禾口 C. D. Brandle,"Congruent composition and Li-rich phase boundary of LiNb03 (LiNb03 的同成分组分和富锂相边界)”，J. Am. Ceram. Soc. 68,493-496(1985))。这些作者在500°C下对99. 999%纯度的粉末干燥12至14小时， 然后以针对反应后LN的4X 10_5的精度对每份粉末进行称量。组分的确定基于这样的假 设，即干燥后的粉末是不存在任何残留水份或Li2O的纯化合物。Bordui (P. F. Bordui等人， J. Crystal Growth 113，61-68 (1991))也使用干燥来对付潮湿，并且还执行热电离质谱法 来确定锂的原子量。然后，对称量配方实施修正以产生估计精确度在士0.01mol% (摩尔百分比)内 的装料。在美国专利5，320，448中，相同的作者描述了在取出粉末样本并在10分钟过后对 它进行称量之前，这种干燥方法在空气中以500°C执行10分钟。建立了对碳酸盐的1. 0058 的潮湿修正因子和对五氧化物的1. 0002的潮湿修正因子。因此，现有技术考虑所需要的某 些可能的修正，并且对这些粉末进行测试以估计必要的修正。然而，这些修正在对付所有可能的污染物和/或粉末降级上是不可靠的。可能一
5些水分结合得很紧并且在500°C的温度下也不会释放。可能在粉末中存在有机污染物。这 些污染物通常在纯度分析中不会被测试出，并且以几十PPm的量存在于甚至99. 999%纯度 的粉末中。可能一大部分的碳酸锂离解成Li2O和CO2,并且在粉末干燥测试期间，这些产物 中的一种或两种会挥发。存在同成分熔融的其它材料，例如硅酸镧镓(La3Ga5SiO14)和类似的化合物，但是 必须在初始组分之一，通常是Ga2O3过量的情况下进行生长以补偿挥发。这种不可忽略的 挥发使得难于以大的熔体转换率生长均质晶体。在这种材料中已经观察到了大的非均勻性 (S. Uda, A. Bungo 以及 C. Jian, "Growth of 3-inch Langasite Single Crystal and its Application to Substrate for Surface Acoustic Wave Filters (3 英寸娃酸镧嫁单晶 的生长及其在表面声波滤波器衬底中的应用)”，Japanese Journal ofApplied Physics 38 (Part 1，No. 9B)，p5516 (1999))。
发明内容
本发明的目的是提供一种由挥发可忽略的同成分熔融的化合物形成晶体的改良 方法。本发明的目的是提供一种由挥发可忽略的同成分熔融的化合物形成晶体的改良 方法，该方法允许基于起始熔体组分来预测衬底SAW属性。本发明的又一目的是提供一种由挥发可忽略的同成分熔融的化合物形成晶体的 改良方法，该方法基于对一个或多个测试生长过程所执行的测量来计算改良的原材料称量 配方。本发明的另一目的是提供一种由挥发可忽略的同成分熔融的化合物形成晶体的 改良方法，该方法确保一致地制造SAW衬底，从而使SAW属性限于比之前的可能更窄的范围。本发明的再一目的是提供一种由挥发可忽略的同成分熔融的化合物形成晶体的 改良方法，该方法允许SAW客户实现高的产量。本发明的另一目的是提供一种由挥发可忽略的同成分熔融的化合物形成晶体的 改良方法，该方法使得对最终SAW器件的测试要求得以放宽。本发明的进一步目的是提供一种由挥发可忽略的同成分熔融的化合物形成晶体 的改良方法，该方法使SAW属性的一致性得到改良，并且提供高的生长效率。本发明的这些和其它目的在一种由挥发可忽略的同成分熔融的化合物生长晶体 的方法中得到了实现。对一个或更多晶体样本的组分进行测量。对晶体组分从同成分的偏 离进行确定。对初始熔体组分和与所述偏离相应的源材料组分修正进行确定。利用组分修 正生长晶体以生产用于表面声波衬底制造的可再现材料。
图1是图示说明生产窄的SAW属性范围内的表面声波衬底的方法的示意性流程 图。图2是图示说明六个LN晶体以及仿真结果的实验数据点的图。图3是图示说明作为起始熔体组分和熔体固化率的函数的LN晶体组分的图。
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图4是图示说明作为所选范围内的熔体组分的函数的LN晶体组分的图，其示出与 仿真结果作比较的针对三种不同生长速率的结果。图5是图示说明从超过100个测试晶体中计算的修正配方的频率和范围的直方 图。图6是图示说明两种实施方式或现有技术的制造居里温度在给定范围内的晶片 的概率。
具体实施例方式本发明提供了一种针对稍微偏离同成分组分的熔体预测晶体组分在生长期间如 何演变的精确模型，通过引用将D. H. Jundt和M. C. C. Kajiyama著的“Axial Stoichiometry variations in lithium niobate crystals grown from near-congruent melts(由 近同成分熔体生长的铌酸锂晶体中的轴向化学计量变化)，”J. Crystal Growth 310， 4280-4285(2008))合并于此。该模型适用于LN的工业晶体生长的典型生长条件，并且允许 基于起始熔体组分来预测衬底SAW属性。描述了使用该模型或者使用晶体生长期间组分演 变的替代近似，基于对一个或多个测试生长过程所执行的测量来计算改良的原材料称量配 方的方法。本发明确保一致地制造SAW衬底，从而使SAW属性限于比之前的可能更窄的范 围。这允许SAW客户实现高的产量，并且也可以放宽对最终器件的测试要求。SAW属性的改 良的一致性连同高的生长效率允许SAW衬底用户以比之前的可能更低的成本来设计和制 造高性能的SAW器件。本发明描述了一种生产具有高可再现性晶体属性并且居里温度在同成分温度的 1.84度内的大量晶片。对于每批新的起始粉末，使用针对初始源材料的初始称量配方来生 长一个或多个测试晶体。以图示说明并且没有限制的方式，该晶体可以是铌酸锂(LN)，并且 初始材料是Li2CO3和Nb205。在一个实施例中，测试晶体优选以高的熔体固化率生长，该熔 体固化率至少是80%的晶体重量/原熔体重量，例如转换成晶体的熔体量为80%或更多。 在另一实施例中，转换成晶体的熔体量为85%或更多。从以确定的熔体固化率生长的测试晶体上切割样本，并且通过介电方法或等同方 法测量晶体组分。依赖于组分测量的不定性，可能需要分析取自各种熔体固化率的多个样 本。该晶体组分测量用于估计称量配方修正。利用该修正后的称量配方，剩余的粉末批次 被用于使用很好控制的起始熔体组分来生长晶体。这使得生产的晶片具有包含在比之前 的可能更窄范围的值内的表面声波属性。对于允许的晶片位于规范窗口之外的典型规 范解释，本发明允许将窗口从士 1.9K收窄到小于士 1.65K。当使用该方法生产晶片并且有 合理精确的测量方法来确定测试样本的组分时，生产的晶片中少于IOOOppm或0. 位于 士 1. 84K的窗口之外。相应的SAW速度变化针对1 % AQL规范是从中心值偏离士460ppm，而 针对IOOOppm或0. 的晶片失效率则是从中心值偏离士515ppm。图1图示说明生产具有被控制在等于或小于从中心值偏离士515ppm的窄范围内 的表面声波(SAW)速度的SAW衬底的方法100的一个实施例。合适的SAW器件包括但不限 于滤波器、振荡器、延迟线等等。在一个实施例中，提供了一种生长由挥发可忽略的同成分 熔融的化合物制成的晶体的方法，包括但不限于LN、BS0(Bi12Si020)、BGO(Bi12GeO20)等等。 可以理解，在整个说明书中，LN的讨论也适用于其它化合物或晶体。
在一个实施例中，测试晶体的生长使用高的熔体固化率，即晶体重量作为原熔体 重量的分数，也就是80%或更多。在另一实施例中，转换成晶体的熔体量是85%或更多。只要使用新的粉末批次组合生长晶体，并且可能需要修正粉末重量，就可以应用 本发明的方法。在大多数情况下，对于LN，这会在碳酸锂(Li2CO3, “LCarb”)或五氧化铌 (Nb2O5，“NP”)改变批次号时同时发生。根据本发明，认为材料由挥发可忽略的同成分熔融 的化合物形成。合适的晶体包括但不限于LN、BS0(Bi12Si020)和BGO(Bi12GeO2tl)。用于生长 晶体的称量配方确定熔体组分，从而确定晶体组分和均勻性。可以存在各种方式来定义粉 末称量配方，但是可以将它们都简化到单个有代表性的值，表示为ζ，其被定义为在混合粉 末并使粉末反应之前测量出的粉末重量的比率。该称量配方比被定义为ζ = (LCarb粉末 的重量)/(NP粉末的重量)。可以理解，本发明也可以用于经过预处理的粉末。这样的处理 步骤可以包括干燥或甚至使大量的LCarb粉末和NP粉末发生预反应得到稳定的LN粉末， 但并没有准确地知道组分。确定精确称量配方(步骤150)的原因是要使熔体组分从同成分偏离的机会最小 化，其中上述偏离导致诸如SAW速度的晶片属性的偏移。在其它情况下，原因可以是存储条 件允许湿气被吸收，尤其是对于LCarb粉末，并且有必要重新校准称量配方。在这种情况 下，并不是供应商批次的变化启动了具有处理步骤110的方法，而是该批次吸收湿气的量 达到有必要对称量配方进行修正的程度所经过的持续时间，启动了具有处理步骤110的方 法。依赖于粉末供应商所使用的干燥方法，湿气量可能存在变化。LCarb粉末的很高的干燥 温度也可导致LCarb离解成CO2和Li2O,这具有低估已称出的用于生长晶体的装料中Li的 摩尔数的相反影响。方法100的结果是修正后的称量配方，由值(。 来表示。用于连续生 长过程(步骤160)的粉末用LCarb粉末的质量和NP粉末的质量来称量，使比率满足修正 后的称量配方的值(。 。绝对重量依赖于批次的大小、生长单个晶体的装料大小以及用于 称量和混合粉末(和/或使粉末起反应)的称量和混合装置。用于许多晶体的成极大批混 合的粉末暗示着最小化静态装料分离(static charge separation)效应、表面效应、混合 效率等等。对于使用预反应粉末的实施例，对步骤120、150和160进行如下修改由反应的粉 末生长一个或多个测试晶体。可以不知道比率ζ。。利用模型155来分析测试晶体，并且按 如下描述确定对初始熔体组分的估计。因此，知道了这些粉末的初始熔体组分从同成分的 偏离。如果需要增加Li的含量，则组分已知的富锂LN粉末的添加可以用来添加到大的粉 末批次并充分混合，并且如果需要增加Nb含量，则NP粉末的添加是最直接的办法。与添加 物混合良好的粉末接着用作生长的原材料，以生产具有良好控制的属性的SAW材料。在处理步骤120和130中，由称量配方需要被修正的粉末生长一个或多个测试晶 体。在一个实施例中，使用针对同一厂商的粉末所确定的先前配方作为起点。可替代地，可 以执行干燥测试(例如，在干燥的氧气环境中以500°C烘焙粉末数小时)，以估计吸收的湿 气量，并且得到LCarb粉末和NP粉末的真实重量。如先前已经指出的(P. F. bordui, US5，310，448 (1994))，也可以考虑锂和杂质含 量的同位素修正。在可替代的实施方式中，供应商提供的湿气含量用于计算粉末的重量应 该是多少。如果这些选项都不可用，人们可假设粉末仅由纯化合物组成。以LCarb与NP 的预定质量比“来称量粉末。对于纯化合物，假定自然Li同位素比率，我们使用LCarb
8的73. 8932g/mol的摩尔质量值和NP的265. 8098g/mol的摩尔质量值，针对所假设的具有 48. 38mol% Li2O的同成分熔融组分得到“ =0. 26054。称出并混合的量需要大到足以生 长代表目标生长过程的晶体。在该阶段可以混合大量的粉末，并且仅使用小部分混合物来 生长测试晶体，同时将混合装料的剩余部分备用。一旦确定了 ζ。 的修正值(步骤150)， 则更多的LCarb (增大ζ使其超过ζ0)或NP (减小ζ )可以被增加到大量的粉末中，以便 实现期望的修正后的重量比。在大多数情况下，生长一个测试晶体就足够了。称量误差的 不定性与步骤140中的测量误差相比通常较小。然而，如果称量过程或混合过程包含了针 对给定粉末批次和称量配方所产生的熔体组分的明显变化，则可能需要生长多个晶体。以 图示说明但没有限制的方式，这可以由操作员误差(所用的粉末、皮重误差、计算或键盘输 入误差)、装置故障等等引起。如步骤158中指示的，这种误差会在计算出称量配方的修正时即变得清楚。例如 统计过程控制(SPC)图表可以触发对已经发生这种误差的怀疑，并且这会导致即将生长一 个或多个测试晶体以确认正确计算的大修正，或者导致指出第一测试晶体的错误结果，在 这种情况下其结果将被丢弃。一旦生长了测试晶体，就需要测量相对于同成分晶体的晶体 组分。非常希望高度精确的方法。可以使用借助于差热分析法(DTA，Differential Thermal Analysis)的居里温度测量、介电测量或者利用介键(Bond)法借助于X射线的晶格常数测 量。通常可应用于任何SAW材料的替代方法是，在从测试晶体上取下的一些测试晶片上制 造SAW器件，并且描绘该器件的某些频率特性。该方法的优点在于，直接与最终用户相关， 并且在给出良好的测试结构SAW设计的情况下具有高精确度，但是它的劳动强度大于其它 方法，因此其它方法可能是优选方法。所测量的样本的数目和从晶体上取下这些样本的大 致位置将依赖于组分测量中的测量不定性以及固化率估计中的测量不定性。该方法中的步骤155用于利用步骤140中的样本熔体固化率和测量的组分这些输 入，估计用于生长一个或多个测试晶体的起始熔体组分。该模型可完全仿真如下所述的晶 体生长，或者它可以是从之前生长的晶体的实验中推导出的简单相关性。假设熔体具有足 够小的挥发性，即可忽略的挥发性，则该称量配方修正会非常精确，从而得到具有窄SAW速 度分布的晶体。在本发明的一种实施方式中，如果测试晶体样本从同成分偏离超过预定的 阈值，则步骤155中的方法可以仅仅要求对初始称量因子进行修正。无论该方法怎样，与同 成分样本相比富含氧化锂的晶体样本测量，将得到同样富含氧化锂的起始熔体组分估计。 可以考虑测量中的各种误差，并且确定这些误差对估计的起始熔体组分的影响(敏感性)。 如果在步骤140中评估了多个样本，则得到的熔体组分估计(每个样本一个估计)应当使 用反向依赖于各个估计的不定性的加权函数进行平均，以达到对起始熔体组分X1(O)的最 佳估计。修正的称量配方比ζ。 是根据用于以估计组分X1(O)产生熔体的称量配方比ζ。 按如下所述来计算的。预测晶体组分的樽型在本发明的一个实施例中，步骤155的模型允许针对大范围的熔体固化率和起始 熔体组分精确计算晶体组分。LN的组分通常由Li2O的摩尔分数χ来描述
权利要求
一种由挥发可忽略的同成分熔融的化合物生长晶体的方法，包括测量一个或多个晶体样本的组分，并确定晶体组分从同成分的偏离；确定初始熔体组分以及与所述偏离相应的源材料组分修正；以及利用所述组分修正生长晶体，以生产用于表面声波衬底制造的可再现材料。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述晶体从LN、Bi12Si020和Bi12GeO2tl的至少一个中 选择。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述晶体是LN，并且所述同成分熔融的化合物由 Nb2O5和Li2CO3反应而成。
4.如权利要求3所述的方法，进一步包括由Nb2O5和Li2CO3反应后的粉末生长一个或多个测试晶体。
5.如权利要求1所述的方法，进一步包括确定所述源材料的具有粉末重量比或摩尔分数的初始称量配方。
6.如权利要求5所述的方法，进一步包括 以一个或多个固化率切割测试晶体；并且 测量所述测试晶体的组分。
7.如权利要求6所述的方法，进一步包括 使用组分估计来计算称量配方修正。
8.如权利要求1所述的方法，进一步包括制作与从中心值偏离不超过士515ppm的声波速度值分布相对应的组分值范围内的晶片。
9.如权利要求1所述的方法，进一步包括制造与声波速度值的分布相对应的组分值范围内的晶片，其中不超过0. 的晶片具 有从中心值偏离超过士 515ppm的速度值。
10.如权利要求1所述的方法，进一步包括制造与从中心值偏离不超过士460ppm的声波速度值分布相对应的组分值范围内的晶片。
11.如权利要求1所述的方法，进一步包括制造与声波速度值的分布相对应的组分值范围内的晶片，其中不超过的晶片具有 从中心值偏离超过士 460ppm的速度值。
12.如权利要求1所述的方法，进一步包括制造与从中心值偏离不超过士240ppm的声波速度值分布相对应的组分值范围内的晶片。
13.如权利要求1所述的方法，进一步包括制造与声波速度值的分布相对应的组分值范围内的晶片，其中不超过的晶片具有 从中心值偏离超过士 240ppm的速度值。
14.一种由同成分熔融的化合物制造的衬底，包括 具有包含在距中心值士515ppm的窗口内的速度分布的衬底。
15.如权利要求14所述的衬底，其中所述化合物从LN、Bi12Si020和Bi12GeO2tl的至少一 个中选择。
16.如权利要求14所述的衬底，其中所述化合物是LN，并且通过使源材料Nb2O5和 Li2CO3反应来产生。
17.如权利要求14所述的衬底，其中居里温度包含在距中心值士1.84度的窗口内。
18.如权利要求14所述的衬底，其中对于超过99.9%的衬底，居里温度包含在距中心 值士 1.84度的窗口内。
19.如权利要求14所述的衬底，其中具有超出距中心值士1. 84度的窗口的居里温度的 衬底的百分比是0. 或更低。
20.如权利要求14所述的衬底，其中居里温度包含在距中心值士1. 65度的窗口内。
21.如权利要求14所述的晶体，其中所述晶体具有在同成分温度的0.86度内的居里温度。
22.如权利要求14所述的衬底，其中在转换成晶体的熔体量是80%或更高的情况下生 长测试晶体。
23.如权利要求14所述的衬底，其中在转换成晶体的熔体量是85%或更高的情况下生 长测试晶体。
24.如权利要求14所述的衬底，其中晶体组分范围提供包含在距中心值士515ppm的窗 口内的速度分布。
25.一种具有等于或小于士0.042mol%的规定组分范围的LN衬底。
26.一种具有等于或小于士0.022mol%的规定组分范围的LN衬底。
全文摘要
提供了一种由挥发可忽略的同成分熔融的化合物生长晶体的方法。对一个或多个晶体的组分进行测量。对晶体组分从同成分的偏离进行确定。对初始熔体组分和与所述偏离相应的源材料组分修正进行确定。利用所述组分修正生长晶体以生产用于表面声波衬底制造的可再现材料。
文档编号G02F1/35GK101978317SQ200980109606
公开日2011年2月16日 申请日期2009年3月20日 优先权日2008年3月20日
发明者戴尔特·汉斯·容特, 玛丽亚·克劳迪娅·库斯托迪奥·卡伊亚马, 约翰·托马斯·卡雷拉 申请人:晶体技术有限公司