一种涂料印花的配方和方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种涂料印花的配方和方法。
【背景技术】
[0002]涂料印花是用涂料直接印花，而不是用染料来生产印花，该工艺通常叫做干法印花，以区别于湿法印花(或染料印花)，涂料印花印制的印花织物，可赋于织物丰满、干爽及柔软的手感，其应用已经非常广泛。
[0003]本发明人根据多年的经验，提供一种金粉和银粉印花的配方和方法，印花色浆化学、物理稳定性优良，制备的印花织物有明亮艳丽的色泽且光照稳定性好。
【发明内容】
[0004]针对上述问题，本发明提供一种涂料印花的配方和方法，印花色浆化学、物理稳定性优良，制备的印花织物有明亮艳丽的色泽且光照稳定性好。
[0005]为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现:
一种涂料印花的配方，其特征在于，其原料组成为:
金粉印花浆:16-18份；
350?400目金粉:2-5份；
上述份数均为质量份数。
[0006]优选，所述金粉印花浆为17份，所述份数为质量份数。所述350?400目金粉为3.5份，所述份数为质量份数。
[0007]一种涂料印花的方法，其特征在于，包括如下步骤:
501:印花，涂料印花的配方为:金粉印花浆为17份，350?400目金粉为3.5份，所述份数均为质量份数；
502:第一次焙烘；
503:第二次焙烘；
504:成品。
[0008]本发明的有益效果是:制造工艺简单，且印花后进行二次不同的焙烘，印花色浆化学、物理稳定性优良，制备的印花织物有明亮艳丽的色泽且光照稳定性好。
【具体实施方式】
[0009]下面结合具体的实施例对本发明技术方案作进一步的详细描述，以使本领域的技术人员可以更好的理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。
[0010]一种涂料印花的配方，其原料组成为:
金粉印花浆:16-18份；
350?400目金粉:2-5份；
上述份数均为质量份数。
[0011]优选，所述金粉印花浆为17份，所述350?400目金粉为3.5份，上述份数均为质量份数。
[0012]一种涂料印花的方法，包括如下步骤:
501:印花，涂料印花的配方为:金粉印花浆为17份，350?400目金粉为3.5份，所述份数均为质量份数；
502:第一次焙烘；
503:第二次焙烘；
504:成品。
[0013]优选，所述步骤S02在100_105°C的温度下进行至少3分钟。
[0014]优选，所述步骤S03在155-170°C的温度下进行2_3分钟。最好是在162.5°C的温度下进行2分钟。
[0015]上述配方和制造工艺简单，且印花后进行二次不同的焙烘，印花色浆化学、物理稳定性优良，制备的印花织物有明亮艳丽的色泽且光照稳定性好。
[0016]以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或者等效流程变换，或者直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种涂料印花的配方，其特征在于，其原料组成为: 金粉印花浆:16-18份； 350?400目金粉:2-5份； 上述份数均为质量份数。
2.根据权利要求1所述的一种涂料印花的配方，其特征在于，所述金粉印花浆为17份，所述份数为质量份数。
3.根据权利要求1所述的一种涂料印花的配方，其特征在于，所述350?400目金粉为3.5份，所述份数为质量份数。
4.一种涂料印花的方法，其特征在于，包括如下步骤: 501:印花，涂料印花的配方为:金粉印花浆为17份，350?400目金粉为3.5份，所述份数均为质量份数； 502:第一次焙烘； 503:第二次焙烘； 504:成品。
5.根据权利要求4所述的一种涂料印花的方法，其特征在于，所述步骤S02在100-105°C的温度下进行至少3分钟。
6.根据权利要求5所述的一种涂料印花的方法，其特征在于，所述步骤S03在155-170°C的温度下进行2-3分钟。
7.根据权利要求5所述的一种涂料印花的方法，其特征在于，所述步骤S03在162.50C的温度下进行2分钟。
【专利摘要】本发明公开了一种涂料印花的配方和方法，其特征在于，其原料组成为：金粉印花浆：16-18份；350～400目金粉：2-5份；上述份数均为质量份数。一种涂料印花的方法，其特征在于，包括如下步骤：S01：印花，涂料印花的配方为：金粉印花浆为17份，350～400目金粉为3.5份，所述份数均为质量份数；S02：第一次焙烘；S03：第二次焙烘；S04：成品。制造工艺简单，且印花后进行二次不同的焙烘，印花色浆化学、物理稳定性优良，制备的印花织物有明亮艳丽的色泽且光照稳定性好。
【IPC分类】D06P1-673, D06P1-00
【公开号】CN104532610
【申请号】CN201410803248
【发明人】包文波
【申请人】包文波
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年12月23日