专利名称：一种保证非晶硅电池前板玻璃表面刻蚀均匀性的工艺的利记博彩app
技术领域：
本发明属于太阳能电池制造技术领域，涉及到对非晶硅电池前板玻璃进行刻蚀的工艺过程，特别是一种可以保证前板玻璃刻蚀均勻性的工艺。
背景技术：
太阳能电池是把光能直接转换成电能的一种半导体器件，太阳能发电具有很多的优点，如安全可靠，建设周期短，维护简便，可以无人值守等。由于非晶硅比晶硅能吸收更多的光强，故非晶硅电池组件成为目前研究的热点，但是非晶硅电池的光电转换效率较低。而 TCO玻璃的雾度能增加光线在玻璃中的光程，从而达到提高光线透过率的目的，通过刻蚀能够达到增加玻璃雾度的目的，但是普通的刻蚀方法是通过酸液或者碱液进行刻蚀，刻蚀后玻璃的表面不够均勻，从而会造成光能的部分损失，因此要对以上缺陷进行改进。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有非晶硅电池的生产技术下电池效率不高的情况，而目前使用的刻蚀方法造成的刻蚀不均勻而不能充分提高太阳光透过率的问题，提供一种清洁度较高，雾度较高，刻蚀均勻的一种TCO玻璃刻蚀工艺，使得整个电池的光电转换效率更高，同时，外观比较美观。本发明为实现发明目的采用的技术方案是，一种保证非晶硅电池前板玻璃表面刻蚀均勻性的工艺，包括在前板玻璃上制备透明导电薄膜层，以及在导电薄膜层上进行刻蚀工序，本工艺的步骤包括a、在刻蚀处理前首先在导电薄膜层上镀一层光阻剂层；b、在光阻剂层的上方定位具有网格结构的透光罩；c、用曝光机进行曝光刻蚀处理，完成本工艺过程。本发明的有益效果是，通过增加光阻剂层，玻璃的雾度有大幅度的提高，同时刻蚀后的玻璃表面更加均勻，透光率也明显提高，使得整个电池的光电转换效率更高，另外，清洁度提高，外观也更加美观。
图1是电池制备过程中的结构示意图。图2是通过曝光机曝光刻蚀后的透明导电膜层的结构示意图。1是前板玻璃，2是透明导电膜层，3是光阻剂层，4是透光罩。
具体实施例方式一种保证非晶硅电池前板玻璃表面刻蚀均勻性的工艺，包括在前板玻璃1上制备透明导电薄膜层2，以及在导电薄膜层2上进行刻蚀工序，本工艺的步骤包括a、在刻蚀处理前首先在导电薄膜层2上镀一层光阻剂层3 ；
b、在光阻剂层3的上方定位具有网格结构的透光罩4 ；C、用曝光机进行曝光刻蚀处理，完成本工艺过程。所述的透光罩4中的网格孔径大小为50 60nm。镀光阻剂层3的厚度控制在40 50nm。所述的曝光机用的光波长为1000 llOOnm。参看图1和图，本发明采用在TCO透明导电薄膜层2的基础上先镀一层光阻剂层 3，光阻剂层3的厚度为40-50nm ；其后在光阻剂层3上放置一层网格状的透光罩4，透光罩4网格的距离为50-60nm ；其后用曝光机对TCO玻璃进行曝光刻蚀处理，曝光用光波长为 1064nm,曝光刻蚀处理后，TCO玻璃的表面为均勻的规则的“金字塔”形状，参看图2，金字塔的高度为40-50nm。通过刻蚀所产生的金字塔形，增大透射光的光程，使得TCO玻璃的雾度增加，增加非晶硅太阳能电池的光电转换效率。
权利要求
1.一种保证非晶硅电池前板玻璃表面刻蚀均勻性的工艺，包括在前板玻璃(1)上制备透明导电薄膜层0)，以及在导电薄膜层( 上进行刻蚀工序，其特征在于本工艺的步骤包括a、在刻蚀处理前首先在导电薄膜层(2)上镀一层光阻剂层(3)；b、在光阻剂层(3)的上方定位具有网格结构的透光罩；c、用曝光机进行曝光刻蚀处理，完成本工艺过程。
2.根据权利要求1所述的一种保证非晶硅电池前板玻璃表面刻蚀均勻性的工艺，其特征在于所述的透光罩⑷中的网格孔径大小为50 60nm。
3.根据权利要求1所述的一种保证非晶硅电池前板玻璃表面刻蚀均勻性的工艺，其特征在于镀光阻剂层(3)的厚度控制在40 50nm。
4.根据权利要求1所述的一种保证非晶硅电池前板玻璃表面刻蚀均勻性的工艺，其特征在于所述的曝光机用的光波长为1000 llOOnm。
全文摘要
一种保证非晶硅电池前板玻璃表面刻蚀均匀性的工艺，解决现有非晶硅电池的生产技术下电池效率不高的情况，而目前使用的刻蚀方法造成的刻蚀不均匀而不能充分提高太阳光透过率的问题，包括在前板玻璃上制备透明导电薄膜层，以及在导电薄膜层上进行刻蚀工序，本工艺的步骤是在刻蚀处理前首先在导电薄膜层上镀一层光阻剂层；在光阻剂层的上方定位具有网格结构的透光罩；用曝光机进行曝光刻蚀处理，完成本工艺过程。本发明通过增加光阻剂层，玻璃的雾度有大幅度的提高，同时刻蚀后的玻璃表面更加均匀，透光率也明显提高，使得整个电池的光电转换效率更高，另外，清洁度提高，外观也更加美观。
文档编号C03C15/00GK102336525SQ20111027843
公开日2012年2月1日 申请日期2011年9月19日 优先权日2011年9月19日
发明者戴溥男, 李光滨, 褚明渊, 郑仁毅, 陈启聪 申请人:东旭集团有限公司, 成都泰轶斯太阳能科技有限公司