脉冲源的多路复用的利记博彩app

专利名称：脉冲源的多路复用的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种通过输出孔生成输出辐射的方法。 本发明还涉及一种实现这种方法的设备以及包括所述设备的光刻装置。
背景技术：
生成脉冲辐射的方法和设备是已知的。这些方法和设备例如用于在光敏晶片的光 刻范围内生成用于光链的辐射。这种光链包括
-脉冲源，生成期望波长范围内的辐射； _光学系统，从脉冲源接收辐射并且对其进行处理(例如，通过使其瞄准和/或使 其会聚)；-掩模，从光学系统接收辐射，仅允许透射图样前方的辐射射线通过，辐射的其余 部分被掩模阻止；以及-晶片，接收未被掩模阻止的射线。 暴露于辐射的晶片表面被光刻胶或光敏产品所覆盖。到达晶片的射线与该产品相 互作用，并且在晶片表面上形成与掩模的透射图样对应的图样。 用于EUV光刻的脉冲源的期望平均功率为100W量级，例如为150W，但是功率越大 越有利。功率越大，效果越好。大功率允许处理具有较大的吞吐量。 EUV光刻源的脉冲辐射的期望频率为10kHz量级，例如为7kHz，但是频率越大越有 利。频率越大，效果越好。高频率允许在扫描晶片时到达晶片的射线的粒度具有统计均匀 性。 文献US 6，861，656公开了在极紫外和软X-射线光刻系统中使用的高光度 EUV-源设备，这种设备能够生成具有大功率和高频率的输出辐射。这种设备包括多个脉冲 EUV-光源。每个脉冲源发射光脉冲，每个光脉冲被相关联的平面镜反射。如US 6， 861， 656 的图7a和7b所示，这些脉冲源被时分复用，以获得基本连续的合成光发射。然而，根据US 6， 861， 656的时分复用难以实现，因为它需要同时改变平面镜的角位。 本发明的目的是提出一种比现有技术更容易实现的用于生成具有大功率和/或 高频率的输出辐射的方法，以及一种实现这种方法的设备。

发明内容
本发明的一方面涉及一种通过输出孔生成输出辐射的方法，所述方法包括
-由多个辐射源(11-14,20)生成脉冲辐射，每个源被设置为分别
(i)在对应的等离子体(211)内生成对应的脉冲基本辐射，
其波长包括对应的期望范围； (ii)将其对应的基本辐射的射线引导至所述输出孔(5)上；-对于每个源，在对应的基本辐射所通过且位于对应的等离子体(211)内的对应 控制区域内分布射线的折射率，以根据波长选择性地偏移所述对应的基本辐射的射线；以及-时间复用所述辐射源，以在所述输出孔(5)处获得所述输出辐射。 时间复用通常意味着通过时间复用器在时间上对辐射的生成之间进行协调。 所述方法可进一步包括检测所述辐射源之一的故障，以及通过取代故障源的备用
源生成基本辐射。 所述方法可进一步包括测量所述输出辐射的功率，并根据对所述输出辐射的功率 的测量控制时间复用。所述脉冲辐射生成可包括由工作源相继地生成基本辐射；以及在所 述工作源生成的输出辐射小于最小阈值的情况下由至少一个辅助源生成至少一个基本辐 射。 所述多个基本辐射可同时生成以创建期望的辐射图样。所述方法可进一步包括随 着时间对期望图样进行动态修改。对于所述辐射源中的至少一个，对期望图样的动态修改 可包括对将所述辐射源生成的射线反射至所述输出孔的至少一个反射镜的角位进行修改。
所述输出辐射的平均频率可大于每个辐射源的最大频率。每个源可具有不同的最 大频率。 本发明的另一方面涉及一种通过输出孔生成输出辐射的设备，所述设备包括
-多个辐射源，每个源包括用于生成对应的脉冲基本辐射的装置，所述对应的脉冲 基本辐射的波长包括对应的期望范围，每个源被设置为将其对应的基本辐射的射线引导至
所述输出孔上，每个源包括对应的等离子体和偏移装置，在所述对应的等离子体中生成对 应的基本辐射，所述偏移装置包括对对应的基本辐射所通过的且位于对应的等离子体内的 对应控制区域内的射线的折射率的受控分布进行设置的装置，以根据波长选择性地偏移所 述对应的基本辐射的射线；以及-时间复用器，时间复用所述辐射源，以在所述输出孔处获得所述输出辐射。
根据本发明的设备可进一步包括对所述脉冲源中的至少一个的故障进行检测的 装置，所述多个辐射源包括备用组，所述备用组包括被设置为取代至少一个故障源来生成 辐射的至少一个备用源。备用组优选地包括多个备用源，每个备用源被设置为取代故障源 之一来生成辐射。 根据本发明的设备可进一步包括对所述输出辐射的功率进行测量的装置，以及根
据对所述输出辐射的功测量来控制所述时间复用器的装置。测量的输出辐射的功率可以是
时间平均功率。对于每个辐射源，测量输出辐射功率的装置可包括对所述源产生的脉冲辐
射的功率进行测量的装置。所述多个辐射源包括-工作组，包括被设置为一个接一个地生成辐射的源；以及-辅助源，包括被设置为在所述工作组生成的输出辐射的功率小于最小阈值的情 况下生成辐射的至少一个辅助源(辅助组优选地包括多个辅助源)。 时间复用器可被设置为通过多于一个的源控制同时生成辐射以创建期望的辐射 图样。根据本发明的设备可进一步包括动态修改辐射图样的装置。对于辐射源中的至少一 个(优选地对于多个辐射源或对于每个辐射源)，修改装置可包括将所述源生成的射线反 射至输出孔的至少一个反射镜。 然而，所述辐射源中的至少一个(优选地，多个辐射源或每个辐射源)可被设置为 生成基本辐射，该基本辐射的射线到达输出孔并且不是从所述辐射源反射至所述输出孔。
每个源通过对应的源孔生成对应的脉冲基本辐射，多个源孔聚集在表面上，所述表面优选地为平面或球形部分，聚集在所述表面上的每个孔沿着第一方向邻近于聚集在所述表面上的至少一个其它孔并且沿着不同于所述第一方向的第二方向邻近于聚集在所述表面上的至少一个其它孔。 每个辐射源可具有对应的基本辐射的最大生成频率，时间复用器被设置为将比所述源的所有最大频率更大的平均频率提供给输出辐射。 对于至少一个辐射源(优选地为多个辐射源或每个辐射源)，根据本发明的设备
可进一步包括位于所述源的控制区域的下游侧的对应的过滤窗，所述过滤窗-允许由所述源生成且在所述源的期望波长范围内的射线通过；以及-阻止由所述源生成且不在所述源的期望波长范围内的光学通过。 所述过滤窗对于所述源中的几个(优选地为全部辐射源)来说可基本为同一个过
滤窗，并且优选地为所述输出孔。 对于一个、某些或所有源，设置折射率的受控分布的装置可包括对所述控制区域内的电子密度进行控制的装置。 至少一个期望范围(优选地为每个)可在从0纳米到100纳米的波长间隔内，优选地在极UV光谱或软X-射线光谱内。 本发明的又一方面涉及一种包括根据本发明的生成设备的光刻装置。 本发明的又一方面涉及一种通过根据本发明的光刻装置生产电子元件尤其是半
导体元件的方法。


基于对非限制性的实施方式和附图的详细描述，本发明的其它优点和特性将显而易见，在附图中 _图1图示了根据现有技术的辐射源；-图2和3分别是根据本发明的光刻装置的第一实现模式的第一和第二示意-图4和5分别是根据本发明的光刻装置的第二实现模式的第一和第二示意-图6是包含在图2至5的光刻装置中的辐射源之一的示意 _图7图示了图2和3的光刻装置的脉冲源的孔的排列；-图8至11图示了通过由图2至5的光刻装置的多个脉冲源同时生成辐射而获得的不同类型的辐射图样；以及-图12图示了对辐射图样的示意性修改。
具体实施例方式
图1图示了根据现有技术的典型辐射源。这种辐射源包括光发射部1和透镜2。
发射部1发射的光是发散的。透镜2置于发射部1的前方以聚焦发射部1发射的射线。在光刻装置中，如上所述，发射部1发射的功率很大透镜2不置于发射部1的附近以免透镜2被损坏。透镜2与发射部1之间的距离3越大，透镜2的直径就越大，因为透镜2必须接收从发射部1发射的所有射线。 在此需要提及的是，光学扩展量(etendue)是评估光源生成的电磁波束质量的参数，以及这些波束是如何发射的。光学扩展量是源的不变量，并且与源表面和其发射波束的立体角的乘积成比例。因此，光学扩展量的单位是m^.sr(毫米2.球面度)。作为简单的实例，无论发射表面有多大，理想激光器的理论光学扩展量等于0，因为理论上发射激光的立体角为零。 透镜组件100处理来自透镜2的射线并且将这些射线弓I导至掩模和晶片。用于EUV光刻的现有装置的透镜组件100仅能支持最大3mm7sr的光学扩展量。如果源1的光学扩展量变大，则光刻装置的效率将被降低，因为一部分辐射不能被透镜组件100收集。
透镜2具有大直径4。因此，源1和透镜2的结合具有大体积，仅可将少量的源l(通常两个源)结合。这意味着，每个源1必须具有大功率、大直径和大光学扩展量，并且几乎不能被复用。为了解决这个问题，根据US 6861656的设备包括多个协调镜。
参照图2至6描述根据本发明的光刻装置。这种光刻装置实现根据本发明的方法并且包括-根据本发明的设备IO，用于生成通过输出孔5的输出辐射；-光学系统6，包括至少一个透镜；-平面掩模7 ; _支撑件8，被设置为支撑晶片9。 用于生成输出辐射的设备10包括-多个辐射源11-14，每个源生成波长包括其期望范围的脉冲基本辐射，每个源被设置为将其基本辐射的射线引导到输出孔5，每个源包括生成其基本辐射的等离子体、和偏离装置212、2121、2122，偏离装置212、2121、2122包括设置各控制区域内射线折射率的受控分布的装置，以根据波长选择性地偏离各基本辐射的射线，各基本辐射通过对应的控制区域且各控制区域位于其对应的等离子体内；以及-时间复用器15，使辐射源在时间上复用以在输出孔5处获得输出辐射。
光学系统6从输出孔5接收由脉冲源11至14发射且未被过滤窗222阻止的基本辐射的射线，并且通过将其瞄准和/或会聚以引导至晶片9来处理这些射线。掩模7从光学系统6接收射线并且只允许透射图样前方的射线通向晶片，其余射线被掩模阻止。掩模7的平面与接收射线的晶片的平面光学共轭如图2至5所示，每个基本辐射的射线聚焦在掩模7的平面上，也聚焦在晶片上。这可通过包括至少一个透镜且位于掩模7与支撑件8之间的透镜组件16实现。 时间复用器15被设置为将控制信号发送至源11至14。控制信号使接收控制信号的辐射源生成基本辐射。时间复用器被设置为控制、监督和调整辐射源11至14彼此之间生成基本辐射的时间。时间复用器通常包括模拟电路或数字电路、微处理器或计算机。用户可通过连接至多路复用器的捕获装置(通常为一组按钮和/或键盘)选择源11至14的期望协调。 如图2至5所示的根据本发明的装置的所有源11至14都具有共同的特征，该特征将参照图6描述，图6图示了根据本发明的辐射源20之一。辐射源20是EP 1673785B1中所公开的类型。 辐射源20包括室21，室21是大致关闭的，但是室21的侧面210是打开的以允许来自室的射线通过。室21包括能够生成基本辐射R0的等离子体。
基本辐射包括波长与期望波长的范围对应的射线。在本发明优选但非限制的应用 中，期望波长的范围包含在
的区间内。因此，期望波长范围可包含在极紫外光 谱或软X射线光谱内。 因此，室21能够生成基本辐射，该基本辐射的相当大数量的射线对应于期望波长 的范围。然而可能发生的情况是，基本辐射包含波长不与期望范围精确对应的射线，和/或 源20发射的基本辐射中伴随有一些碎片(debris)。为了防止这些不期望的结果，源20包 括用于过滤基本辐射的装置，这些过滤装置能够在基本辐射所通过的控制区域212内建立 射线折射率的受控分布，以根据其波长选择性地偏离基本辐射的射线。控制区域位于室21 自身内。通过控制电子密度在控制区域内的分布来获得对控制区域内折射率的分布控制， 如EP 1673785B1中所公开的。 因此，控制区域212位于室21内，并且该控制区域位于与源20相关联的等离子体 211内。对控制区域内电子密度分布的控制使得基本辐射的不同射线的轨迹随着这些射线 的波长而受到影响。这种情况如图6所示，图6示出了两种类型的射线的两种大致轨迹
-第一波长A 1的射线。这些射线具有轨迹Rl 。-小于第一波长A 1的第二波长A 2的射线。这些射线具有轨迹R2。 在控制区域内建立电子密度分布使得远离基本辐射的发射的中线A处的电子密
度大于基本辐射的发射的该中线处的电子密度。在该附图所示的情况下，室通常为圆筒形， 基本辐射被发射为使得射线围绕线A基本对称分布。 为了在控制器区域内建立这种电子密度分布，沿着线A将能量供应于室21的等离 子体。这种能量供应例如可通过沿着线A限定的轴线将电子束或激光辐射引导至控制区域 而实现。这使等离子体沿着线A在控制区域内被电离。在这种能量供应之前，已经在室内 包含等离子体的端子2121、2122上建立电压，所述端子在通常由基本辐射的发射中线限定 的方向上是隔开的。 过滤窗222被置于轨迹为R2的射线的聚焦点处。这个过滤窗对应于收集基本辐 射的射线中具有期望波长的射线的装置。已知来自基本辐射RO的不同射线根据其波长被 存在于控制区域内的电子密度分布不同地偏移。这种选择性的偏移使与给定波长相关联的 射线向线A的特定点会聚 一 这个特定点被称为"聚焦点"。因此线A上的聚焦点位置(可 由与线A相关的参考标记的曲线横坐标定义的位置)取决于与该聚焦点相关联的波长。图 6示出了分别与轨迹Rl和R2的射线相关联的聚焦点Fl和F2。因此，窗222被置于聚焦点 F2处。这个窗的功能是只允许基本在聚焦点F2级别处到达线A的射线(即，波长为A2的 射线)通过。为此，窗222具有孔2220，优选地，其中心位于线A上。以这种方式，可根据希 望被隔离的波长将过滤窗置于线A的任何期望位置。 如上所述，图1所示的巨大且强大的源具有大的光学扩展量，通常大于l-3mm2. sr 要求。 根据本发明的光刻装置的每个辐射源20在同一等离子体内将用于生成基本辐射 的装置和用作透镜的控制区域相结合。源在其孔210的前方不需要任何透镜来对基本辐射 聚焦。每个源20的辐射收集光学元件不是远离等离子体211的物理透镜或反射镜，而是等 离子体本身。这意味着等离子体能够更好地收集每个辐射源20生成的辐射，导致每个辐射 源20具有小的光学扩展量并且导致整个设备10具有小的光学扩展量。每个源20与图1所示的源相比具有非常小的尺寸和光学扩展量。因此，根据本发明的设备io容易满足光学 扩展量要求。即使多个源总的光学扩展量也与源的数量成比例，但l-3mm2. s的总光学扩展 量要求在根据本发明的设备中得到满足，这是因为每个辐射源20的光学扩展量在O. 001到 0. lmm2. sr之间，通常为0. 01mm2. sr。例如，如果设备10包括100个源20，则设备10的光 学扩展量为lmm2. sr，即，满足要求。具有小且紧凑的辐射源20的设备10是紧凑的。
设备10的所有源被设置为使得如果所有这些源同时生成各自的基本辐射，则这 些辐射的射线同时到达输出孔5，并同时到达晶片9。这意味着根据本发明的装置不需要US 6， 861， 656中所公开的复杂反射镜设置。 通常，设备10包括大约100个或更多个辐射源20。在图2和3所示的光刻装置的 第一实现模式中，辐射源的源孔210聚集在表面16上，表面16优选地为平面部或球形部， 每个孔210沿着第一方向17邻近至少一个其它孔210，沿着不同于第一方向17的第二方 向18邻近至少一个其它孔210。第一方向17垂直于第二方向18。在图7中，每个圆表示 源20的一个孔210。这样，所有辐射源的整体非常紧凑并且设备10很小。
在图4和5所示的光刻装置的第二实现模式中，辐射源的源孔210也聚集在表面 上，每个孔210沿着第一方向邻近至少一个其它孔210，沿着不同于第一方向17的第二方向 邻近至少一个其它孔210。源11、13、14被定向朝向与输出孔5相反的方向，这个表面包括 没有孔210的中部以使辐射从辐射源通向输出窗。 图2和3分别是根据本发明的光刻装置的第一实现模式的第一和第二示意图。图 2仅图示了第一实现模式的源的一部分。图2所示的源11、12、13—个接一个地生成基本辐 射，生成的基本辐射的射线到达掩模7的相同区域。图3仅图示了第一实现模式的源的另 一部分。图3所示的源14同时生成基本辐射，生成的基本辐射的射线到达掩模7的不同区 域以创建期望的辐射图样。实际上，第一实现模式包括可类似于所示的源11、12、13或类似 于所示的源14协调的100多个源。给定的辐射源甚至可根据其如何受控于复用器而类似 于源11至13、类似于源14、类似于备用源或类似于辅助源起作用。在第一实现模式中，对 于每个辐射源，从所述辐射源到输出孔，所述辐射源生成且到达输出孔的射线不会被反射。 这意味着设备10不需要位于辐射源之间和输出孔5之间的反射镜，因此设备10很小。然 而，对于至少一个辐射源20，第一实现模式可包括位于至少辐射源与输出孔之间并且反射 由至少辐射源生成的射线的反射镜或分光镜，这些反射的射线到达不了输出孔5。例如，这 些反射的射线可用作功率或波长的测量。 图4和5分别是根据本发明的光刻装置的第二实现模式的第一和第二示意图。图 4仅图示了第二实现模式的源的一部分。图4所示的源11、13—个接一个地生成基本辐射， 生成的基本辐射的射线到达掩模7的相同区域。图5仅图示了第二实现模式的源的另一部 分。图5所示的源14同时生成基本辐射，生成的基本辐射的射线到达掩模7的不同区域以 创建期望的辐射图样。实际上，第二实现模式包括类似于所示的源11、12、13或类似于所示 的源14协调的100多个源。给定的辐射源可根据其如何受控于复用器而类似于源11-13、 类似于源14、类似于备用源或类似于辅助源作用。 参照图2至5，设备10进一步包括测量输出辐射的功率的装置19 ;以及控制器 22，其被设置为根据对输出辐射功率的测量控制时间复用器。所测量的输出辐射功率是时 间平均功率。测量输出辐射功率的装置包括用于每个辐射源的探针19，置于所述源的孔210与过滤窗222之间，该探针被设置为测量所述源生成的脉冲辐射的功率，输出辐射的功 率等于源生成的脉冲辐射的时间平均功率。图2至5仅示出了一个探针。从探针接收测量 值的控制器22被连接至复用器15。控制器22通常包括模拟电路或数字电路、微处理器或 计算机。 在根据本发明通过光刻装置的第一或第二实现模式实现的方法中，时间复用器15 可协调辐射源使得辐射源包括-工作组，包括被设置为一个接一个地生成基本辐射的源，这些源被优选地设置为 周期性地生成基本辐射；以及-辅助组，包括被设置为只有当工作组生成的输出辐射的功率小于最小阈值时才 生成基本辐射的辅助源。 如果工作组生成的输出辐射小于最小阈值，则控制器22将这个信息发送到复用
器15，复用器激活辅助组的一个或多个源，以将输出辐射的功率增大至最小阈值。 类似地，如果工作组生成的输出辐射大于最大阈值，则控制器22将这个信息发送
至复用器15，复用器将工作组的一个或多个源停用，被停用的源不再生成基本辐射，以将输
出辐射的功率降低至最大阈值。 如图2和4所示，工作组和辅助组的源11至13被优选地设置为生成到达输出孔 5的相同区域、掩模7的相同区域和晶片9的相同区域的射线。 由于使用了大量的辐射源和复用器，设备10能够实现输出辐射的非常大范围的 输出功率和输出频率。如果每个辐射源20都具有各自的最大脉冲生成频率，超过该频率时 所述源不能生成脉冲辐射，则时间复用器可被设置为协调辐射源以使输出辐射的平均功率 大于所有源的最大频率。作为实施例，如果根据本发明的光刻装置聚集100个源20，每个源 具有2W的功率和2kHz的最大频率，则复用后的源具有200W的功率和200kHz的频率。在 现有技术中，难以使单一的源具有200W的功率和200kHz的频率，然而让一个源具有2W的 功率和2kHz的频率则容易得多。 而且，由于具有控制器22，输出功率非常稳定。 在根据本发明的方法中，如图3和5所示，时间复用器15可协调辐射源以控制多 于一个的源14同时生成基本辐射，从而创建同时辐射的期望图样。同时辐射的图样是这样 一组辐射其描绘所述图样且同时到达输出孔，然后同时到达掩模7，并且同时到达晶片9。 可周期性生成辐射图样。 图8至11图示了这种辐射图样的实例，每个圆表示在掩模7的平面内由一个源生 成且到达掩模7的辐射。图8图示了通过由多个辐射源生成的多个重叠的辐射获得的圆点。 图9图示了偶极子图样。图10图示了竖直线图样。图ll图示了环形图样。掩模7可具有 各种透射图样。掩模的透射图样可衍射由设备IO生成的辐射。有利地，辐射图样可补偿透 射图样的衍射效应。例如，如果透射图样水平衍射辐射，则图10的竖直线图样补偿该衍射。
在根据本发明通过光刻装置的第一或第二实现模式实现的方法中，时间复用器15 可协调辐射源，使得辐射源包括多个辐射组-每个辐射组包括同时生成基本辐射以创建对应的辐射图样的多个源20 ;
-辐射组一个接一个地生成它们对应的辐射图样。
这允许结合先前公开的优点
-补偿掩模7的衍射；以及-允许大范围的输出辐射平均频率，和/或允许大范围的输出辐射平均功率，和/
或由于控制器22而稳定输出辐射的平均频率和/或功率。 在根据本发明的方法的实施方式中，所有辐射图样可以是相同的。 在另一实施方式中，各辐射图样可以是不同的。辐射图样可逐渐从一种形状变为
另一种形状就像它们连续发生一样。这样，掩模接收的辐射图样被动态修改。 如图4和5所示，光刻装置的第二实现模式对于每个辐射源包括将该源生成的射
线反射至输出孔的至少一个反射镜23。第二实现模式进一步包括对每个反射镜23的角位
进行修改的装置。每个反射镜23的角位可根据两个不同的自由度转动。通常，反射镜23
被安装在由复用器15控制的电机上。这些修改装置可由用户使用，如图5所示，以动态且
连续地修改每个辐射源14所到达的掩模7的对应区域和晶片9的对应区域。这样，掩模7
接收到的辐射图样可被动态且连续地修改。这意味着掩模7的光瞳填充因子(pupil fill
factor)在晶片9曝光的过程中动态变化。为了清楚地说明图4和5，仅为每个源14图示
了一个反射镜23。根据本发明的设备10的最佳实现模式为每个辐射源14包括将其生成的
射线相继地反射至输出孔5的至少两个反射镜23。这样，通过修改至少两个反射镜23的
角位，由源14生成且被源14的至少两个反射镜23反射的射线可到达掩模7和晶片9的任
何点或区域。图12图示了将辐射图样从竖直线形24动态修改至环形26的三个连续步骤
24、25、26，每个圆图示了在掩模7的平面内由一个源生成并且到达掩模7的辐射。 最后，在设备10内，测量装置19被设置为检测至少一个脉冲源中的故障或失效，
多个辐射源包括备用组，该备用组包括被配置为取代每个故障或失效源来生成辐射。这样，
如果一个辐射源有问题，技术人员可对其进行修复或替换，同时光刻装置仍保持工作，也就
是说，光刻装置在生成具有期望功率、期望频率和期望图样的输出辐射。 当然，本发明不限于先前描述的实施例，并且可在不超出本发明范围的前提下对
这些实施例进行大量修改。 特别地，过滤窗222可以是用于所有源的同一个过滤窗，并且优选地可以是输出
孔5。在该变体中，每个基本辐射的一部分都聚焦在输出窗上。 此外，一个辐射源与另一个辐射源的期望范围可以是不同的。
权利要求
一种通过输出孔(5)生成输出辐射的方法，所述方法包括-由多个辐射源(11-14，20)生成脉冲辐射，每个源被设置为分别(i)在对应的等离子体(211)内生成对应的脉冲基本辐射，其波长包括对应的期望范围；(ii)将其对应的基本辐射的射线引导至所述输出孔(5)上；-对于每个源，在对应的基本辐射所通过且位于对应的等离子体(211)内的对应控制区域内分布射线的折射率，以根据波长选择性地偏移所述对应的基本辐射的射线；以及-时间复用所述辐射源，以在所述输出孔(5)处获得所述输出辐射。
2. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包括检测所述辐射源(11-14,20) 之一的故障，以及用取代故障源的备用源生成基本辐射。
3. 根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，进一步包括测量所述输出辐射的功 率，以及根据对所述输出辐射的功率的测量控制所述时间复用。
4. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述脉冲辐射的生成包括通过工作源一 个接一个地生成基本辐射；以及如果所述工作源生成的输出辐射小于最小阈值，则通过至 少一个辅助源生成至少一个基本辐射。
5. 根据前述权利要求中的任一项权利要求所述的方法，其特征在于，多个基本辐射同 时生成以创建期望的辐射图样(24， 25， 26)。
6. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包括随着时间对期望图样的动态 修改。
7. 根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，对于所述辐射源中的至少一个(14)， 对辐射图样的动态修改包括对将所述辐射源生成的射线反射至所述输出孔的至少一个反 射镜(23)的角位进行修改。
8. 根据前述权利要求中的任一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述输出辐射的 平均频率大于每个辐射源的最大频率。
9. 一种通过输出孔(5)生成输出辐射的设备，所述设备包括-多个辐射源(11-14，20)，每个源包括用于生成对应的脉冲基本辐射的装置，所述对 应的脉冲基本辐射的波长包括对应的期望范围，每个源被设置为将其对应的基本辐射的射 线引导至所述输出孔(5)上，每个源包括对应的等离子体和偏移装置(212，2121，2122)，在 所述对应的等离子体中生成对应的基本辐射，所述偏移装置(212,2121,2122)包括对对应 的基本辐射所通过的且位于对应的等离子体内的对应控制区域内的射线的折射率的受控 分布进行设置的装置，以根据波长选择性地偏移所述对应的基本辐射的射线；以及_时间复用器，时间复用所述辐射源，以在所述输出孔处获得所述输出辐射。
10. 根据权利要求9所述的设备，其特征在于，进一步包括对所述脉冲源中的至少一个 的故障进行检测的装置，所述多个辐射源包括备用组，所述备用组包括被设置为取代至少 一个故障源来生成辐射的至少一个备用源。
11. 根据权利要求9或10所述的设备，其特征在于，进一步包括对所述输出辐射的功率 进行测量的装置，以及根据对所述输出辐射的功率测量来控制所述时间复用器的装置。
12. 根据权利要求11所述的设备，其特征在于，所述多个辐射源包括 -工作组，包括被设置为一个接一个地生成辐射的源；以及-辅助源，包括被设置为在所述工作组生成的输出辐射的功率小于最小阈值的情况下 生成辐射的至少一个辅助源。
13. 根据权利要求9至12中任一项权利要求所述的设备，其特征在于，所述时间复用器 被设置为控制多于一个的源同时生成辐射以创建期望的辐射图样。
14. 根据权利要求13所述的设备，其特征在于，进一步包括用于动态修改所述辐射图 样的装置。
15. 根据权利要求13或14所述的设备，其特征在于，对于所述辐射源的至少一个，所述 设备包括将所述源生成的射线反射至所述输出孔的至少一个对应的反射镜(13)。
16. 根据权利要求9至14中的任一项权利要求所述的设备，其特征在于，所述辐射源中 的至少一个被设置为生成其射线到达所述输出孔(5)并且不是从所述辐射
17. 根据权利要求9至16中的任一项权利要求所述的设备，其特征在于，每个源通过对 应的源孔(210)生成对应的脉冲基本辐射，多个源孔(210)聚集在表面(16)上，所述表面 优选地为平面或球形部分，聚集在所述表面上的每个孔(210)沿着第一方向邻近于聚集在 所述表面上的至少一个其它孔并且沿着不同于所述第一方向的第二方向邻近于聚集在所 述表面上的至少一个其它孔。
18. 根据权利要求9至17中的任一项权利要求所述的设备，其特征在于，每个辐射源具 有对应的基本辐射的最大生成频率，所述时间复用器被设置为将大于所述源的所有最大频 率的平均频率提供给所述输出辐射。
19. 根据权利要求9至18中任一项权利要求所述的设备，其特征在于，对于至少一个辐 射源，所述设备进一步包括位于所述源的控制区域的下游侧的对应的过滤窗(222)，所述过滤窗_允许由所述源生成且在所述源的期望波长范围内的射线通过；以及 -阻止由所述源生成且不在所述源的期望波长范围内的光学通过。
20. 根据权利要求19所述的设备，其特征在于，所述过滤窗对于所述源中的几个来说基本为同一个过滤窗，并且优选地为所述输出孔。
21. 根据权利要求9至20中任一项权利要求所述的设备，其特征在于，用于设置折射率 的受控分布的装置包括对所述控制区域内的电子密度进行控制的装置。
22. 根据权利要求9至21中任一项权利要求所述的设备，其特征在于，至少一个期望范 围在从0纳米到100纳米的波长区间内，优选地在极UV光谱或软X-射线光谱内。
23. —种包括根据权利要求9至22中的任一项权利要求所述的生成设备的光刻装置。
24. —种利用根据权利要求23所述的光刻装置生产微电子元件尤其是半导体元件的 方法。
全文摘要
本发明涉及一种通过输出孔(5)生成输出辐射的设备(10)，所述设备(10)包括多个辐射源(11-14)和用于时间复用所述辐射源(11-14)的时间复用器(15)。每个辐射源包括等离子体(211)，在等离子体(211)中生成基本辐射并且根据波长选择性地偏移该基本辐射的射线。这种源具有小尺寸和小的光学扩展量。该设备例如可包括一百个或更多个辐射源。每个辐射源可用于生成动态修改的辐射图样(24，25，26)，或者用作取代故障源的备用源，或者用作仅当输出辐射的功率小于最小阈值时才生成辐射的辅助源。本发明还涉及由该设备执行的方法，以及包括该设备的光刻装置。
文档编号G03F7/20GK101711376SQ200880018973
公开日2010年5月19日 申请日期2008年2月19日 优先权日2008年2月19日
发明者彼得·丘 申请人:内诺-Uv公司