一种线切割机和半导体晶棒的线切割方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及致冷件的晶粒制造技术领域，特别是涉及一种线切割机，还涉及半导体晶棒的线切割方法。
【背景技术】
[0002]半导体致冷件包括瓷板和半导体晶粒，半导体晶粒是焊接在瓷板上的，晶粒是长方体的结构，它是半导体晶棒在线切割机上经过线切割而成的。
[0003]现有技术中，线切割机没有加热装置，对于加工的部件是在室温下进行的，不能满足一些生产的需要。
[0004]另外，现有技术中，晶棒在线切割机上切割，一般是在常温下进行的，这样的切割方式生产出来的晶粒具有成品率较低、品质较差的缺点，增加了生产成本、影响了半导体致冷件生产率和产品质量。
【发明内容】
[0005]本发明的目的就是针对上述缺点，提供一种满足一些生产需要的线切割机，还提供一种降低生产成本、提高成品合格率、切割质量更好的半导体晶棒的线切割方法。
[0006]本发明的线切割机技术方案是这样实现的:一种线切割机，包括线切割机本体，线切割机本体具有机架，在机架上设置有卡具，卡具前面是工位，还有切割线经过工位，其特征是:所述的工位周围设置有安装在机架上的小室，小室周围有加热装置。
[0007]进一步地讲，所述的小室上还安装有喷涂装置。
[0008]进一步地讲，所述的小室上还安装有保护气体输送装置。
[0009]本发明的半导体晶棒的线切割方法的技术方案是这样实现的:一种半导体晶棒的线切割方法，它是由晶棒在线切割机上进行线切割而成的，所述的线切割机包括线切割机本体，线切割机本体具有机架，在机架上设置有卡具，卡具前面是工位，还有切割线经过工位，其特征是:所述的工位周围设置有安装在机架上的小室，小室周围有加热装置，切割晶棒时晶棒和小室的温度是80— 90°C。
[0010]较好的，所述的温度是85 °C。
[0011 ] 较好的，在切割晶棒时向晶棒上喷涂有甘油或煤油。
[0012]较好的，在切割晶棒时晶棒的周围有二氧化碳气体。
[0013]本发明的有益效果是:
这样的线切割机可以满足一些生产需要的需要，所述的小室上还安装有喷涂装置，所述的小室上还安装有保护气体输送装置，具有更能满足一些生产特殊需要的优点；
这样的半导体晶棒的线切割方法具有生产出的晶粒成本更低、合格率更高，产品质量更好的优点；所述的温度是85°C，在切割晶棒时向晶棒上喷涂有甘油或煤油，在切割晶棒时晶棒的周围有二氧化碳气体，具有效果更好的优点。
【附图说明】
[0014]图1是本发明的一种线切割机的结构示意图。
[0015]其中:1、机架 2、卡具 3、工位4、切割线 5、小室 6、加热装置 7、
喷涂装置 8、气体输送装置。
【具体实施方式】
[0016]下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
[0017]如图1所示，一种线切割机，包括线切割机本体，线切割机本体具有机架1，在机架上设置有卡具2，卡具前面是工位3，还有切割线4经过工位，其特征是:所述的工位周围设置有安装在机架上的小室5，小室周围有加热装置6。
[0018]进一步地讲，所述的小室上还安装有喷涂装置7。
[0019]进一步地讲，所述的小室上还安装有保护气体输送装置8。
[0020]使用本线切割机时，可以将加工部件卡在卡具上，加热装置加热，加工部件在有一定温度并稳定的温度下进行切割；进一步的，本线切割机还安装了喷涂装置，可以满足在切割时，向加工的部件上根据需要喷涂一些液体，更有利于切割；进一步地，本线切割机还安装了保护气体输送装置，可以满足在切割时，工件在所需的保护气体环境中作业，例如有的可以充二氧化碳、氩气、甲烷等，取得更好的效果。
[0021]为了更好的说明本线切割机的线切割方法，下面结合实施例进一步的说明。
[0022]以下实施例使用相同的晶棒，在相同的线切割机进行切割，制成相同的晶粒。
[0023]实施例1
晶棒在线切割机上切割，温度室温25°C。
[0024]产品的合格率是85%，合格产品——晶粒的棱角处有毛刺，在晶粒外表面有烧结晕。
[0025]实施例2
晶棒在线切割机上切割，利用线切割机上的小室，小室内安装有加热装置，将晶棒和小室都保持在80°C，对晶棒进行切割。
[0026]产品的合格率是91%，合格产品——晶粒的棱角处有毛刺，晶粒在外面有烧结晕。
[0027]实施例3
晶棒在线切割机上切割，利用线切割机上的小室，小室内安装有加热装置，将晶棒和小室都保持在90°C，对晶棒进行切割。
[0028]产品的合格率是95%，合格产品——晶粒的棱角处有毛刺，晶粒在外面有烧结晕。
[0029]实施例4
晶棒在线切割机上切割，利用线切割机上的小室，小室内安装有加热装置，将晶棒和小室都保持在85°C，对晶棒进行切割。
[0030]产品的合格率是97%，合格产品——晶粒的棱角处有毛刺，晶粒在外面有烧结晕。
[0031]重复上述的实施例，或在切割晶棒时向晶棒上喷涂有甘油或煤油，或在切割晶棒时晶棒的周围有二氧化碳气体。
[0032]毛刺减少，晶粒外表面有烧结晕，烧结晕的减少证明晶粒成分发生变化的现象减少。
[0033]同时在切割晶棒时向晶棒上喷涂有甘油或煤油，并在切割晶棒时晶棒的周围有二氧化碳气体。毛刺减少、晶粒外表面有烧结晕减少效果更好。
[0034]以上所述仅为本发明的部分具体实施例，发明人还做了许多类似的实验，得到相同的结论，在生产中，这样焊接晶粒生产出的半导体致冷件显著提高，因为开焊而导致的质量问题只有1%，比直接焊接的提高3个百分点。
【主权项】
1.一种线切割机，包括线切割机本体，线切割机本体具有机架，在机架上设置有卡具，卡具前面是工位，还有切割线经过工位，其特征是:所述的工位周围设置有安装在机架上的小室，小室周围有加热装置。2.根据权利要求1所述的线切割机，其特征是:所述的小室上还安装有喷涂装置。3.根据权利要求1或2所述的线切割机，其特征是:所述的小室上还安装有保护气体输送装置。4.一种半导体晶棒的线切割方法，它是由晶棒在线切割机上进行线切割而成的，所述的线切割机包括线切割机本体，线切割机本体具有机架，在机架上设置有卡具，卡具前面是工位，还有切割线经过工位，其特征是:所述的工位周围设置有安装在机架上的小室，小室周围有加热装置，切割晶棒时晶棒和小室的温度是80— 90°C。5.根据权利要求4所述的半导体晶棒的线切割方法，其特征是:所述的温度是85°C。6.根据权利要求4或5所述的半导体晶棒的线切割方法，其特征是:在切割晶棒时向晶棒上喷涂有甘油或煤油。7.根据权利要求4或5所述的半导体晶棒的线切割方法，其特征是:，在切割晶棒时晶棒的周围有二氧化碳气体。8.根据权利要求6所述的半导体晶棒的线切割方法，其特征是:在切割晶棒时晶棒的周围有二氧化碳气体。
【专利摘要】本发明涉及致冷件的晶粒制造技术领域，名称是一种线切割机和半导体晶棒的线切割方法，线切割机，包括线切割机本体，线切割机本体具有机架，在机架上设置有卡具，还有切割线经过工位，在工位周围设置有安装在机架上的小室，小室周围有加热装置，具有更能满足一些生产特殊需要的优点；半导体晶棒的线切割方法，它是由晶棒在线切割机上进行线切割而成的，线切割机包括线切割机本体，线切割机本体具有机架，在机架上设置有卡具，卡具前面是工位，在工位周围设置有安装在机架上的小室，小室周围有加热装置，切割晶棒时晶棒和小室的温度是80—90℃，具有生产出的晶粒成本更低、合格率更高，产品质量更好的优点。
【IPC分类】B28D7/00, B28D5/04
【公开号】CN105058605
【申请号】CN201510463152
【发明人】陈磊, 刘栓红, 赵丽萍, 张文涛, 蔡水占, 郭晶晶, 张会超, 陈永平, 王东胜, 惠小青, 辛世明, 田红丽
【申请人】河南鸿昌电子有限公司
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2015年8月2日