专利名称：光刻机的对准信号的周期测校方法
技术领域：
本发明涉及集成电路或其它微型器件制造领域的光刻装置，尤其涉及一种光刻机 的对准信号的周期测校方法。
背景技术：
在半导体IC集成电路制造过程中，一个完整的芯片通常需要经过多次光刻曝光 才能制作完成。除了第一次光刻外，其余层次的光刻在曝光前都要将该层次的图形与以前 层次曝光留下的图形进行精确定位，这样才能保证每一层图形之间有正确的相对位置，即 套刻精度。通常情况下，套刻精度为光刻机分辨率指标的1/3 1/5，对于100纳米的光刻 机而言，套刻精度指标要求小于35nm。套刻精度是投影光刻机的主要技术指标之一，而掩模 与硅片之间的对准精度是影响套刻精度的关键因素。当特征尺寸CD要求更小时，对套刻精 度的要求以及由此产生的对准精度的要求变得更加严格，如90nm的CD尺寸要求IOnm或更 小的对准精度。掩模与硅片之间的对准可采用掩模(同轴)对准+硅片(离轴)对准的方式，即 以工件台基准板标记为桥梁，建立掩模标记和硅片标记之间的位置关系。对准的基本过程 为首先通过掩模对准系统，实现掩模标记与工件台基准板标记之间的对准，然后利用硅片 对准系统，完成硅片标记与工件台基准板标记之间的对准，进而间接实现硅片标记与掩模 标记之间对准。专利CN03164859. 2、CN200710045495X、CN2007100454964 和 US6^7876B1 等介绍 了一类基于光栅衍射的硅片(离轴)对准系统。该对准系统采用包含两个不同周期子光栅 的对准标记(如16微米和17. 6微米)，通过探测两个子光栅的士 1级光干涉像透过参考光 栅的光强信号，经信号的拟合，综合确定标记的粗对准位置；同时，利用更精细光栅士1级 光干涉像或者是16微米周期光栅的高级光干涉成像(如士5级光)，经信号的拟合，在粗对 准基础上确定精对准。在信号的拟合过程中，可采用如下拟合模型
权利要求
1.一种光刻机对准信号的周期测校方法，包括如下步骤步骤1.对准操作与管理模块下发扫描参数到信号采集与处理模块和位置采集与运动 控制模块；步骤2.位置采集与运动控制模块控制运动台载着对准标记勻速运动，信号采集与处 理模块采集各个通道的光强信号，同时，位置采集与运动控制模块采集工件台的位置信息， 光强信号和位置信息在采集后均被传输到对准操作与管理模块；步骤3.对准操作与管理模块根据各个通道的光强信号和位置信息，组成各通道的对 准信号，然后对各通道的对准信号的拟合周期依次进行测校，获得每个通道的对准信号的 最佳拟合周期；步骤4.将获得的每一通道对准信号的最佳拟合周期作为常数存储在机器中，供对准 时调用；其特征在于，步骤3中包括如下步骤步骤3. 1对于第i通道对准信号，根据对准信号周期的设计值Pd，给出拟合周期的测试 范围为[P d~Pshift' Pd+Pshift」；，步骤3. 2依次设定拟合周期为Pd-Pshift+AP、Pd-Pshift+2AP、…、Pd+Pshift，求出每一拟合 周期的MCC值，并建立拟合周期与MCC之间的关系曲线；步骤3. 3平滑处理拟合周期与MCC之间的关系曲线，找到MCC最大值处对应的拟合周 期，该拟合周期即为该通道对准信号的最佳拟合周期；步骤3. 4重复步骤3. 1 3. 4，求出第i+Ι通道和其它通道对准信号的最佳拟合周期。
2.根据权利要求1所述的测校方法，其中多重相关系数
3.根据权利要求1或2所述的测校方法，其中，采用多项式拟合对拟合周期与MCC之间 的关系曲线进行平滑处理。
全文摘要
一种对准信号周期的测校方法，其中，通过调整拟合周期值，获得一系列的对应多重相关系数MCC值，建立拟合周期与MCC之间的关系曲线，从而可确定最大MCC处的拟合周期，该拟合周期即为对准信号的最佳拟合周期。在对准信号拟合时，利用该测校方法获得的最佳信号周期进行信号拟合，可以获得更好的拟合效果，进而提高粗对准和精对准精度。
文档编号G03F9/00GK102117026SQ20091024763
公开日2011年7月6日 申请日期2009年12月30日 优先权日2009年12月30日
发明者宋海军, 李运锋, 王海江, 韦学志 申请人:上海微电子装备有限公司