一种单银low-e镀膜玻璃的利记博彩app
【专利摘要】一种单银LOW-E镀膜玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有SixNy基膜层、第一TiO2膜层、第一NiCr阻挡层、Cu介质层、Ag层、第二NiCr阻挡层、第二TiO2膜层、以及SixNy顶膜层。本发明具有如下优点：1、利用SixNy作为基膜层和顶膜层，使膜层具有较好的粘结性和较佳机械强度；同时，利用TiO2提高玻璃的透光率，利用Cu作为介质层，既可减少Ag的使用量，又能保证膜层的电导率不变，在保证膜系的性能不变的前提，降低了生产成本。2、本玻璃的透过率≥50％，辐射率≤0.10，反射率≤20，遮阳系数SC≤0.42，光学性能良好。
【专利说明】一种单银LOW-E镀膜玻璃
【技术领域】
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[0001]本发明涉及一种单银LOW-E镀膜玻璃。
【背景技术】
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[0002]LOff-E玻璃，是一种新型高端的低辐射玻璃，是在玻璃基材表面镀制包括银层在内的多层金属及其它化合物组成的膜系产品。但现有LOW-E玻璃，其膜层粘结力较差，机械强度不佳，容易出现脱膜、氧化等质量缺陷。同时，Ag的使用量较多，生产成本较高。
[0003]故有必要对现有的LOW-E玻璃作出改进，以提供一种具有较好粘结性、较佳机械强度、且可减少Ag的使用量、降低生产成本的LOW-E镀膜玻璃。
【发明内容】
:
[0004]本发明的目的在于提供一种单银LOW-E镀膜玻璃，其具有较好的粘结性和较佳机械强度，且可减少Ag的使用量，降低生产成本。
[0005]一种单银LOW-E镀膜玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有SixNy基膜层、第一 T12膜层、第一 NiCr阻挡层、Cu介质层、Ag层、第二 NiCr阻挡层、第二 T12膜层、以及SixNy顶膜层。
[0006]本发明可通过如下方案进行改进:
[0007]所述SixNy基膜层的厚度为15?25nm，所述SixNy顶膜层的厚度为30?40nm。
[0008]所述第一 T12膜层的厚度为15?30nm，第二 T12膜层的厚度为20?30nm。
[0009]所述第一 NiCr阻挡层的厚度为2?1nm,第二 NiCr阻挡层的厚度为3?10nm。
[0010]所述Cu介质层的厚度为5?10nm。
[0011]所述Ag层的厚度为I?3nm。
[0012]所述SixNy基膜层、所述SixNy顶膜层为Si3N4介质层。
[0013]本发明具有如下优点:1、利用SixNy作为基膜层和顶膜层，使膜层具有较好的粘结性和较佳机械强度；同时，利用T12提高玻璃的透光率，利用Cu作为介质层，既可减少Ag的使用量，又能保证膜层的电导率不变，在保证膜系的性能不变的前提，降低了生产成本。2、本玻璃的透过率> 50%，辐射率< 0.10，反射率< 20，遮阳系数SCS 0.42 ;本玻璃颜色显灰色，通过色度仪可以测得如下颜色坐标值:a* = -2.5?-3, b* = -4?-5,光学性能良好。
【专利附图】
【附图说明】
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[0014]图1为本发明结构剖视图。
【具体实施方式】
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[0015]如图所示，一种单银LOW-E镀膜玻璃，包括玻璃基材I，所述玻璃基材I的上表面由下而上依次设有SixNy基膜层2、第一 T12膜层3、第一 NiCr阻挡层4、Cu介质层5、Ag层6、第二 NiCr阻挡层7、第二 T12膜层8、以及SixNy顶膜层9。
[0016]进一步地，所述SixNy基膜层2的厚度为15?25nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氮气作反应气体溅射硅铝靶(硅铝质量百分比92:8)制备而成，其中，氩氮比为(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，氩氮比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。
[0017]再进一步地，所述第一 T12膜层3的厚度为15?30nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、以氩气为溅射气体、氧气作反应气体射陶瓷钛靶制备而成，其中，氩氧比为(400SCCM?420SCCM): (50SCCM?60SCCM)，氩氧比是该膜层的核心。
[0018]更进一步地，所述第一 NiCr阻挡层4的厚度为2?10nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射镍铬合金、用氩气作为溅射气体制备而成。
[0019]又进一步地，所述Cu介质层5的厚度为5?10nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射铜靶、用氩气作为溅射气体制备而成，气体流量500?550SCCM。
[0020]再进一步地，所述Ag层6的厚度为I?3nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射银靶、用氩气作为溅射气体制备而成，气体流量500?550SCCM。
[0021]再进一步地，所述第二 NiCr阻挡层7的厚度为3?10nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射镍铬合金、用氩气作为溅射气体制备而成。
[0022]再进一步地，所述第二 T12膜层8的厚度为20?30nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、以氩气为溅射气体、氧气作反应气体射陶瓷钛靶制备而成，其中，氩氧比为(400SCCM?420SCCM): (50SCCM?60SCCM)，氩氧比是该膜层的核心。
[0023]再进一步地，所述SixNy顶膜层9的厚度为30?40nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氮气作反应气体溅射硅铝靶(硅铝质量百分比92:8)制备而成，其中，氩氮比为(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，氩氮比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。
[0024]具体地，所述SixNy基膜层2、所述SixNy顶膜层9为Si3N4介质层。
[0025]本发明利用SixNy作为基膜层和顶膜层，使膜层具有较好的粘结性和较佳机械强度；同时，利用T12提高玻璃的透光率，利用Cu作为介质层，既可减少Ag的使用量，又能保证膜层的电导率不变，在保证膜系的性能不变的前提，降低了生产成本。本发明的透过率^ 50%，辐射率< 0.10，反射率< 20，遮阳系数SCS 0.42 ;本发明颜色显灰色，通过色度仪可以测得如下颜色坐标值:a* = -2.5?-3，b* = -4?_5，光学性能良好。
[0026]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明实施的范围，凡依本发明专利范围所做的同等变化与修饰，皆落入本发明专利涵盖的范围。
【权利要求】
1.一种单银LOW-E镀膜玻璃，包括玻璃基材，其特征在于:所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有SixNy基膜层、第一 T12膜层、第一 NiCr阻挡层、Cu介质层、Ag层、第二 NiCr阻挡层、第二 T12膜层、以及SixNy顶膜层。
2.根据权利要求1所述的一种单银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于:所述SixNy基膜层的厚度为15?25nm，所述SixNy顶膜层的厚度为30?40nm。
3.根据权利要求1所述的一种单银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于:所述第一T12膜层的厚度为15?30nm，第二 T12膜层的厚度为20?30nm。
4.根据权利要求1所述的一种单银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于:所述第一NiCr阻挡层的厚度为2?10nm，第二 NiCr阻挡层的厚度为3?10nm。
5.根据权利要求1所述的一种单银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于:所述Cu介质层的厚度为5?10nm。
6.根据权利要求1所述的一种单银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于:所述Ag层的厚度为I ?3nm。
7.根据权利要求1或2所述的一种单银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于:所述SixNy基膜层、所述SixNy顶I吴层为Si3N4介质层。
【文档编号】C03C17/36GK104275878SQ201410607148
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2014年10月30日 优先权日:2014年10月30日
【发明者】陈圆, 禹幸福 申请人:中山市亨立达机械有限公司