专利名称：：脱模膜、脱模性缓冲材料及印刷基板的制造方法
技术领域：
：本发明涉及设于由硅橡胶形成的热压用缓冲材料的表面的脱模膜、在表面设有该脱模膜的热压用脱模性缓冲材料、采用该脱模膜的印刷基板的制造方法。
背景技术：
：柔性印刷基板通过例如以下的方法制成将在聚酰亚胺基材上形成有由铜箔构成的电路的柔性印刷基板主体以一面涂布有粘接剂的覆盖膜夹住而形成层叠物，将该层叠物以加压板夹住进行热压，从而将覆盖膜压接于柔性印刷基板主体。热压时，为了吸收柔性印刷基板的主体的电路和加强基材的凹凸并无间隙地层叠柔性印刷基板主体和覆盖膜，在层叠物和加压板之间介以由硅橡胶形成的缓冲材料。此外，为了防止覆盖膜的粘接剂附着于缓冲材料，在缓冲材料和覆盖膜之间配置脱模膜。但是，该脱模膜由于不粘接于缓冲材料，必须每一次热压都进行重置或更换。因此，柔性印刷基板的生产性不足，成本也升高。另一方面，如果用粘接剂等使脱模膜粘接于缓冲材料，则更换转印有柔性印刷基板主体的凹凸的脱模膜时，脱模膜由于反复进行的热压而牢固地粘接于缓冲材料，因此无法容易地从缓冲材料剥离脱模膜。于是，提出了对缓冲材料的表面赋予脱模性而得的脱模性缓冲材料(专利文献l、2)。但是，该脱模性缓冲材料由于反复进行热压，柔性印刷基板主体的凹凸被转印于脱模性缓冲材料，因此脱模性缓冲材料自身必须频繁地更换。因此，柔性印刷基板的生产性不足，成本也升高。专利文献l:日本专利特开2000-052369号公报专利文献2:日本专利特开2002-144484号公报发明的揭示本发明的目的在于提供不需要每一次热压都进行重置或更换且更换容易的脱模膜、可以抑制缓冲材料主体的更换频率的脱模性缓冲材料、可以生产性好且低成本地制造印刷基板的印刷基板的制造方法。本发明的脱模膜是设于由硅橡胶形成的缓冲材料的表面的脱模膜，其特征在于，在由含氟树脂形成的基材的一面具有含Si的层。上述含Si的层较好是通过溅射法形成的Si和Sn的氧化物的层，或者通过真空蒸镀法形成的SiO,层(其中，x为l2)。本发明的脱模性缓冲材料的特征在于，在由硅橡胶形成的缓冲材料的表面以含Si的层位于缓冲材料侧的方式设有本发明的脱模膜。本发明的印刷基板的制造方法是将印刷基板主体和覆盖膜的层叠物以加压板夹住进行热压时，在层叠物和加压板之间介以由硅橡胶形成的缓冲材料的印刷基板的制造方法，其特征在于，在至少一方的缓冲材料的覆盖膜侧的表面以含Si的层位于缓冲材料侧的方式配置有本发明的脱模膜。本发明的脱模膜不需要每一次热压都进行重置或更换，且更换容易。如果采用本发明的脱模性缓冲材料，则可以抑制缓冲材料主体的更换频率。如果采用本发明的印刷基板的制造方法，则可以生产性好且低成本地制造印刷基板。附图的简单说明图l为表示本发明的脱模膜的一例的截面简图。图2为表示本发明的脱模性缓冲材料的一例的截面简图。图3为表示本发明的印刷基板的制造方法的一例的截面简图。图4为表示本发明的印刷基板的制造方法的另一例的截面简图。图5为表示本发明的印刷基板的制造方法的另一例的截面简图。符号的说明IO:脱模膜，12:基材，14:含Si的层，20:脱模性缓冲材料，22:铝板，24:缓冲材料，30:柔性印刷基板主体(印刷基板主体)，32:聚酰亚胺基材，34:电路，40:覆盖膜，42:粘接剂层，50:压机，52:加压板，56:玻璃纤维强化PTFE膜。实施发明的最佳方式<脱模膜〉本发明的脱模膜是设于由硅橡胶形成的热压用缓冲材料的表面的脱模膜。图l为表示本发明的脱模膜的一例的截面简图。脱模膜10是在由含氟树脂形成的基材12的一面具有含Si的层的膜。基材12是由含氟树脂形成的膜，是对印刷基板的覆盖膜的粘接剂发挥脱模性的膜。上述含氟树脂是指在树脂的分子结构式中含氟的热塑性树脂。作为上述含氟树脂，可以例举例如四氟乙烯类树脂、氯三氟乙烯类树脂、偏氟乙烯类树脂、氟乙烯类树脂、这些树脂的复合物等，从脱模性的角度来看，较好是四氟乙烯类树脂。作为四氟乙烯类树脂，可以例举聚四氟乙烯(PTFE)、四氟乙烯-全氟(烷基乙烯基醚)共聚物(PFA)、四氟乙烯-六氟丙烯-全氟(烷基乙烯基醚)共聚物(EPE)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)、四氟乙烯-乙烯共聚物(ETFE)等，从成形性的角度来看，较好是PFA、ETFE、FEP、EPE，从机械强度良好的角度来看，较好是ETFE。ETFE是以乙烯和四氟乙烯为主体的化合物，可以根据需要使少量的共聚单体共聚。作为共聚单体成分，可以例举以下的化合物CF2=CFC1、CF^CH2等含氟乙烯类，CF2=CFCF3、CF^CHCF3等含氟丙烯类，CH2=CHC2F5、CH2=CHC4F9、CH2=CFC4F9、CH2=CF(CF2)3H等氟代烷基的碳数为210的含氟烷基乙烯类，CF^CF0(CF2CFX0)Jf(其中，Rf表示碳数l6的全氟烷基，X表示氟原子或三氟甲基，m表示l5的整数)等全氟(烷基乙烯基醚)类，CF2=CF0CF2CF2CF2C00CH3、CF2=CF0CF2CF(CF3)0CF2CF2S02F等具有可容易地转化为羧基或磺酸基的基团的乙烯基醚类。ETFE中的基于乙烯的重复单元/基于四氟乙烯的重复单元的摩尔比较好是40/6070/30，特别好是40/6060/40。此外，ETFE包含基于共聚单体的重复单元的情况下，其含量相对于所有基于单体的重复单元(ioo摩尔%)较好是O.310摩尔％，特别好是O.35摩尔％。作为氯三氟乙烯类树脂，可以例举例如聚氯三氟乙烯(PCTFE)、乙烯-氯三氟乙烯共聚物(ECTFE)等。在不损害脱模性的范围内，基材12可以根据需要包含除含氟树脂以外的热塑性树脂、公知的添加剂等。基材12的厚度较好是5300um，特别好是25100"m。含Si的层14是对于由硅橡胶形成的缓冲材料具有高亲合性的层。作为含Si的层14，可以例举例如含Si的金属的氧化物的层。作为氧化物，可以例举Si(X(其中，x为l2)、Si和Sn的氧化物、Si和Zr的氧化物、Si和Ti的氧化物、Si和Ta的氧化物、Si和Nb的氧化物、Si和Zn的氧化物、Si和Sn及Ti的氧化物等。作为氧化物的层，从与缓冲材料的粘接性的角度来看，较好是以SiO,(其中，x为l2)为主要成分的层(以下记作SiOx层)或以Si和Sn的氧化物为主要成分的层(以下记作STO层)。作为形成STO层的Si和Sn的氧化物，较好是Si02和Sn02的混合物。此外，STO层也较好是包含Zr、Ti、Ta、Nb、Zn等的金属氧化物。从与缓冲材料的粘接性的角度来看，SiOJg中的Si的含有比例相对于所含的所有元素(100原子％)较好是33.350原子％，特别好是33.340原子％。从与缓冲材料的粘接性的角度来看，STO层中的Si的含有比例相对于所含的所有元素(100原子％)较好是在3.3原子％以上，特别好是在10原子％以上；从成膜性的角度来看，较好是在30原子％以下，特别好是在23.3原子％以下。此外，STO层中的Si和Sn的含有比例以原子比计较好是Si:Sn为1:99:1，更好是3:77:3。从与缓冲材料的粘接性的角度来看，含Si的层14的厚度较好是在lnm以上，特别好是在3nm以上；从成膜性的角度来看，较好是在100nm以下，特别好是在60nm以下。作为含Si的层14的形成方法，较好是干式法。作为干式法、可以例举真空蒸镀法、溅射法、CVD法、离子电镀法等，较好是真空蒸镀法、溅射法等，特别好是溅射法。溅射法的生产性良好，在工业上被广泛使用的同时，通过该方法能够以均匀的膜厚获得非常致密且与基材12的密合性高的含Si的层14。作为溅射法，可以例举直流溅射法、高频溅射法等，从可以在大面积的基材上以高成膜速度高效地成膜的角度来看，较好是直流溅射法。作为SiOx层的形成方法，可以例举(i)使用Si/Si02作为蒸发材料的真空蒸镀法、(ii)使用Si靶材的含氧气氛中的高频溅射法(反应性溅射法)、(iii)使用SiOjE材的无氧气氛中的高频溅射法等，从成膜性的角度来看，较好是(i)真空蒸镀法。作为STO层的形成方法，可以例举使用Si和Sn的混合物靶材的含氧气氛中的反应性溅射法。使用Si和Sn的混合物靶材的情况下，与Si靶材不同，根据靶材的导电性的提高等理由，可以采用直流溅射法，能够提高成膜速度。Si和Sn的混合物耙材可以是混合物状态的耙材，也可以是合金的状态。Si和Sn的混合物靶材可以将Si和Sn的混合物通过CIP法(冷等静压法)或温热压制法(在小于且接近Sn的熔点的温度下进行模具成形压制的方法)成形而得。以上说明的脱模膜10中，由于在由含氟树脂形成的基材12的一面具有对于由硅橡胶形成的缓冲材料的亲合性高的含Si的层14，因此通过最初的热压，脱模膜10介以含Si的层14粘接于缓冲材料。其结果是，不需要每一次热压都进行重置或更换。此外，脱模膜10的含Si的层14并不是通过粘接剂等粘接于缓冲材料，因此可以容易地将脱模膜10从缓冲材料剥离。其结果是，柔性印刷基板主体的凹凸转印于脱模膜10而需要更换脱模膜10时，可以容易地更换脱模膜10。〈脱模性缓冲材料〉本发明的脱模性缓冲材料是在由硅橡胶形成的缓冲材料的表面以含Si的层位于优选的缓冲材料侧的方式设有本发明的脱模膜的热压用的缓冲材料。图2为表示本发明的脱模性缓冲材料的一例的截面简图。脱模性缓冲材料20是在背面衬有铝板22的缓冲材料24的表面以含Si的层14位于缓冲材料24侧的方式设有脱模膜10的缓冲材料。作为硅橡胶，可以优选例举聚二甲基硅氧垸、其衍生物等。在不损害缓冲材料24的功能的范围内，缓冲材料24可以根据需要含有公知的添加剂等。脱模膜10和缓冲材料24的粘接中，由于脱模膜10具有对于由硅橡胶形成的缓冲材料24的亲合性高的含Si的层14，因此不使用粘接剂等，仅将脱模膜10和缓冲材料24粘合即可。脱模膜10和缓冲材料24的粘接可以在热压前预先进行，也可以在最初的热压时进行。以上说明的脱模性缓冲材料20中，由于可以容易地将脱模膜10从缓冲材料24剥离，因此柔性印刷基板主体的凹凸转印于脱模膜10时，仅更换脱模膜10即可。因而，可以抑制缓冲材料24的更换频率。〈印刷基板的制造方法〉本发明的印刷基板的制造方法是将印刷基板主体和覆盖膜的层叠物以加压板夹住进行热压时，在层叠物和加压板之间介以由硅橡胶形成的缓冲材料的印刷基板的制造方法，其中，在至少一方的缓冲材料的覆盖膜侧的表面以含Si的层位于缓冲材料侧的方式配置有本发明的脱模膜。作为印刷基板，可以例举柔性印刷基板、多层印刷基板、印刷电路板等。以下，参照本发明的印刷基板的制造方法的一例。图3为表示将两面形成有电路的柔性印刷基板主体的两面以覆盖膜被覆的柔性印刷基板的制造方法的例子的截面简图。首先，将在聚酰亚胺基材32的两面形成有由铜箔构成的电路34的柔性印刷基板主体30用一面形成有粘接剂层42的覆盖膜40夹住而制成层叠物。接着，将脱模膜10配置在加压板52、52间设有背面衬有铝板22的缓冲材料24、24的压机50的缓冲材料24、24间。这时，分别以脱模膜10的含Si的层14位于缓冲材料24侧的方式配置。接着，在没有层叠物的状态下直接热压，进行脱模膜10和缓冲材料24的粘接。接着，将所述层叠物配置于与缓冲材料24、24粘接的脱模膜10、IO间，进行热压而将覆盖膜40压接于柔性印刷基板主体30，获得柔性印刷基板。图4为表示作为将两面形成有电路的柔性印刷基板主体的两面以覆盖膜被覆的柔性印刷基板的制造方法，仅在柔性印刷基板的一面使用脱模膜的例子的截面简图。首先，将在聚酰亚胺基材32的两面形成有由铜箔构成的电路34的柔性印刷基板主体30用一面形成有粘接剂层42的覆盖膜40夹住而制成层叠物。接着，将该层叠物配置在加压板52、52间设有背面衬有铝板22的缓冲材料24、24的压机50的缓冲材料24、24间，进行热压而将覆盖膜40压接于柔性印刷基板主体30，获得柔性印刷基板。热压时，在上侧的缓冲材料24和层叠物的覆盖膜40之间，以含Si的层14位于缓冲材料24侧的方式配置脱模膜10。此外，在下侧的缓冲材料24和层叠物的覆盖膜40之间，配置玻璃纤维强化PTFE膜56。图5为表示将一面形成有电路的柔性印刷基板主体的一面以覆盖膜被覆的柔性印刷基板的制造方法的例子的截面简图。首先，在聚酰亚胺基材32的两面形成有由铜箔构成的电路34的柔性印刷基板主体30上覆盖形成有粘接剂层42的覆盖膜40，覆盖电路34，制成层叠物。接着，将该层叠物配置在加压板52、52间设有背面衬有铝板22的缓冲材料24、24的压机50的缓冲材料24、24间，进行热压而将覆盖膜40压接于柔性印刷基板主体30，获得柔性印刷基板。热压时，在上侧的缓冲材料24和层叠物的覆盖膜40之间，以含Si的层14位于缓冲材料24侧的方式配置脱模膜10。此外，在下侧的缓冲材料24和层叠物之间，配置玻璃纤维强化PTFE膜56。作为覆盖膜40，可以例举聚酰亚胺膜、聚酯膜等。作为粘接剂层，可以例举环氧树脂。以上说明的本发明的印刷基板的制造方法中，由于在由硅橡胶形成的缓冲材料24的覆盖膜40侧的表面以含Si的层14位于缓冲材料24侧的方式配置有本发明的脱模膜IO，因此通过最初的热压，脱模膜10介以含Si的层14粘接于缓冲材料24。结果是，不需要每一次热压都重置或更换脱模膜IO，可以生产性好且低成本地制造柔性印刷基板主体30。此外，脱模膜10的含Si的层14并不是通过粘接剂等粘接于缓冲材料24，因此可以容易地将脱模膜10从缓冲材料24剥离。结果是，柔性印刷基板主体30的凹凸转印于脱模膜10而需要更换脱模膜10时，可以容易地更换脱模膜IO，可以生产性好且低成本地制造柔性印刷基板主体30。实施例以下，例举实施例对本发明进行具体说明，但本发明并不局限于这些例子。例l、2是实施例，例3是比较例。[例l]对厚100um的ETFE膜(旭硝子株式会社(旭硝子社)制，商品名FluonETFE)的一面以40W分钟/V的放电量进行电晕放电处理。通过使用电子束加热作为蒸发材料的Si和Si02的混合物，在ETFE膜的电晕放电处理面形成基于真空蒸镀法的40nm的Si02膜，得到脱模膜(l)。将聚酰亚胺基材的两面形成有由铜箔构成的电路的柔性印刷基板主体以作为一面涂布有15pm的热敏环氧粘接剂的12.5ura的聚酰亚胺基材的覆盖膜夹住，制成层叠物。接着，在该层叠物的两面，在以含Si的层位于缓冲材料侧的方式配置脱模膜(l)的状态下，使用图3所示的压机50,以压制温度18(TC、压制压力4MPa、压制时间3分钟的条件进行热压。反复进行该热压，通过肉眼观察评价进行热压160次后和进行180次后的脱模膜(l)和缓冲材料的粘接性、脱模膜(l)的凹凸状态。此外，评价进行热压160次后和进行180次后的脱模膜(1)自缓冲材料的剥离性。结果示于表l。粘接性较好是整面粘接。此外，剥离性较好是可用手剥离。[例2]对厚100um的ETFE膜(旭硝子株式会社(旭硝子社)制，商品名FluonETFE)的一面以与例1同样的条件实施电晕放电处理。在ETFE膜的电晕放电处理面通过使用DC磁控管方式巻绕镀膜机的直流溅射法形成5nm的ST0膜，得到脱模膜(2)。成膜在氩气75体积％和氧气25体积％的混合气体气氛下，使用Si-Sn合金靶材(组成Si50原子X、Sn50原子X)作为靶材，以4kW/m的功率密度的条件进行。除了使用脱模膜(2)代替脱模膜(1)以外，与例l同样地进行热压，进行评价。结果示于表l。[例3]对厚100um的ETFE膜(旭硝子株式会社(旭硝子社)制，商品名FluonETFE)的一面以与例1同样的条件实施电晕放电处理。除了使用该ETFE膜代替脱模膜(l)，以电晕放电处理面位于缓冲材料侧的方式在层叠物的两面配置ETFE膜以外，与例l同样地进行热压。ETFE膜未粘接于缓冲材料，最初的热压后，ETFE膜立即整面从缓冲材料剥离。<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>产业上利用的可能性本发明的脱模膜可用作将覆盖膜压接于印刷基板主体来制造印刷基板时所用的脱模膜。另外，在这里引用2006年4月5日提出申请的日本专利申请2006-104018号的说明书、权利要求书、附图和摘要的所有内容作为本发明说明书的揭示。权利要求1.脱模膜，它是设于由硅橡胶形成的缓冲材料的表面的脱模膜，其特征在于，在由含氟树脂形成的基材的一面具有含Si的层。2.如权利要求l所述的脱模膜，其特征在于，含Si的层是通过溅射法形成的Si和Sn的氧化物的层。3.如权利要求l所述的脱模膜，其特征在于，含Si的层是通过真空蒸镀法形成的Si(X层；其中，x为l2。4.如权利要求2所述的脱模膜，其特征在于，相对于Si和Sn的氧化物的层中所含的所有元素(100原子％)，Si的含有比例为3.330原子X。5.如权利要求3所述的脱模膜，其特征在于，相对于SiOx层中所含的所有元素(100原子％)，Si的含有比例为33.350原子％。6.如权利要求15中的任一项所述的脱模膜，其特征在于，含Si的层的厚度为l100nm。7.如权利要求16中的任一项所述的脱模膜，其特征在于，含氟树脂为四氟乙烯类树脂。8.如权利要求16中的任一项所述的脱模膜，其特征在于，含氟树脂为四氟乙烯-乙烯共聚物。9.脱模性缓冲材料，其特征在于，在由硅橡胶形成的缓冲材料的表面以含Si的层位于缓冲材料侧的方式设有权利要求l8中的任一项所述的脱模膜。10.印刷基板的制造方法，它是将印刷基板主体和覆盖膜的层叠物以加压板夹住进行热压时，在层叠物和所述2块加压板之间介以由硅橡胶形成的缓冲材料的印刷基板的制造方法，其特征在于，在至少一方的缓冲材料的覆盖膜侧的表面以含Si的层位于缓冲材料侧的方式配置有权利要求18中的任一项所述的脱模膜。全文摘要本发明提供热压时不需要频繁地更换且更换容易的脱模膜、可以抑制缓冲材料主体的更换频率的脱模性缓冲材料以及可以生产性好且低成本地制造印刷基板的印刷基板的制造方法。作为设于由硅橡胶形成的缓冲材料的表面的脱模膜10，在由含氟树脂形成的基材12的一面具有含Si的层14的脱模膜10；在由硅橡胶形成的缓冲材料的表面以含Si的层位于缓冲材料侧的方式设有脱模膜的脱模性缓冲材料；将印刷基板主体和覆盖膜的层叠物以加压板夹住进行热压时，在缓冲材料的覆盖膜侧的表面以含Si的层位于缓冲材料侧的方式配置有脱模膜的印刷基板的制造方法。文档编号B32B9/00GK101415546SQ2007800120公开日2009年4月22日申请日期2007年3月28日优先权日2006年4月5日发明者奥屋珠生,山内优,有贺广志申请人:旭硝子株式会社