专利名称：太阳能导电玻璃以及生产工艺的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种太阳能导电玻璃以及生产工艺，它属于特殊玻璃 生产技术领域，特别是具有太阳能导电功能的玻璃以及生产工艺。 背景纟支术
传统的太阳能导电玻璃的基本结构为玻璃、二氧化硅膜层和 Sn02膜层的三层叠加结构。在生产工艺中，所述的Sn02膜层是采用化 学气相沉积法镀制的，因此造成了 Sn02膜层的均匀性差，透过率偏低， 容易产生黑点白点，影响太阳能电池的性能，同时价格也比较昂贵。 另外，传统的太阳能导电玻璃，由于膜层均匀性差、透过率偏低，所 以光电转换效率低，老化后光电转换效率衰减快，已经不能满足应用 的要求。
中国专利第200510050544. X号中公开了一种《氧化铟锡透明导 电玻璃及其生产工艺》，这种导电玻璃是在有机玻璃基片的表面镀有 二氧化硅镀膜层和氧化铟锡镀膜层，二氧化硅镀膜层位于内层，氧化 铟锡镀膜层位于外层。这种产品具有较高的电导率和可见光透过率的 特点，十分适合在液晶显示器件和平板显示器件等光电子器件上应 用，但它并不适合用于太阳能导电。
中国专利第200510079183.1号中还公开了一种《透明导电膜用 靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜》，此膜成分含有构成成分氧化铟、氧化锡及氧化锌，并任选地含有特定的金属氧化物， 如氧化钌、氧化钼、氧化钒等，成分构成复杂，加工成本也比较好。 这种镀膜结构的玻璃也仅仅适合于有机电致发光器件的透明电极中。
发明内容
本发明的目的在于提供一种生产工艺简单，可见光的透过率高， 提高光电转换效率的太阳能导电玻璃以及生产工艺。 本发明的目的是这样实现的
一种太阳能导电玻璃，其特征在于在所述玻璃基片上设置有导电 膜层，其膜层结构形式为自基片玻璃依次外向为 玻璃、二氧化硅膜层和ZnA 1203膜层。 所述膜层结构中各膜层的厚度分别为二氧化硅膜层10 ~ 30nm; ZnAl2。3膜层:100~ 400nm。
本发明的太阳能导电玻璃的生产工艺，它包括如下的工艺步骤 A:对待镀膜基板玻璃进行清洗、热烘干燥后，上架装片，进入 预真空过渡；
B:进入镀膜室，然后在玻璃上依次镀二氧化硅膜层和ZnAl203 膜层；首先所述的二氧化硅膜层采用纯度为99. 99%的多晶硅靶在氩 氧混合气氛中进^f亍溅射，溅射气压范围为Ar: 02=0. 2~0. 5Pa; 然后 在已经形成的二氧化硅膜层表面再镀ZnAlA膜层，所述的ZnAl203膜 层的镀制方法，采用ZnAlA金属氧化物靶材，在纯度为99. 99%的纯 氩气氛中进行溅射，溅射气压范围为0. 2~0. 5Pa;溅射时基片玻璃 同时进行力口热，加热时间为0. 5 ~ 1. 0h,加热温度为180 ~ 380°C。所述的优选的工艺步骤和参数如下
A:对待镀膜基板玻璃进行清洗、热烘干燥后，上架装片，进 入预真空过渡；
B:进入镀膜室，然后在玻璃上依次镀二氧化硅膜层和ZnAl203 膜层；首先所述的二氧化硅膜层采用纯度为99. 99%的多晶硅耙在氩 氧混合气氛中进行溅射，溅射气压为0. 3Pa; 然后在已经形成的二 氧化硅膜层表面再镀ZnAl203膜层，所述的ZnAl2(U莫层的镀制方法， 采用ZnAh03金属氧化物靶材，在纯度为99. 99%的纯氩气氛中进行賊 射，濺射气压范围为0. 4Pa;溅射时基片玻璃同时进行加热，加热时 间为0. 7小时，加热温度为250°C。
所述的进一步的优选工艺步骤和参数如下 A:对待镀膜基板玻璃进行清洗、热烘干燥后，上架装片，进 入预真空过渡；
B:进入镀膜室，然后在玻璃上依次镀二氧化硅膜层和ZnAl203 膜层；首先所述的二氧化硅膜层采用纯度为99. 99%的多晶硅靶在氩 氧混合气氛中进行溅射，溅射气压为.05Pa;然后在已经形成的二氧 化硅膜层表面再镀ZnAl203膜层，所述的ZnAhOJ莫层的镀制方法，采 用ZnAl203金属氧化物靶材，在纯度为99. 99%的纯氩气氛中进行賊射， 溅射气压范围为0. 2Pa;溅射时基片玻璃同时进行加热，加热时间为 1. 0小时，加热温度为180°C。
所述的另 一的优选工艺步骤和参^t如下 A:对待镀膜基板玻璃进行清洗、热烘干燥后，上架装片，进入预真空过渡；
B:进入镀膜室，然后在玻璃上依次镀二氧化硅膜层和ZnAl203 膜层；首先所述的二氧化硅膜层采用纯度为99. 99%的多晶硅靶在氩 氧混合气氛中进行溅射，溅射气压为0.2Pa; 然后在已经形成的二 氧化硅膜层表面再镀ZnAl203膜层，所述的ZnAh03膜层的镀制方法， 采用ZnAl203金属氧化物靶材，在纯度为99. 99%的纯氩气氛中进行賊 射，溅射气压范围为0. 5Pa;溅射时基片玻璃同时进行加热，加热时 间为0. 5小时，加热温度为380°C。
本发明的与现有技术相比，其导电玻璃具有导电性能良好，可见 光的透过率高的特点；其镀膜玻璃厚度《3mm，方块电阻《15Q/口， 透过率>83%,反射约为8%和吸收损失《9%,老化后的光电转换 效率衰减几乎为零。且本发明的加工工艺筒单，加工成本较低，可实 现大规模的推广使用。
具体实施例方式
下面结合实施例，对本发明进行进一步的说明
实施例1:
本实施例中，采用LHKJ800立式全自动连续磁控賊射镀膜机完成 镀膜任务，其膜层结构形式为自基片玻璃依次外向为玻璃基片、二 氧化硅膜层和ZnAl203膜层。
其具体的生产加工工艺流程和参数如下
A:对待镀膜基板玻璃进行清洗、热烘干燥后，上架装片，进入 预真空过渡；B:进入镀膜室，然后在玻璃上依次镀二氧化硅膜层和ZnAl203 膜层；首先所述的二氧化硅膜层采用纯度为99. 99°/ 的多晶硅靶在氩 氧混合气氛中进行溅射，二氧化硅(Si02)膜层的厚度为25nm，溅射气 压为0. 3Pa，氩气Ar和氧气02的流分别为200SCCM和40SCCM ;然后 在已经形成的二氧化硅膜层表面再镀ZnAh03膜层，ZnAh03膜层 400nm;所述的ZnAl2(U莫层的镀制方法，采用ZnAlA金属氧化物耙 材，在纯度为99. 99%的纯氩气氛中进行溅射，，溅射气压范围为 0. 4Pa，氩气Ar的流量为200SCCM;溅射时基片玻璃同时进行加热， 加热时间为0. 7小时，加热温度为250°C。
依据上述的工艺流程和参数生产出的太阳能导电玻璃具有如下 的特性镀膜玻璃厚度《3mm，方块电阻< 14. 5Q/口 ，透过率>85 %,反射约为8%和吸收损失<7%，老化后的光电转换效率衰减几 乎为零。
实施例2:
在本实施例中，其具体的生产加工工艺流程和参lt如下 A:对待镀膜^i^反玻璃进行清洗、热烘干燥后，上架装片，进入 预真空过渡；
B:进入镀膜室，然后在玻璃上依次镀二氧化硅膜层和ZnAl203 膜层；首先所述的二氧化硅膜层采用纯度为99. 99%的多晶硅靶在氩 氧混合气氛中进^f亍溅射，溅射气压为.05Pa，氩气"和氧气02的流分 别为220SCCM和60SCCM; 然后在已经形成的二氧化硅膜层表面再镀 ZnAl203膜层，ZnAlA膜层lOOmn;所述的ZnAlA膜层的镀制方法，采
9用ZnAh03金属氧化物靶材，在纯度为99.99%的纯氩气氛中进行濺射， 溅射气压范围为0. 2Pa,氩气Ar的流量为220SCCM;溅射时基片玻璃 同时进行加热，力口热时间为1.0小时，加热温度为180°C。
本实施例的其他部分与实施例1完全相同。
实施例3:
在本实施例中，其具体的生产加工工艺流程和参数如下 A:对待镀膜基板玻璃进行清洗、热烘干燥后，上架装片，进入 预真空过渡；
B:进入镀膜室，然后在玻璃上依次镀二氧化硅膜层和ZnAl203 膜层；首先所述的二氧化硅膜层采用纯度为99.99%的多晶硅靶在氩 氧混合气氛中进行賊射，溅射气压为0. 2P，氩气Ar和氧气02的流分 别为210SCCM和50SCCM ; 然后在已经形成的二氧化硅膜层表面再 镀ZnAl203膜层，ZnAlA膜层200nm;所述的ZnAl203膜层的镀制方法， 采用ZnAh03金属氧化物靶材，在纯度为99. 99%的纯氩气氛中进行、践 射，'賊射气压范围为0. 5Pa，氩气Ar的流量为210SCCM;溅射时基片 玻璃同时进ft加热，加热时间为O. 5小时，加热温度为380°C。
本实施例的其他部分与实施例1完全相同。
权利要求
1、一种太阳能导电玻璃，其特征在于在所述玻璃基片上设置有导电膜层，其膜层结构形式为自基片玻璃依次外向为玻璃、二氧化硅膜层和ZnAl2O3膜层。
2、 如权利要求1中所述的太阳能导电玻璃，其特征在于所述膜层 结构中各膜层的厚度分别为二氧化硅膜层10 ~ 30nm; ZnAl203 膜层100~ 400nm。
3、 一种用于权利要求1中所述的太阳能导电玻璃的生产工艺，其 特征在于它包括如下的工艺步骤A:对待镀膜基板玻璃进行清洗、热烘干燥后，上架装片，进入 预真空过渡；B:进入镀膜室，然后在玻璃上依次镀二氧化硅膜层和ZnAl203 膜层；首先所述的二氧化硅膜层采用纯度为99. 99°/。的多晶硅靶在氩 氧混合气氛中进行溅射，溅射气压范围为Ar: 02=0. 2 ~ 0. 5Pa; 然后 在已经形成的二氧化硅膜层表面再镀ZnAh03膜层，所述的ZnAl20s膜 层的镀制方法，采用ZnAl203金属氧化物靶材，在纯度为99. 99%的纯 氩气氛中进行溅射，溅射气压范围为0. 2~0. 5Pa;溅射时基片玻璃 同时进行加热，加热时间为0. 5 ~ 1. Oh，加热温度为180~ 380°C。
4、 如权利要求3中所述的太阳能导电玻璃的生产工艺，其特征在 于所述的优选的工艺步骤和参数如下A:对待镀膜基板玻璃进行清洗、热烘干燥后，上架装片，进入预真空过渡；B:进入镀膜室，然后在玻璃上依次镀二氧化硅膜层和ZnAl203 膜层；首先所述的二氧化硅膜层采用纯度为99. 99%的多晶硅靶在氩 氧混合气氛中进行溅射，溅射气压为0. 3Pa; 然后在已经形成的二 氧化硅膜层表面再镀ZnAl203膜层，所述的ZnAl2(U莫层的镀制方法， 采用ZnAh03金属氧化物靶材，在纯度为99. 99%的纯氩气氛中进行溅 射，溅射气压范围为0. 4Pa;溅射时基片玻璃同时进行加热，加热时 间为0. 7小时，加热温度为250°C。
5、 如权利要求3中所述的太阳能导电玻璃的生产工艺，其特征在于 所述的进一步的优选工艺步骤和参数如下A:对待镀膜基板玻璃进行清洗、热烘干燥后，上架装片，进 入预真空过渡；B:进入镀膜室，然后在玻璃上依次镀二氧化硅膜层和ZnAl203 膜层；首先所述的二氧化硅膜层采用纯度为99.99°/。的多晶硅靶在氩 氧混合气氛中进行溅射，溅射气压为.05Pa;然后在已经形成的二氧 化硅膜层表面再镀ZnAl203膜层，所述的ZnAl2(U莫层的镀制方法，采 用ZnAh03金属氧化物靶材，在纯度为99. 99%的纯氩气氛中进行溅射， 賊射气压范围为0. 2Pa;賊射时基片玻璃同时进行加热，加热时间为 1. 0小时，加热温度为180°C。
6、 如权利要求3中所述的太阳能导电玻璃的生产工艺，其特征在于 所述的另一的优选工艺步骤和参数如下A:对待镀膜基板玻璃进行清洗、热烘干燥后，上架装片，进入预真空过渡；B:进入镀膜室，然后在玻璃上依次镀二氧化硅膜层和ZnAl203 膜层；首先所述的二氧化硅膜层采用纯度为99. 99%的多晶硅靶在氩 氧混合气氛中进行溅射，溅射气压为0，2Pa; 然后在已经形成的二 氧化硅膜层表面再镀ZnAl203膜层，所述的ZnAh03膜层的镀制方法， 采用ZnAl203金属氧化物靶材，在纯度为99. 99%的纯氩气氛中进行溅 射，溅射气压范围为0. 5Pa;溅射时基片玻璃同时进行加热，加热时 间为0. 5小时，加热温度为380°C。
全文摘要
一种太阳能导电玻璃以及生产工艺，它属于特殊玻璃生产技术领域，其特征在于在玻璃基片上设置有导电膜层，其膜层结构形式为自基片玻璃依次外向为玻璃、二氧化硅膜层和ZnAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜层；二氧化硅膜层10～30nm；ZnAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜层100～400nm；A对待镀膜基板玻璃进行清洗、热烘干燥后，上架装片，进入预真空过渡；B进入镀膜室，二氧化硅膜层采用纯度为99.99％的多晶硅靶在氩氧混合气氛中进行溅射，溅射气压范围为ArO<sub>2</sub>＝0.2～0.5Pa；然后在二氧化硅膜层表面再镀ZnAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜层，采用ZnAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>金属氧化物靶材，氩气纯度为99.9％，溅射气压范围为0.2～0.5Pa；溅射时加热温度为180～380℃。本发明导电玻璃的方块电阻≤14.5Ω/□，透过率≥85％。
文档编号C03C17/34GK101318778SQ200810067629
公开日2008年12月10日 申请日期2008年6月3日 优先权日2008年6月3日
发明者吴永光, 温景成, 胡安春, 坚 董 申请人:深圳市力合薄膜科技有限公司