用于显示器的像素的利记博彩app
【专利说明】用于显示器的像素
[0001]分案申请
[0002]本申请是2013年04月03日提交的标题为“用于显示器的像素”、专利申请号为201310116389.1的分案申请。
技术领域
[0003]本公开涉及用于显示器的像素。
【背景技术】
[0004]在包括柔性显示器的显示器中使用的有源矩阵有机发光二极管(AM-OLED)丰富了电视观众的数字内容的体验。通常，与诸如薄膜晶体管液晶(TFT-LCD)显示器的其他显示器相比，AM-OLED显示器更薄、更亮、具有更宽视角以及消耗更低功率。然而，AM-OLED更加昂贵，要求良好的像素均匀性，并且更难制造。
[0005]包括多晶硅TFT和金属氧化物TFT的薄膜晶体管(TFT)是用于AM-OLED TFT显示器的像素电路的良好候选者。然而，用于显示器的TFT基板通常由玻璃或塑料制成，其通常不耐高温(诸如用于结晶处理的600°C )。
[0006]显示器包括布置为行和列的多个像素。现有像素电路包括多个TFT，从而导致较大的像素尺寸、较低的分辨率以及较高的功耗。
【发明内容】
[0007]根据本发明的一个方面，提供了一种增加显示器中的第一像素和第二像素之间的亮度均匀性的方法，包括:确定第一像素的电流值；确定第二像素的电流值；以及调节第一像素的电流值或第二像素的电流值中的至少一个，直到第一像素的电流值和第二像素的电流值之间的电流差值在预定范围内，其中，第一像素的电流值对应于第一像素的发光二级管(LED)的亮度级并且由第一像素的晶体管提供；第二像素的电流值对应于第二像素的LED的亮度级并且由第二像素的晶体管提供。调节第一像素的电流值包括利用第一像素的第一开关和第一像素的第二开关，调节第一像素的晶体管的阈值电压值，第一像素的第一开关与第一像素的晶体管的栅极端电连接，第一像素的第二开关与第一像素的晶体管的源极端电连接，并且第一像素的LED与第一像素的晶体管的源极端电连接。调节第二像素的电流值包括利用第二像素的第一开关和第二像素的第二开关，调节第二像素的晶体管的阈值电压值，第二像素的第一开关与第二像素的晶体管的栅极端电连接，第二像素的第一开关与第二像素的晶体管的栅极端电连接，第二像素的第二开关与第二像素的晶体管的源极端电连接，并且第二像素的LED与第二像素的晶体管的源极端电连接。
[0008]优选地，该方法进一步包括以下条件中的至少一个:第一像素的晶体管具有浮栅，浮栅存储影响第一像素的晶体管的阈值电压值的电荷；或者第二像素的晶体管具有浮栅，浮栅存储影响第二像素的晶体管的阈值电压值的电荷。
[0009]优选地，该方法进一步包括以下条件中的至少一个:调节第一像素的晶体管的阈值电压值包括调节第一像素的晶体管的浮栅中的电荷；或者调节第二像素的晶体管的阈值电压值包括调节第二像素的晶体管的浮栅中的电荷。
[0010]优选地，该方法进一步包括以下条件中的至少一个:调节第一像素的电流值进一步包括:在第一时间段内将第一电压施加至第一像素的晶体管的栅极端，同时将第二电压值施加至第一像素的晶体管的源极端并且将第三电压值施加至第一像素的晶体管的漏极端；或者调节第二像素的电流值进一步包括:在第二时间段内将第四电压施加至第二像素的晶体管的栅极端，同时将第五电压值施加至第二像素的晶体管的源极端并且将第六电压值施加至第二像素的晶体管的漏极端。
[0011]优选地，该方法进一步包括以下条件中的至少一个:通过第一像素的第一开关，将第一电压施加至第一像素的晶体管的栅极端；以及通过第一像素的第二开关，将第二电压施加至第一像素的晶体管的源极端；或者通过第二像素的第一开关，将第三电压施加至第二像素的晶体管的栅极端；以及通过第二像素的第二开关，将第四电压施加至第二像素的晶体管的源极端。
[0012]优选地，该方法进一步包括以下条件中的至少一个:调节第一像素的电流值包括补偿第一像素的LED的劣化；或者调节第二像素的电流值包括补偿第二像素的LED的劣化。
[0013]优选地，该方法进一步包括以下条件中的至少一个:基于通过第一像素的第一开关施加到第一像素的晶体管的栅极端的第一电压，截止第一像素的晶体管；基于流过第一像素的第二开关和第一像素的LED的电流，确定第一像素的第二开关的端子处的第二电压；以及基于通过第二像素的第一开关施加至第二像素的晶体管的栅极端的第三电压，截止第二像素的晶体管；基于流过第二像素的第二开关和第二像素的LED的电流，确定第二像素的第二开关的端子处的第四电压。
[0014]根据本发明的另一方面，提供了一种显示器的像素电路，包括:第一晶体管，具有第一端子、第二端子和第三端子；第一开关；第二开关；以及发光二极管，其中，第一晶体管的阈值电压可调节；第一晶体管的第一端子与第一开关耦合；像素电路被配置成满足以下条件中的至少一个:LED的第一端与第二开关和第一晶体管的第三端子耦合；或者LED的第二端与第二开关和第一晶体管的第二端子耦合。像素电路被配置成满足第一组条件和第二组条件中的至少一个。第一组条件包括:第一晶体管是第一 PMOS晶体管，第一开关包括第二 PMOS晶体管，并且第二开关包括第三PMOS晶体管；第一 PMOS晶体管的栅极与第二 PMOS晶体管耦合；以及第一 PMOS晶体管的源极与LED的第二端和第三PMOS晶体管耦合。第二组条件包括:第一晶体管是第一 NMOS晶体管，第一开关包括第二 NMOS晶体管，并且第二开关包括第三NMOS晶体管；第一 NMOS晶体管的栅极与第二 NMOS晶体管耦合；以及第一 NMOS晶体管的源极与LED的第一端和第三NMOS晶体管耦合。
[0015]优选地，第一晶体管选自由薄膜晶体管、低温多晶硅晶体管、金属氧化物晶体管、氢化非晶硅(a_S1:H)晶体管、微晶硅晶体管和有机晶体管所组成的组。
[0016]优选地，第一晶体管包括:浮栅，被配置成存储影响第一晶体管的阈值电压的电压值的电荷。
[0017]优选地，像素电路进一步包括:稳定电路，与第一晶体管的第一端子耦合并且被配置成稳定第一晶体管的第一端子处的电压。
[0018]优选地，稳定电路包括电容器件；电容器件的第一端与第一晶体管的第一端子親合；以及电容器件的第二端与第一晶体管的第三端子耦合。
[0019]优选地，第二开关被配置为用于从第一晶体管生成并且流过第二开关的电流的电流路径；以及基于电流调节第一晶体管的阈值电压。
[0020]优选地，第二开关被配置为用于流过第二开关和LED的电流的电流路径。
[0021]优选地，LED是有机LED或有源矩阵有机LED。
[0022]根据本发明的又一方面，提供了一种显示器的像素电路，包括:第一晶体管；第一开关；第二开关；以及发光二极管，其中，第一晶体管被配置成提供用于LED的电流；LED的亮度级基于由第一晶体管提供的电流的电流值；第一开关被配置成将信号提供给第一晶体管的浮栅；由第一开关提供的信号用于调节第一晶体管的浮栅中的电荷；第二开关被配置为第一电流路径和/或第二电流路径；第一电流路径被配置用于由第一晶体管提供并且流过第二开关的电流使用；以及第二电流路径被配置用于由流过第二开关和LED的电流使用；像素电路被配置成满足第一组条件和第二组条件中的至少一个。第一组条件包括:第一晶体管是第一 PMOS晶体管，第一开关包括第二 PMOS晶体管，并且第二开关包括第三PMOS晶体管；第一 PMOS晶体管的栅极与第二 PMOS晶体管耦合；以及第一 PMOS晶体管的源极与LED的第二端和第三PMOS晶体管耦合。第二组条件包括:第一晶体管是第一 NMOS晶体管，第一开关包括第二 NMOS晶体管，并且第二开关包括第三NMOS晶体管；第一 NMOS晶体管的栅极与第二 NMOS晶体管耦合；以及第一 NMOS晶体管的源极与LED的第一端和第三NMOS晶体管耦合。
[0023]优选地，该像素电路进一步包括:稳定电路，与第一晶体管的第一端子耦合并且被配置成稳定第一晶体管的第一端子处的电压。
[0024]优选地，稳定电路包括电容器件；电容器件的第一端与第一晶体管的第一端子親合；以及电容器件的第二端与第一晶体管的第二端子耦合。
[0025]优选地，第一晶体管选自由薄膜晶体管、低温多晶硅晶体管、金属氧化物晶体管、氢化非晶硅(a_S1:H)晶体管、微晶硅晶体管和有机晶体管所组成的组。
[0026]优选地，LED是有机LED或者有源矩阵有机LED。
【附图说明】
[0027]本公开的一个或多个实施例的详情在附图和以下说明中阐明。其他特征和优点将从说明书、附图和权利要求变得明显。
[0028]图1是根据一些实施例的像素阵列电路的示意图。
[0029]图2是根据一些实施例的像素电路或像素的示意图。
[0030]图3至图5是根据不同实施例的不同像素的示意图。
[0031]图6是示出根据一些实施例的基于两个像素的电流电压(1-V)关系的两个像素的亮度的曲线图。
[0032]图7是根据一些实施例的增加两个像素的亮度均匀性的方法的流程图。
[0033]多个图中的类似参考符号指示类似元件。
【具体实施方式】
[0034]以下使用特定语言公开图中示出的实施例或实例。然而，将理解，实施例和实例不用于限制。所公开的实施例中的任何更改和修改以及本文中公开的原理的任何进一步应用都认为是对本领域普通技术人员显而易见。
[0035]—些实施例具有以下特征和/或优点中的一个或结合。像素中的薄膜晶体管(TFT)的电流被用于控制相同像素中的相应LED的亮度。晶体管的阈值电压(VTH)可调节。从而，基于阈值电压VTH由晶体管生成的电流可调节。在一些实施例中，两个像素中的两个晶体管的阈值电压VTH的值被调节为相互更接近。有效地，两个像素中的两个晶体管的电流相互更接近。结果，两个像素的亮度相互更接近。换句话说，两个像素的亮度更加均匀，从而像素显示器的亮度更加均匀。与一些现有方法相比，在本公开的多种实施例中，在像素中使用较少数量的晶体管，从而得到用于像素的较小管芯面积和用于显示器的较高分辨率。例如，在一些实施例中，与另一种方法中使用四个晶体管和两个电容器相比，在像素中使用具有电容器的三个晶体管。不使用能量补偿方案，从而获得较低的功耗。
[0036]像素阵列电路
[0037]图1是根据一些实施例的像素阵列电路100的示意图。像素阵列电路100表示显示器，并且包括布置为行和列的多个像素。为了说明，示出四个像素。两个像素在第i行和第i+Ι行中的每一行中，并且两个像素在第j列和第j+Ι列中的每一列中。因此