一种多晶硅片的切片作业工艺的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及多晶硅生产技术领域，特别是多晶硅的切片工艺技术领域。
【背景技术】
[0002]在将多晶硅棒分切成片状多晶硅片时大多采用钢丝线进行切割，当多晶硅棒在切割至粘胶面时基本硅片形状已经加工完成后，在最后收钢丝线弓时由于钢丝线在高速运动过程中与胶摩擦产生高温导致多晶硅片向多晶硅棒的前后两端扩张形成一个扇形的形状，这种形状的改变会导致多晶硅片崩边现象增加，直接影响硅棒的成品率。
[0003]为了避免这种情况的发生，本发明采用以下方式解决。
【发明内容】
[0004]本发明目的在于提出一方便操作、降低崩边、提高硅棒的成品率的多晶硅的切片方法。
[0005]本发明提供了一种多晶硅片的切片作业工艺，其具体工艺步骤如下所示:
[0006](1)、打开电源启动线切割机；
[0007](2)、检查线网是否有跳线，检查导线轮是否损伤，确认放收线轮上的钢线余量够切，检查砂浆供给、喷嘴、工件装置；
[0008](3)、横移架的位置是否校正；
[0009](4)、将多晶硅锭固定于截断设备上，截除多晶硅锭顶部的杂质层；
[0010](5)、从硅锭上截除出硅锭的顶部低少子寿命部分和底部低少子寿命部分；
[0011]￠)、将硅锭固定于开方机台，对硅锭进行开方，并截除硅锭四周的杂质层；
[0012](7)、开方得到的硅块，经过清洗检测后便是可用于切片的成品硅棒；
[0013](8)、准备完毕后看是否还有报警信息存在；
[0014](9)、进入主画面，检查一遍。
[0015]进一步:在切割过程中观察机器运行状况，线张力控制在21N左右，平均进给为0.32mm/min0
[0016]又进一步:在切割过程中控制平均线速范围540m/min，砂楽流量75L/min，砂楽温度控制在25°C，砂浆每2刀一循环(约230KN)，主辊每35/40刀更换一次(约140/160小时)。
[0017]又进一步:步骤(4)和(5)中，利用带锯截断，在截除完顶部杂质层之后，分别截除顶部低少子寿命部分和底部低少子寿命部分。
[0018]再进一步:步骤(4)和(5)中，利用线截断，截除完顶部杂质层的同时截除顶部低少子寿命部分和底部低少子寿命部分。
[0019]采用本方法切片，避免了很多不必要的操作，杜绝了这些操作有可能在切割过程中对硅棒造成的负面影响，减少了操作工的操作步骤，有效地提高了切片工作效率。
【具体实施方式】
[0020]本发明提供了一种多晶硅片的切片作业工艺，其具体工艺步骤如下所示:
[0021](1)、打开电源启动线切割机；
[0022](2)、检查线网是否有跳线，检查导线轮是否损伤，确认放收线轮上的钢线余量够切，检查砂浆供给、喷嘴、工件装置；
[0023](3)、横移架的位置是否校正；
[0024](4)、将多晶硅锭固定于截断设备上，截除多晶硅锭顶部的杂质层；
[0025](5)、从硅锭上截除出硅锭的顶部低少子寿命部分和底部低少子寿命部分；
[0026](6)、将硅锭固定于开方机台，对硅锭进行开方，并截除硅锭四周的杂质层；
[0027](7)、开方得到的硅块，经过清洗检测后便是可用于切片的成品硅棒；
[0028](8)、准备完毕后看是否还有报警信息存在；
[0029](9)、进入主画面，检查一遍。
[0030]本发明在切割过程中观察机器运行状况，线张力控制在21N左右，平均进给为
0.32mm/min0
[0031]本发明在切割过程中控制平均线速范围540m/min，砂浆流量75L/min，砂浆温度控制在25°C，砂浆每2刀一循环(约230KN)，主辊每35/40刀更换一次(约140/160小时)。
[0032]上述的步骤(4)和(5)中，利用带锯截断，在截除完顶部杂质层之后，分别截除顶部低少子寿命部分和底部低少子寿命部分。
[0033]上述的步骤(4)和(5)中，利用线截断，截除完顶部杂质层的同时截除顶部低少子寿命部分和底部低少子寿命部分。
[0034]采用本方法切片，避免了很多不必要的操作，杜绝了这些操作有可能在切割过程中对硅棒造成的负面影响，减少了操作工的操作步骤，有效地提高了切片工作效率。
【主权项】
1.一种多晶硅片的切片作业工艺，其特征是: 具体如下工艺步骤: (1)、打开电源启动线切割机； (2)、检查线网是否有跳线，检查导线轮是否损伤，确认放收线轮上的钢线余量够切，检查砂浆供给、喷嘴、工件装置； (3)、横移架的位置是否校正； (4)、将多晶硅锭固定于截断设备上，截除多晶硅锭顶部的杂质层； (5)、从娃锭上截除出娃锭的顶部低少子寿命部分和底部低少子寿命部分； (6)、将硅锭固定于开方机台，对硅锭进行开方，并截除硅锭四周的杂质层； (7)、开方得到的硅块，经过清洗检测后便是可用于切片的成品硅棒； (8)、准备完毕后看是否还有报警信息存在； (9)、进入主画面，检查一遍。2.如权利要求1所述的一种多晶硅片的切片作业工艺，其特征在于:在切割过程中观察机器运行状况，线张力控制在21N左右，平均进给为0.32mm/min。3.如权利要求1所述的一种多晶硅片的切片作业工艺，其特征在于:在切割过程中控制平均线速范围540m/min，砂浆流量75L/min，砂浆温度控制在25°C，砂浆每2刀一循环(约230KN)，主辊每35/40刀更换一次(约140/160小时)。4.如权利要求1所述的一种多晶硅片的切片作业工艺，其特征在于:步骤(4)和(5)中，利用带锯截断，在截除完顶部杂质层之后，分别截除顶部低少子寿命部分和底部低少子寿命部分。5.如权利要求1所述的一种多晶硅片的切片作业工艺，其特征在于:步骤(4)和(5)中，利用线截断，截除完顶部杂质层的同时截除顶部低少子寿命部分和底部低少子寿命部分。
【专利摘要】本发明公开了一种多晶硅片的切片作业工艺，涉及多晶硅生产技术领域，特别是多晶硅的切片工艺技术领域。其具体如下工艺步骤：1.打开电源启动线切割机；2.检查线网是否有跳线，检查导线轮是否损伤，检查放收线轮上的钢线余量是否够切，检查砂浆供给、喷嘴、工件装置；4.将多晶硅锭固定于截断设备上，截除多晶硅锭顶部的杂质层；5.从硅锭上截除出硅锭的顶部低少子寿命部分和底部低少子寿命部分；6.将硅锭固定于开方机台，对硅锭进行开方，并截除硅锭四周的杂质层；7.开方得到的硅块，经过清洗检测后便是可用于切片的成品硅棒；8.准备完毕后看是否还有报警信息存在；9.进入主画面，检查一遍。
【IPC分类】B28D5/04
【公开号】CN105382949
【申请号】CN201510721011
【发明人】顾祥宝
【申请人】江苏耀阳电子有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年10月30日