专利名称：Lcm半成品的抗静电极限耐压测试方法
LCM半成品的抗静电4及限耐压测试方法
技术领域：
本发明涉及对静电敏感产品的极限抗静电能力的测试方法，特别是针对 LCM (液晶显示才莫组)半成品的极限抗静电能力的测试方法。背景技术：
在LCM模组生产过程中，新产品量试导入时，需对IC (半导体元件产 品)、PWB (印刷电路板)、面板等材料组合成半成品做抗静电极限耐压测 试，以验证新产品在后续大量投产时是否符合要求。另外，如需要对照不同 厂商原材料之间的抗静电能力是否存在差异性时，也需要对IC、 PWB、面板 等材料组合成半成品做抗静电极限耐压测试，以提供对生产制造过程中的静 电防护等级要求。
目前，原材料供应商仅提供单一材料的抗静电耐压能力的测试数据，例 如，IC、 ASIC(专用集成电路)。但缺少在LCM生产过程中已组合成半成品后 (即IC+PWB+面板)的极限抗静电能力的测试方法与测试数据。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种对LCM半成品的极限抗静电 能力的测试方法，填补目前LCM生产业界的模组半成品的极限耐静电压能力 测试方法的空白，提供有效的解决方案。
本发明采用以下技术方案
LCM半成品的抗静电极限耐压测试方法，包括以下步骤 步骤一待测样品准备
选取待测试的LCM半成品，事先在点灯机台上确认待测部位没有静电类 不良；
步骤二静电模拟放电发生器设定
在静电模拟放电发生器上设置静电放电模式；选取基准起点放电电压；选耳又电压才及性；
步骤三待测样品接地准备
将LCM半成品放置在绝缘平面上，带电子元器件面需朝上；将LCM半 成品中的PWB接地孔接地；静电》文电枪同时接地； 步骤四静电放电实验过程 起动静电枪放电开关，对测试孔逐个进行测试； 步骤五点灯确认
将接地线取下后，测试样品在点灯机台上点灯确认是否有静电击伤现象。 若未出现静电不良，则需提高放电电压来验证，重复第四步骤，直到出现有 ESD (静电击伤)不良现象为止；若出现静电不良，则需降低放电电压来验 证。
作为本发明的具体方案之一，所述步骤一中待测部位是LCM半成品中的 PWB;所述步骤二中静电放电模式设定为接触放电模式；所述步骤四中测试 孔是PWB的ASIC (专用集成电路)各引脚。
作为本发明的具体方案之二，所述步骤一中待测部位是LCM半成品中的 IC;所述步骤二中静电放电模式设定为空气放电模式；所述步骤四中测试孔 是IC测试孔。
本发明的优点在于本发明可以提供验证新产品或已投产的LCM模组半 成品的抗静电能力；也可以对比出不同厂商材料的抗静电能力水平。
下面参照附图结合实施例对本发明作一详细说明。 图l是本发明第一个实施例各步骤示意图。 图2是本发明第二个实施例各步骤示意图。具体实施方式
实施例一
LCM半成品中的PWB的ASIC元件的抗静电能力测试方法 步骤ll:待测样品准备
选取待报废的LCM半成品的待实验样品数量为3-5片，并事先在点灯台机上确认PWB没有静电类不良。
步骤12:静电模拟放电发生器设定
采用静电模拟放电发生器，并设定静电放电模式，对ASIC(专用集成电 路)引脚或测试孔等金属导体部位需选择圆锥形的静电针，作接触放电；参 考ASIC的耐压规格为4-5KV，取3KV为基准起点放电电压；静电电压先选 耳又正才及性电压》文电。
步骤13:待测样品接地准备
将LCM半成品放置在绝缘平面上，带电子元器件面需朝上；将PWB接 地孔接地；静电放电枪同时也接地。 步骤14:静电放电实验过程
将静电针接触在每个ASIC引脚上，然后启动静电枪放电开关开始逐个 对ASIC各引脚放电。放电频率为l次/秒。若需证明ASIC的输入端引脚和输 出端引脚抗静电击伤能力的差异，则需分别对输入端或输出端测试完成后继 续步骤15即可。
步骤15:点灯确认
将接地线取下后，测试样品在点灯机台上点灯确认是否有ASIC静电击 伤现象。
若未出现静电不良，则仍需采用正电压逐步提高放电电压来验证，重复 步骤14,直到出现有ESD不良现象为止。若3KV即出现ESD不良，则需更 换更换新的待测模组(含ASIC)样品并降低放电电压来验证。上升或下降电 压间隔阀值一般选择0.5-lKV。
负极性电压耐静电实验只要切换为负极性开关后，重复上述步骤14-步骤 15即可。
放电电压从低到高的原则，直到第一个出现ESD不良时的静电放电最低 电压值即为该LCM半成品中PWB的极限耐静电压能力。
同样方法测试其余各片的PWB极限耐静电压能力。若发生实验失败时， 需立即更换新的待测样品重复步骤11-步骤15继续实验。实施例二
LCM半成品中的IC的抗静电能力测试方法 步骤21:待测样品准备
选取待报废的LCM半成品的待实验样品数量为3片，并事先在点灯台机 上确认IC没有静电类不良。
步骤22:静电模拟放电发生器设定
采用静电模拟放电发生器，并设定静电放电模式，对IC等非金属导体部 位的静电放电需选择半圆球形的静电针，作空气放电；参考IC的耐压规格为 2-3KV,取1KV为基准起点放电电压；静电电压先选取正极性电压放电。
步骤23:待测样品接地准备
将LCM半成品放置在绝缘平面上；将PWB接地孔4妄地；静电放电枪同 时也接地。
步骤24:静电放电实验过程
先起动静电枪放电开关，并緩慢将静电针从距离IOCM处移近IC表面， 直到接触到IC带晶元侧的测试孔为止。整个过程需计时25秒，即放电25次 后停止。放电频率为1次/秒。
步骤25:点灯确认
将接地线取下后，测试样品在点灯机台上点灯确认是否有静电击伤现象。 若未出现静电不良，则仍需采用正电压逐步提高放电电压来验证，重复
步骤24，直到出现有ESD不良现象为止。若1KV即出现ESD不良，则需更
换新的位置的待测IC样品并降低放电电压来验证。上升或下降电压间隔阀值
一般选择0.1-1KV。
负极性电压耐静电实验只要切换为负极性开关后，重复上述步骤24-步骤
25即可。
放电电压从低到高的原则，直到第一个出现ESD不良时的静电放电最低 电压值即为该LCM半成品中IC的极限耐静电压能力。
同样方法测试其余各片组合品的IC极限耐静电压能力。若发生实验失败 时，需立即更换新的待测样品重复步骤21-步骤25继续实验。以上两实施例中实验室环境要求为温度19-25摄氏度，相对湿度为 40-75%。
本发明可以提供验证新产品或已投产的LCM模组半成品的抗静电能力； 也可以对比出不同厂商材料的抗静电能力水平。
权利要求
1. LCM半成品的抗静电极限耐压测试方法，其特征在于包括以下步骤步骤一待测样品准备选取待测试的LCM半成品，事先在点灯机台上确认待测部位没有静电类不良；步骤二静电模拟放电发生器设定在静电模拟放电发生器上设置静电放电模式；选取基准起点放电电压；选取电压极性；步骤三待测样品接地准备将LCM半成品放置在绝缘平面上，带电子元器件面需朝上；将LCM半成品中的PWB接地孔接地；静电放电枪同时接地；步骤四静电放电实验过程起动静电枪放电开关，对测试孔逐个进行测试；步骤五点灯确认将接地线取下后，测试样品在点灯机台上点灯确认是否有静电击伤现象。若未出现静电不良，则需提高放电电压来验证，重复第四步骤，直到出现有ESD不良现象为止；若出现静电不良，则需降低放电电压来验证。
2、 如权利要求1所述的LCM半成品的抗静电极限耐压测试方法，其特 征在于所述步骤一中待测部位是LCM半成品中的PWB;所述步骤二中静 电放电模式设定为接触放电模式；所述步骤四中测试孔是PWB的ASIC各引脚。
3、 如权利要求2所述的LCM半成品的抗静电极限耐压测试方法，其特 征在于所述步骤一待测样品准备选取待报废的LCM半成品的待实验样品数量为3-5片，并事先在点灯台 机上确认PWB没有静电类不良；所述步骤二静电模拟放电发生器设定采用静电模拟放电发生器，并设定静电放电模式，对PWB的ASIC引脚 或测试孔选择圆锥形的静电针，作接触放电；取3KV为基准起点放电电压； 选取电压才及性；所述步骤四静电放电实验过程将静电针接触在PWB的每个ASIC引脚上，然后启动静电枪放电开关开 始逐个对ASIC各引脚放电，放电频率为l次/秒。
4、 如权利要求1所述的LCM半成品的抗静电极限耐压测试方法，其特 征在于所述步骤一中待测部位是LCM半成品中的IC;所述步骤二中静电 放电模式设定为空气放电模式；所述步骤四中测试孔是IC带晶元侧的测试 孔。
5、 如权利要求4所述的LCM半成品的抗静电极限耐压测试方法，其特 征在于所述步骤一待测样品准备选取待4艮废的LCM半成品的待实验样品数量为3-5片，并事先在点灯台 机上确认IC没有静电类不良；所述步骤二静电模拟放电发生器设定采用静电模拟放电发生器，并设定静电放电模式，对IC等非金属导体部 位的静电放电选择半圓球形的静电针，作空气放电；取IKV为基准起点放电 电压；选取电压极性；所述步骤四静电放电实验过程先起动静电枪放电开关，并緩慢将静电针从距离IOCM处移近IC表面， 直到接触到IC带晶元侧的测试孔为止，放电频率为l次/秒。
全文摘要
本发明涉及对LCM(液晶显示模组)半成品的极限抗静电能力的测试方法。包括以下步骤步骤一待测样品准备；步骤二静电模拟放电发生器设定；步骤三待测样品接地准备；步骤四起动静电枪放电开关，对测试孔逐个进行测试。步骤五点灯确认，将接地线取下后，测试样品在点灯机台上点灯确认是否有静电击伤现象。若未出现静电不良，则需提高放电电压来验证，重复步骤四，直到出现有ESD(静电击伤)不良现象为止；若出现静电不良，则需降低放电电压来验证。本发明可以提供验证新产品或已投产的LCM半成品的抗静电能力；也可以对比出不同厂商材料的抗静电能力水平。
文档编号G02F1/13GK101285948SQ200810110039
公开日2008年10月15日 申请日期2008年5月30日 优先权日2008年5月30日
发明者张仁永 申请人:福建华映显示科技有限公司