量子棒发光显示装置制造方法
【专利摘要】量子棒发光显示装置。根据本发明的实施方式的量子棒发光显示装置包括：包括第一基板、与该第一基板相对的第二基板以及置于该第一基板和该第二基板之间的量子棒层的显示面板，其中该量子棒层内的量子棒排列在一个方向上；提供在该显示面板的下面并被配置为向该显示面板提供光的背光单元；以及形成在该显示面板和该背光单元之间并且被配置为透射具有预定波长范围的光的短波通滤波器膜。
【专利说明】量子棒发光显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2012年6月26日在韩国提交的申请号为10-2012-0068586的韩国专利申请的优先权，通过引用将该申请整体地结合于本文中。
【技术领域】
[0003]本发明的实施方式涉及量子棒(quantum rod)发光显示装置，更具体地，涉及通过使用包括量子棒层的显示面板能够最大化光学效率的量子棒发光显示装置。
【背景技术】
[0004]近年来，可以制造成超薄的、轻的且消耗较少功率的高效平板显示器(FPD)已被需求于各个领域。
[0005]其中，液晶显示器(IXD)作为典型的FPD已被广泛使用。
[0006]如图1所示，图1是典型的IXD的示意性截面图，IXDl可以包括:包括第一和第二基板、取向膜、滤色器层和液晶(LC)层的LC面板10 ;包括光源21、反射板22和多个光学膜23的背光单元(BLU) 20 ;以及上偏光器31和下偏光器32。
[0007]也就是说，IXDl可能需要多个光学膜23和偏光器31和32以显示灰度级，并需要滤色器层以提供颜色。
[0008]相应地，当由BLU20的光源21发射的光通过多个光学膜23、滤色器层和偏光器31透射时，损失了大部分光，从而引起了透光率的下降。
[0009]假设由BLU20的光源21发射的光的量是100，通过IXDl透射的光的最终量变为大约5到大约10。因此，IXDl具有非常低的透光效率。因此，有必要增加由BLU20发射的光的亮度。为了增加由BLU20发射的光的亮度，应该增加功耗，并且在制造工艺期间需要大量的部件，因此难以降低制造成本。
[0010]为了解决上述问题，已提出不需要额外的偏光器、滤色器层以及光学膜的有机发光二极管(OLED)。
[0011]OLED是配置为在电子空穴对复合期间发光的元件，电子空穴对是通过向有机发射层(EML)注入电荷而形成的，EML形成在作为电子注入电极的阴极和作为空穴注入电极的阳极之间。
[0012]OLED可以形成在柔性基板(例如塑料基板)上，由于自发光功能，OLED可以具有好的色彩感，OLED可以由大约IOV的较低电压或更低的电压驱动，并且比LCD消耗更少的功率。
[0013]然而，在OLED中，根据每种有机发光材料所发射的光的颜色，形成有机EML的有机发光材料具有迥异的寿命。具体地，蓝色发光材料具有相对短的寿命，比典型的显示装置的寿命更短。
[0014]因此，仍然需要开发具有高光学效率、和IXD—样长的寿命且可以由低功率驱动的 FPD。
【发明内容】
[0015]因此，本发明的实施方式致力于一种基本上解决相关技术的局限和缺点造成的一个或更多个问题的显示装置。
[0016]本发明实施方式的一个目的在于提供一种可以比传统的液晶显示器(IXD)构造更简单、且呈现低功耗和高透光率的显示装置。
[0017]本发明实施方式的另一个目的在于提供一种能够将背光单元(BLU)所发射的光的效率最大化的显示装置。
[0018]本发明另外的特征和优点将在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中清楚，或者可以通过实践本发明而获知。将通过撰写的说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构实现和获得本发明的目的和其它优点。
[0019]为了实现这些目的和其它的优点并根据本发明实施方式的目的，如此处具体表达和概述的，一种量子棒发光显不装置包括:包括第一基板、与该第一基板相对的第二基板以及该第一基板和该第二基板之间的量子棒层的显示面板，其中量子棒层内的量子棒排列在一个方向上；设置在该显示面板的下面且被配置为向该显示面板提供光的背光单元；以及形成在该显示面板和该背光单元之间且被配置为透射具有预定波长范围的光的短波通滤波器膜。
[0020]应该理解，上文对本发明的概述与下文对本发明的详述都是示例性和说明性的，旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]附图被包括进来以提供对本发明的进一步的理解并被并入且构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的示例性实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
[0022]图1是相关技术的液晶显示器(IXD)的示意性截面图；
[0023]图2示出根据本发明实施方式的量子棒；
[0024]图3示出根据本发明实施方式的在电场施加于量子棒之前(电场关闭状态)和之后(电场开启状态)的电子和空穴的状态；
[0025]图4是根据本发明的实施方式的量子棒发光显示装置的截面图；
[0026]图5A和图5B是根据本发明的其它实施方式的量子棒发光显示装置的截面图；
[0027]图5C是根据本发明的另一实施方式的量子棒发光显示装置的截面图；以及
[0028]图6示出根据本发明实施方式的使用光学效率增强膜的量子棒发光显示装置的特性。
【具体实施方式】
[0029]现在将详细描述本发明的实施方式，在附图中例示了其示例。
[0030]首先，将简要描述用于本发明实施方式中的量子棒。
[0031]图2示出根据本发明实施方式的量子棒。
[0032]如图2所示，量子棒156包括形成量子棒156的中心部分的芯157以及围绕芯157的壳体158。
[0033]在本发明的示例性实施方式中，尽管图2中的量子棒156包括芯157以及围绕芯157的壳体158，但可以省略壳体158且量子棒156可以仅包括芯157。
[0034]尽管图2示出量子棒156的芯157具有球形形状，但芯157可以具有球形形状、椭球形形状、多面体形状以及棒形形状中的任何一种。其它的形状也可以用于芯157。当量子棒156仅包括芯157而不包括壳体158时，芯157可以具有椭球形形状或棒形形状。
[0035]当量子棒156包括芯157以及围绕芯157的壳体158时，芯157可以具有球形形状、椭球形形状、多面体形状以及棒形形状中的任何一种。其它的形状也可以用于壳体158。围绕芯157的壳体158可以具有长轴和短轴。量子棒156的短轴方向的截面可以具有圆形、椭圆形以及多面形中的任何一种。其它的形状可以用于壳体158的截面。
[0036]壳体158可以具有单层结构或多层结构，并且由合金、基于氧化物的材料以及掺杂材料中的一种或者它们中的至少两种的混合物形成。
[0037]在此情况下，壳体158的长轴与其短轴的比例可以在1:1.1到1:30的范围内。
[0038]同时，量子棒156的芯157可以由元素周期表中的I1-V1、II1-V、II1-V1、V1-1V或IV族半导体材料、其合金或者其混合物形成。
[0039]也就是说，当量子棒156的芯157由I1-VI族元素形成时，量子棒156的芯157可以由硒化镉(CdSe )、硫化镉(CdS )、碲化镉(CdTe )、氧化锌(ZnO)、硒化锌(ZnSe )、硫化锌(ZnS),碲化锌(ZnTe)、硒化汞(HgSe)、碲化汞(HgTe)以及镉硒化锌(CdZnSe)中的一种或它们中的至少两种的混合物形成。
[0040]此外，当量子棒156的芯157由II1-V族元素形成时，量子棒156的芯157可以由磷化铟(InP)、氮化铟(InN)、氮化镓(GaN)、锑化铟(InSb)、磷砷化铟(InAsP)、铟镓砷化物(InGaAs)、砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、锑化镓(GaSb)、磷化铝(A1P)、氮化铝(A1N)、砷化铝(AlAs)、锑化铝(AlSb)、硒碲化镉(CdSeTe)以及硒化锌镉(ZnCdSe)中的一种或它们中的至少两种的混合物形成。
[0041]此外，当量子棒156的芯157由V1-1V族元素形成时，量子棒156的芯157可以由硒化铅(PbSe )、碲化铅(PbTe )、硫化铅(PbS )、碲锡铅(PbSnTe )以及碲化铊锡(Tl2SnTe5)或者它们中的至少两种的混合物所形成。
[0042]在由上述材料形成的量子棒156中，长轴与短轴的比例在大约1:1.1到1:30的范围。即使量子棒156包括由相同材料形成的芯157,由量子棒156发出的突光的光波长也可以根据芯157的尺寸而变化。也就是说，随着芯157的尺寸(或直径)的减小，发出具有较短波长的荧光，而随着芯157的尺寸(或直径)的增大，发出具有较长波长的荧光。
[0043]因此，根据本发明实施方式的量子棒156可以控制芯157的尺寸(或直径)，并且在可见光范围内提供几乎所有期望颜色的光。
[0044]图3示出根据本发明实施方式的电场施加于量子棒之前(电场关闭状态)和之后(电场开启状态)的电子和空穴的状态。
[0045]在图3示出的本发明的实施方式中，围绕芯157的壳体158具有长轴和短轴。在本发明的实施方式中，芯157本身可以具有长轴和短轴。
[0046]在本例中，在电场施加于壳体158或芯157的长轴方向之前,在芯157内电子与空穴结合。然而，一旦电场施加于壳体158或芯157的长轴方向，在芯157内或在芯157和壳体158之间电子"e "与空穴"h "在空间上分离，从而引起带隙分离。
[0047]这样，可以通过调整由量子棒156所产生的荧光的量来控制电场的强度，从而提供灰度级。因此，由于根据本发明实施方式的量子棒156在理论上具有100%的量子产率，所以量子棒156可以产生高强度的荧光。
[0048]在下文中，将详细描述根据本发明实施方式的量子棒发光显示装置的构造。
[0049]图4是根据本发明的实施方式的量子棒发光显示装置的截面图；
[0050]图5A和图5B是根据本发明的其它实施方式的量子棒发光显示装置的截面图，图5C是根据本发明的另一实施方式的量子棒发光显示装置的截面图。
[0051]首先，图4示出三个相邻的像素区域P，并且为了简洁起见，仅在像素区域P中的一个中示出薄膜晶体管(TFT)Tr。此外，每个像素区域P中包括TFT Tr的区域被定义为开关区域TrA。
[0052]如图4所示，根据本发明实施方式的量子棒发光显示装置101包括:量子棒层(或显示面板)102，该量子棒层102包括分到各个像素区域P中的第一电极150、形成在被配置为显示图像的显示区域的整个表面上的第二电极160、包括位于第一和第二电极150和160之间的量子棒层155的第一基板110和置于第一基板110对面的第二基板170 ；BLU180 ;长波通滤波器(LPF)膜198 ;以及短波通滤波器(SPF)膜197。
[0053]在本例中，SPF膜197和LPF膜198中的每一个可以对应于光增强滤波器(LPF)膜中的一个，即光学效率增强膜中的一个。SPF膜197和LPF膜198中的每一个可以包括使用化学汽相沉积(CVD)工艺由TiO2或SiO2形成的至少一个层。
[0054]具体地，SPF膜197形成在量子棒面板102和BLU180之间。
[0055]SPF膜197透射具有预定波长范围的光，例如由BLU180发射的紫外(UV)光或蓝光。SPF膜197不透射从量子棒层155损失的可见光，但是回收(recycle)该可见光以增加透光率。也就是说，SPF膜197透射具有短波长的光并且反射具有长波长的光。
[0056]此外，LPF膜198形成在包括在量子棒面板102内的第二基板170下面，也就是说，在第二电极160和第二基板170之间。
[0057]LPF膜198透射具有从量子棒层155损失的可见光的光。LPF膜198不透射BLU180发射的UV光，但是回收UV光以增加UV光的效率。也就是说，LPF膜198透射具有长波长的光并且反射具有短波长的光。在本发明的实施方式中，可见光可以是包括白光、红光、绿光和蓝光之一的任何可见光。
[0058]同时，在根据本发明实施方式的量子棒发光显示装置101中，BLU180发射的光被量子棒层155吸收，以使得电子和空穴能够复合以产生荧光。因此，BLU180发射的光被用于在量子棒层155内产生光。在本例中，来自BLU180的光的波长等于或小于来自量子棒层155的荧光的波长。
[0059]如上文所述，当向分别置于量子棒层155下面和上面的第一和第二电极150和160施加电压时，量子棒层155能够产生不同强度的电场。因此，显示装置101通过控制包括在量子棒层155中的多个量子棒内的电子和空穴的复合率来显示灰度级。此外，量子棒层155的量子棒156在各自的像素区域P内形成不同的尺寸以产生红(R)、绿(G)和蓝(B)光。因此，显示装置101可以提供全彩色范围并显示全彩色图像。
[0060]在下文中，将描述包括第一和第二电极150和160以及量子棒层155的第一基板110的构造。
[0061]首先，第一基板110是透明绝缘基板，例如，由透明玻璃材料或柔性塑料基板形成的基板。
[0062]选通线形成在第一基板110上且沿第一方向延伸。选通线由具有低电阻的金属形成，例如，从铝(Al)、Al合金(例如，铝钕(41制))、铜(00、01合金、钥(Mo)、Mo合金(例如，钥钛(MoTi))中选择的一种，或它们中的至少两种材料。此外，栅极108形成在每个像素区域P的开关区域TrA内，且连接至选通线。
[0063]栅绝缘层115形成在包括选通线和栅极108的第一基板110的整个表面上。栅绝缘层115由无机绝缘材料(例如，二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx))形成。
[0064]半导体层120形成在开关区域TrA内、设置在栅绝缘层115上、位于与栅极108相对应的位置。半导体层120包括本征非晶硅的有源层120a以及位于有源层120a上且彼此分离的掺杂非晶硅的欧姆接触层120b。源极133和漏极136在半导体层120上彼此分隔形成，并且分别与欧姆接触层120b接触。
[0065]在本例中，有源层120a在彼此分隔开的源极133和漏极136之间露出。
[0066]这样，在开关区域TrA内顺序堆叠的栅极108、栅绝缘层115、半导体层120以及源极133和漏极136构成TFT Tr。
[0067]数据线130形成在栅绝缘层115上并且与选通线交叉以限定像素区域P。数据线130沿着第二方向延伸并且与TFT Tr的源极133相连接。
[0068]在本例中，尽管依据制造工艺通过示例示出包括第一和第二半导体图案121a和121b的虚设图案121是由在数据线130下面的有源层120a和欧姆接触层120b相同的材料形成的，但在本发明的其它实施方式中，可以省略虚设图案121。
[0069]同时,尽管通过示例示出，TFT Tr是包括具有由非晶娃形成的有源层120a和欧姆接触层120b的半导体层120以及置于最低位置的栅极108的底栅型晶体管，但是在本发明的其它实施方式中，TFT Tr也可以是包括由多晶硅(poly-Si)形成的半导体层的顶栅型晶体管，且具有通过顺序堆叠多晶硅半导体层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层(interlayerinsulating layer)以及彼此分离并与多晶娃半导体层接触的源极和漏极而形成的结构。当包括顶栅型TFT时，在具有栅极的栅绝缘层上提供选通线，并且可以在层间绝缘层上提供数据线。
[0070]具有平坦表面的保护层140形成在数据线130以及源极133和漏极136上。在本例中，漏接触孔143形成在保护层140内以在每个像素区域P内露出TFT Tr的漏极136。
[0071]第一电极150由透明导电材料形成在保护层140上。在每个像素区域P内，每个第一电极150通过漏接触孔143与TFT Tr的漏极136相接触。
[0072]缓冲图案152形成在第一电极150和在第一电极150之间露出的保护层140上以对应于相应像素区域P之间的界面(即，选通线和数据线130)，并且与第一电极150的边缘交叠。
[0073]在由缓冲图案152包围的各个像素区域P内，包括多个量子棒156的量子棒层155形成在第一电极上。在本例中，量子棒层155可以在被配置为发射红、绿和蓝光的相应像素区域P内包括具有不同尺寸的芯(参照图2中的157)的量子棒156a、156b和156c。另选地，量子棒层155可以包括具有相同尺寸的芯(参照图2中的157)的量子棒(参照图2中的 156)。
[0074]在本例中，包括在量子棒层155中的多个量子棒156具有在第一基板110的显不区域的整个表面上、在一个方向上排列的长轴。可以使用各种对准方法使量子棒156在量子棒层155内沿一个方向对准。例如，可以通过使用电压施加方法、使用取向膜的对准方法、使用自对准单体的对准方法、使用电抗性液晶基元(reactive mesogens)的对准方法中的任何一种，使量子棒156在量子棒层155内沿一个方向对准。此外，在一个方向上对准量子棒156并不局限于上述对准方法，也可以使用其它各种对准方法来进行。
[0075]量子棒156的长轴在一个方向上的对准程度(即，对准级别)可以通过测量偏振比得到。在将沿特定方向(例如，在水平或垂直方向)偏振的光朝向量子棒层155照射后，测量已通过分析器的光的量以获得量子棒层155的偏振程度。
[0076]假设由光源发射的光的量是I,则仅具有与虚构参考线(imaginary referenceline)平行的水平分量的光是Ih，并且仅具有与该参考线垂直的垂直分量的光为Iv，该参考线被设置为与量子棒层155平行并且在一个方向上延伸，当没有典型地给出量子棒156的长轴的方向性时，即，当没有执行对准工艺时，可以如下定义偏振比PR:
[0077]PR= (Ih-1v)/(Ih+Iv)
[0078]此外，当量子棒层155的量子棒156在一个方向(B卩，水平方向或垂直方向)上排列时，由于对准工艺，如下定义水平和垂直偏振比PRh和PRv:
[0079]PRh=Ih/ (Ih+Iv)，以及
[0080]PRv=Iv/(Ih+Iv)
[0081]因此，在量子棒层155在一个方向上的多个量子棒156的对准表明水平偏振比PRh或垂直偏振比PRv大于0.5并且小于I。也就是说，满足不等式0.5〈PRh或PRv〈l。
[0082]如上文所述，当在被配置为发射红、绿和蓝光的相应像素区域P内提供具有不同尺寸的芯(参照图2中的157)的量子棒156a、156b和156c时，荧光的波长根据量子棒156a、156b和156c的每个芯(参照图2中的157)的尺寸而变化。也就是说，随着芯(参照图2中的157)的尺寸的减小而产生具有较短波长的荧光，而随着芯157的尺寸的增加，产生具有较长波长的突光。
[0083]在图4中，在红色像素区域P内示出包括具有最大尺寸的芯157的量子棒156a的量子棒层155a，在绿色和蓝色像素区域P内，分别顺序示出分别包括具有比包括在红色像素区域P内的量子棒156a的芯157尺寸小的芯的量子棒156b和156c的量子棒层155b和155c。然而，本发明的实施方式并不局限于图4中所示的本发明的实施方式。
[0084]同时，参照图5A和5B，量子棒层155形成在包括多个像素区域P的显示区域的整个表面上，并且省略了在相应像素区域P之间的每个界面处提供的缓冲图案152。也就是说，尽管图4通过示例示出量子棒层155被分到相应的像素区域P中，但是本发明的实施方式可以修改成本发明的各种其它实施方式。
[0085]形成第二基板170以对应于第一基板110。如同第一基板110,第二基板170可以是由玻璃材料或具有柔性的塑料材料形成的透明绝缘基板。另选地，第二基板170可以是由聚合物形成的片(sheet)或膜。
[0086]黑底(black matrix)173形成在第二基板170的内侧表面以对应于像素区域P和开关区域TrA (其中形成有TFT)之间的界面。在本发明的另一实施方式(参照图5A和图5B)(其中，量子棒层155形成在显示区域的整个表面上)中，应形成黑底173以减少或防止漏光以及各个像素之间的颜色混合。然而，在本发明的另一实施方式(参照图4和图5C)(其中，量子棒层155被分到相应的像素区域P中)中，可以省略黑底173。
[0087]黑底可以形成在第一基板110和SPF膜197之间以减少或防止各个像素之间的颜色混合。
[0088]如图5C中所示，具有相同尺寸的芯(参照图2中的157)的量子棒(参照图2中的156)形成在量子棒层155内的相应像素区域P内。并且，为提供全色范围，滤色器层175中的红、绿和蓝滤色器图案175a、175b和175c顺序且重复形成在三个相邻的像素区域P内，以对应于由黑底173包围的区域。尽管图4示出黑底173仅提供于第二基板170的内侧表面上，但本发明的实施方式可以修改成本发明的各种其它实施方式。并且，尽管示出了滤色器层175具有红、绿和蓝滤色器图案175a、175b和175c，但在本发明的实施方式中，可以省略红、绿和蓝滤色器图案175a、175b和175c中的一个或更多个。例如，当BLU180发射蓝光时，可以省略蓝色滤色器图案175c。
[0089]可以在黑底173和滤色器层175之上的第二基板170的整个表面提供保护层。在一个实施方式(参照图4)(其中，在第一基板110上提供的量子棒层155在被配置为发射红、绿和蓝光的相应像素区域P内包括具有不同尺寸的芯(参照图2中的157)的量子棒156a、156b和156c)中，还可以进一步在第二基板170上提供包括置于相应像素区域P内的红、绿和蓝滤色器图案的滤色器层，以得到宽的色彩再现范围。
[0090]同时，被配置为向量子棒层155供应光的BLU180形成在量子棒面板102下面，即在第一基板110的外侧表面上。BLU180包括光源182、反射板185以及安装在反射板185上的导光板(LGP) 187。
[0091]在本发明的实施方式中，光源182产生具有小于大约450nm的短波长范围的光，例如，蓝色可见光或UV光。也就是说，光源182可以包括从荧光灯或发光二极管(LED)中选择的一种，荧光灯包括冷阴极荧光灯(CCFL)和外置电极荧光灯(EEFL)。尽管本发明的实施方式被例示为光源182包括LED，但本发明的实施方式并不局限于此。
[0092]光源182置于LGP187的与LGP187的光入射部分相对(或面对)的一侧。LGP187将从光源187入射的光在内部完全反射多次，以使光传播并在LGP187的表面上均匀扩散。LGP187向量子棒面板102提供表面光源。在本例中，可以将具有特定形状的图案置于LGP187的后表面以向量子棒面板102提供均匀的表面光源。在本例中，可以用椭圆形图案、多边形图案或全息图案不同地配置具有特定形状的图案，以引导入射光进入LGP187。也可以使用其它图案。可以使用印刷技术或注入技术使图案形成在LGP187的底面上。
[0093]反射板185置于LGP187的后表面上，并且向量子棒面板102反射通过LGP后表面透射的光以提高亮度。
[0094]尽管本发明的实施方式示出BLU180是在LGP187的侧面提供光源的侧光式BLU，且LGP187允许表面光入射到量子棒面板102，但是BLU180可以是直下式BLU。
[0095]在直下式BLU中，作为光源的多个荧光灯以规则的间隔置于反射板上方，或提供置有多个LED的LED驱动器基板。并且，在荧光灯或LED驱动器基板上方提供有扩散板而不是 LGP187。
[0096]在下文中，将描述包括SPF膜197或LPF膜198的LEF膜的特性，这是本发明实施方式中的最特有的构造之一。
[0097]图6示出根据本发明实施方式的使用光学效率增强膜的量子棒发光显示装置的特性。
[0098]参照图6，确认根据比较示例的无膜量子棒发光显示装置与根据本发明的实施方式的使用SPF膜、LPF膜或二者的量子棒发光显示装置的效果的差别。
[0099]当使用约450nm或更小的波长的光时，亮度和透光率的比较结果如下。
[0100]当在量子棒发光显示装置下面提供SPF膜时，量子棒发光显示装置展现的亮度和透光率比根据比较示例的无膜量子棒发光显示装置的亮度和透光率高大约2.1倍。当在量子棒发光显示装置上面提供LPF膜时，量子棒发光显示装置展现的亮度和透光率比根据比较示例的无膜量子棒发光显示装置的亮度和透光率高大约2倍。
[0101]此外，当在量子棒发光显示装置上面和下面同时分别形成SPF膜和LPF膜时，量子棒发光显示装置展现的亮度和透光率比该比较示例的无膜量子棒发光显示装置的亮度和透光率高大约4倍。
[0102]因此，根据本发明实施方式的量子棒发光显示装置包括光学效率增强膜，并且根据比较示例，能够最大化由BLU发射的光的效率。
[0103]根据本发明的实施方式，量子棒发光显示装置能够具有更简单的构造，消耗更少的功率，并且展现出比需要额外滤色器层的LCD更高的亮度和透光率。
[0104]此外，尽管提供具有仅尺寸不同的芯的量子棒以显示红、绿和蓝色，但是与采用具有不同物理性质的材料以显示红、绿和蓝光的有机发光二极管(OLED)相比，根据本发明的实施方式的量子棒发光显示装置在材料当中没有显著的差异。并且，由于与使用自发光材料时相比，显示装置在较长的持续时间内维持荧光，所以量子棒发光显示装置具有长寿命。
[0105]根据本发明的实施方式，量子棒发光显示装置包括光学效率增强膜，并且能够将BLU发射的光的效率最大化。
[0106]对于本领域的技术人员而言将是显而易见的是，在不偏离本发明的精神和范围的前提下可以对本发明进行各种修改和变化。因此，本发明的实施方式旨在涵盖在所附权利要求及其等同物的范围内的本发明的这些修改和变化。
【权利要求】
1.一种量子棒发光显示装置，该量子棒发光显示装置包括: 显示面板，该显示面板包括第一基板、与所述第一基板相对的第二基板以及置于所述第一基板和所述第二基板之间的量子棒层，其中所述量子棒层内的量子棒排列在一个方向上； 背光单元，该背光单元提供在所述显示面板的下面，并被配置为向所述显示面板提供光；以及 短波通滤波器膜，该短波通滤波器膜形成在所述显示面板和所述背光单元之间，并被配置为透射具有预定波长范围的光。
2.根据权利要求1所述的量子棒发光显示装置，所述量子棒发光显示装置还包括长波通滤波器膜，该长波通滤波器膜设置在所述显示面板和所述第二基板之间。
3.根据权利要求2所述的量子棒发光显示装置，其中，所述长波通滤波器膜反射所述具有预定波长范围的光。
4.根据权利要求3所述的量子棒发光显示装置，其中，所述量子棒层接收来自所述背光单兀的光并输出可见光，并且 其中，所述长波通滤波器膜反射来自所述背光单元的所述光，并且透射来自所述量子棒层的所述可见光。
5.根据权利要求4所述的量子棒发光显示装置，其中，所述可见光是白光、红光、绿光以及蓝光中的一种。
6.根据权利要求1所述的量子 棒发光显示装置，其中，所述量子棒层接收来自所述背光单兀的光并且输出可见光，并且 其中，所述短波通滤波器膜反射来自所述量子棒层的所述可见光。
7.根据权利要求6所述的量子棒发光显示装置，其中，所述可见光是白光、红光、绿光以及蓝光中的一种。
8.根据权利要求1所述的量子棒发光显示装置，其中，来自所述背光单元的光是紫外UV光和蓝光中的一种。
9.根据权利要求1所述的量子棒发光显示装置，所述量子棒发光显示装置还包括多个像素区域，所述多个像素区域形成在所述第一基板上，每个像素区域具有薄膜晶体管TFT，其中所述量子棒层的多个部分分别局部地形成在所述多个像素区域上方。
10.根据权利要求1所述的量子棒发光显示装置，其中，每个量子棒包括芯，或芯和壳体。
11.根据权利要求1所述的量子棒发光显示装置，所述量子棒发光显示装置还包括: 多个第一电极，该多个第一电极局部地形成在所述第一基板上； 缓冲图案，该缓冲图案局部地形成在相邻的第一电极之间；以及 第二电极，该第二电极形成在所述多个第一电极上以及所述缓冲图案上， 其中，所述量子棒层局部地置于所述多个第一电极和所述第二电极之间。
12.根据权利要求1所述的量子棒发光显示装置，所述量子棒发光显示装置还包括: 图案层，所述图案层形成在所述第一基板上；以及 多个电极，所述多个电极局部地形成在所述图案层上，并露出所述图案层的多个部分， 其中，所述量子棒层置于所述多个电极上和所述图案层的露出部分上。
13.根据权利要求1所述的量子棒发光显示装置，所述量子棒发光显示装置还包括黑底，该黑底构图在所述第二基板上。
14.根据权利要求13所述的量子棒发光显示装置，所述量子棒发光显示装置还包括滤色器层，该滤色器层形成在所述第二基板上，并且包括红、绿和蓝滤色器图案。
15.根据权利要求1所述的量子棒发光显示装置，其中，所述量子棒层接收来自所述背光单元的光，并且根据量子棒的不同尺寸输出不同颜色的可见光。
16.根据权利要求1所述的量子棒发光显示装置，其中，所述第二基板由塑料材料、聚合物和玻璃中的一种形成。`
【文档编号】G09F9/33GK103514813SQ201210506089
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2012年11月30日 优先权日:2012年6月26日
【发明者】田日, 金京粲, 朴重笔, 池文培, 赵晟希, 张庆国, 郑京锡 申请人:乐金显示有限公司