清洗设备的利记博彩app
【专利摘要】本实用新型提出一种清洗设备，包括：清洗单元、与清洗单元均连接的第一排液单元和第二排液单元；与第一排液单元连接的排气液槽；排气液槽侧壁设有排气管，排气管中设有风机；第二排液单元包括第二漏壶以及第二排液管，第二排液管与第二漏壶之间设有第一阀门；第二排液单元与清洗单元之间设有第二阀门；将第一排液单元与排气液槽连接，由于排液气槽的排液和排气能力较强，从而使酸液挥发的气体从排液气槽流出，能够避免酸液挥发的气体形成结晶，在排气管中设有风机，风机能够帮助气体更快的排出；在第二排液管上设有第一阀门和第二阀门，能够在不使用的情况下关闭阀门，避免酸液挥发并产生结晶。
【专利说明】清洗设备
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种清洗设备。
【背景技术】
[0002]在半导体制造过程中，通常需要使用不同化学物品对半导体晶圆的表面进行清洗，然后再使用等离子水清洗半导体晶圆表面，最后使用干燥的气体对半导体晶圆进行吹拂干燥。
[0003]在现有技术中，请参考图1，一种清洗设备，用于清洗半导体晶圆，包括:晶圆卡盘
10、卡位器11、第一排液壁41、第二排液壁42、第一排液管51、第二排液管52、排气液槽12、排气管30、第一酸液管71、第二酸液管72、第一漏壶61、第二漏壶62、第一漏壶排气管63、第二漏壶排气管64、冷却槽80、喷气管(图未示)以及喷水管(图未示)。
[0004]其中，所述卡位器11固定于所述晶圆卡盘10上，用于固定半导体晶圆20 ;所述排气液槽12设置于所述晶圆卡盘10的底部，用于隔离气体和液体，并分别排出气体和液体；所述排气液槽12底部设有排液管13，所述排液管13用于排出液体；所述排气管30与所述排气液槽12侧壁相连，用于排出气体；所述第一排液壁41和第二排液壁42环绕所述晶圆卡盘10以及半导体晶圆20，所述第一排液壁41设于第二排液壁42的上部并紧贴；所述第一排液管51与所述第一排液壁41相连，用于排出第一酸液；所述第一漏壶61与所述第一排液管51相连，所述第一漏壶排气管63与所述第一漏壶61的侧壁相连，用于排出酸液挥发出的气体；所述第一酸液管71 一端连接提供第一酸液的单元(图未示)，另一端用于喷洒第一酸液，能够悬空在晶圆卡盘10以及第一漏壶61上空,并能够在所述晶圆卡盘10以及第一漏壶61两处自由移动；所述第二排液管52与所述第二排液壁42相连，用于排出第二酸液；所述第二漏壶62与所述第二排液管52相连，所述第二漏壶排气管64与所述第二漏壶62侧壁相连，用于排出酸液挥发出的气体；所述第二排液管52与所述冷却槽80相连，冷却槽80用于冷却第二酸液；所述第二酸液管72 —端连接提供第二酸液的单元(图未示)，另一端用于喷洒第一酸液，能够悬空在晶圆卡盘10以及第二漏壶62上空，并能够在所述晶圆卡盘10以及第二漏壶62两处自由移动；所述喷气管以及喷水管设置于所述晶圆卡盘10上方，用于对半导体晶圆20表面提供干燥的气体和等离子水。
[0005]所述清洗设备在使用时，先将所述半导体晶圆20放置在所述晶圆卡盘10表面，接着，所述第一酸液管71先喷出一部分第一酸液，将第一酸液管71中残留的第一酸液喷出，再由所述第一漏壶61流入所述第一排液管51将所述第一酸液排出；由于酸液具有挥发性，通常情况下挥发出的气体经由第一漏壶排气管63排出，防止挥发的气体进入第一酸液管71中产生结晶，将所述第一酸液管71堵塞；然而，由于所述第一酸液管71与第一漏壶排气管63管径极小，通常为1/4英寸，极易被挥发的酸液产生的结晶堵塞；接着，所述第一酸液管71转自半导体晶圆20的表面，喷涂第一酸液；此时晶圆卡盘10能够上升至所述第一排液壁41,并开始旋转,将参加反应完的第一酸液靠离心力由第一排液壁41排出至第一排液管51 ;接着，使用喷水管喷出等离子水对所述半导体晶圆20表面进行清洗；接着，使用第二酸液管72对所述半导体晶圆20进行清洗，其步骤请参考第一酸液管71提供第一酸液所述半导体晶圆20进行清洗步骤，在此不再赘述，需要指出的是，由于第二酸液温度较高，需要使用所述冷却槽80对反应完的第二酸液进行冷却然后再排出；同样的，由于所述第二酸液管72和第二漏壶排气管64的管径较小，挥发的酸液也极易在所述第二酸液管72和第二漏壶排气管64内形成结晶，并堵塞第二酸液管72和第二漏壶排气管64 ;接着，使用喷气管喷出干燥气体对所述半导体晶圆10的表面进行干燥，气体可以由所述排气液槽12以及所述排气管30排出；然而，由于排气管30为弯曲且较长，在弯曲部分气体压力较低，排气较为不顺畅，影响气体的排放。
实用新型内容
[0006]本实用新型的目的在于提供一种清洗设备，能够避免结晶堵塞酸液管并能快速排出气体。
[0007]为了实现上述目的，本实用新型提出一种清洗设备，用于清洗半导体晶圆，所述清洗设备包括:清洗单元、第一排液单元、第二排液单元以及排气液槽；所述第一排液单元和第二排液单元均与所述清洗单元连接；所述第一排液单元与所述排气液槽连接；所述排气液槽设置于所述清洗单元的底部；所述排气液槽侧壁设有排气管，所述排气管中设有风机；所述第二排液单元包括第二漏壶以及第二排液管，所述第二排液管与所述第二漏壶相连，两者之间设有第一阀门；所述第二排液单元与所述清洗单元之间通过所述第二排液管相连并设有第二阀门。
[0008]进一步的，所述清洗单元包括晶圆卡盘、卡位器、第一酸液管、第二酸液管、喷气管以及喷水管；其中，所述卡位器设置于晶圆卡盘表面，所述第一酸液管一端连接提供第一酸液的第一酸液单元，另一端悬空；所述第二酸液管一端连接提供第二酸液的第二酸液单元，另一端悬空；喷气管以及喷水管均设置于所述晶圆卡盘的上方。
[0009]进一步的，所述第一酸液管的管径范围是1/2英寸?1/6英寸。
[0010]进一步的，所述第二酸液管的管径范围是1/2英寸?1/6英寸。
[0011]进一步的，所述第一排液单元包括第一漏壶、第一排液壁、第一排液管以及第一漏壶排气管；其中，所述第一排液管与所述第一漏壶、第一排液壁以及排气液槽相连，所述第一排液壁环绕所述晶圆卡盘；所述第一漏壶排气管与所述第一漏壶的侧壁相连。
[0012]进一步的，所述第一漏壶排气管的管径范围是1/2英寸?1/8英寸。
[0013]进一步的，所述第二排液单元还包括第二排液壁、第二漏壶排气管和冷却槽，所述第二排液壁与所述第一排液壁紧贴并环绕所述晶圆卡盘；所述第二漏壶排气管与所述第二漏壶的侧壁相连；所述冷却槽与所述第二排液管相连。
[0014]进一步的，所述第二漏壶排气管的管径范围是1/2英寸?1/8英寸。
[0015]进一步的，所述第一阀门为手动阀、电磁阀或气动阀。
[0016]进一步的，所述第二阀门为手动阀、电磁阀或气动阀。
[0017]与现有技术相比，本实用新型的有益效果主要体现在:将第一排液单元与排气液槽连接，由于排液气槽的排液和排气能力较强，从而使酸液挥发的气体从排液气槽流出，能够避免酸液挥发的气体形成结晶，在排气管中设有风机，风机能够帮助气体更快的排出；在第二排液管上设有第一阀门和第二阀门，能够在不使用的情况下关闭阀门，避免酸液挥发并广生结晶。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]图1为现有技术中清洗设备的结构示意图；
[0019]图2为一实施例中清洗设备的结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的清洗设备作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
[0021]在本实施例中，提出一种清洗设备，请参考图2，用于清洗半导体晶圆200，所述清洗设备包括:清洗单元、第一排液单元、第二排液单元以及排气液槽120 ;所述第一排液单元和第二排液单元均与所述清洗单元连接；所述第一排液单元与所述排气液120槽连接；所述排气液槽120设置于所述清洗单元的底部；所述排气液槽120侧壁设有排气管300，所述排气管300中设有风机310，所述风机310用于快速排气；所述第二排液单元包括第二漏壶620以及第二排液520管，所述第二排液管520与所述第二漏壶620相连，两者之间设有第一阀门521 ;所述第二排液单元与所述清洗单元之间通过所述第二排液管520相连并设有第二阀门522。
[0022]其中，所述清洗单元包括晶圆卡盘100、卡位器110、第一酸液管710、第二酸液管720、喷气管(图未示出)以及喷水管(图未示出)；所述卡位器110设置于晶圆卡盘100的表面，用于固定半导体晶圆200;所述第一酸液管710—端连接提供第一酸液的第一酸液单元(图未示出)，另一端悬空在晶圆卡盘100或第一漏壶610的上空；所述第一酸液管710的管径范围是1/2英寸?1/6英寸，例如是1/4英寸；所述第二酸液管720 —端连接提供第二酸液的第二酸液单元(图未示出)，另一端悬空在晶圆卡盘100或第二漏壶620的上空；所述第二酸液管720的管径范围是1/2英寸?1/6英寸，例如是1/4英寸；喷气管以及喷水管均设置于所述晶圆卡盘100的上方。
[0023]在本实施例中，所述第一排液单元包括第一漏壶610、第一排液壁410、第一排液管510以及第一漏壶排气管630 ;其中，所述第一排液管510与所述第一漏壶610、第一排液壁410以及排气液槽120相连，所述第一排液壁410环绕所述晶圆卡盘100 ;所述第一漏壶排气管630与所述第一漏壶610的侧壁相连，用于排出酸液挥发出的气体；所述第一漏壶排气管630的管径范围是1/2英寸?1/8英寸吗，例如是1/4英寸。
[0024]所述第二排液单元还包括第二排液壁420、第二漏壶排气管640和冷却槽800，所述第二排液壁420与所述第一排液壁410紧贴并环绕所述晶圆卡盘100 ;所述第二漏壶排气管640与所述第二漏壶620的侧壁相连，用于排出酸液挥发出的气体；所述第二漏壶排气管640的管径范围是1/2英寸?1/8英寸，例如是1/4英寸；所述冷却槽800与所述第二排液管520相连，用于对第二酸液进行降温。
[0025]在本实施例中，所述第一阀门521为手动阀、电磁阀或气动阀；所述第二阀门522为手动阀、电磁阀或气动阀。[0026]本实施提出的清洗设备在使用过程中，在使用第一酸液管710时，先喷出一部分第一酸液将第一酸液管710中残留的第一酸液喷出，并由所述第一排液管510经由所述排气液槽120排出，同时，第一酸液挥发的气体也经由所述排气液槽120排出，避免挥发的气体进入第一酸液管710，并在其内部产生结晶堵塞所述第一酸液管710。在使用所述第二酸液管720时，先喷出一部分第二酸液将第二酸液管720中残留的第二酸液喷出，此时可以打开第一阀门521，用于排出第二酸液；当第二酸液管720移动至半导体晶圆200的表面时，可以关闭第一阀门521，打开第二阀门522，用于排出第二酸液，再不使用第二酸液管720时，第一阀门521以及第二阀门522均关闭，能够避免酸液挥发的气体进入所述第二酸液管720中并形成结晶。
[0027]综上，在本实用新型实施例提供的清洗设备中，将第一排液单元与排气液槽连接，由于排液气槽的排液和排气能力较强，从而使酸液挥发的气体从排液气槽流出，能够避免酸液挥发的气体形成结晶，在排气管中设有风机，风机能够帮助气体更快的排出；在第二排液管上设有第一阀门和第二阀门，能够在不使用的情况下关闭阀门，避免酸液挥发并产生结晶。
[0028]上述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不对本实用新型起到任何限制作用。任何所属【技术领域】的技术人员，在不脱离本实用新型的技术方案的范围内，对本实用新型揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本实用新型的技术方案的内容，仍属于本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种清洗设备，用于清洗半导体晶圆，其特征在于，包括:清洗单元、第一排液单元、第二排液单元以及排气液槽；所述第一排液单元和第二排液单元均与所述清洗单元连接；所述第一排液单元与所述排气液槽连接；所述排气液槽设置于所述清洗单元的底部；所述排气液槽侧壁设有排气管，所述排气管中设有风机；所述第二排液单元包括第二漏壶以及第二排液管，所述第二排液管与所述第二漏壶相连，两者之间设有第一阀门；所述第二排液单元与所述清洗单元之间通过所述第二排液管相连并设有第二阀门。
2.如权利要求1所述的清洗设备，其特征在于，所述清洗单元包括晶圆卡盘、卡位器、第一酸液管、第二酸液管、喷气管以及喷水管；其中，所述卡位器设置于晶圆卡盘表面，所述第一酸液管一端连接提供第一酸液的第一酸液单元，另一端悬空；所述第二酸液管一端连接提供第二酸液的第二酸液单元，另一端悬空；喷气管以及喷水管均设置于所述晶圆卡盘的上方。
3.如权利要求2所述的清洗设备，其特征在于，所述第一酸液管的管径范围是1/2英寸?1/6英寸。
4.如权利要求2所述的清洗设备，其特征在于，所述第二酸液管的管径范围是1/2英寸?1/6英寸。
5.如权利要求2所述的清洗设备，其特征在于，所述第一排液单元包括第一漏壶、第一排液壁、第一排液管以及第一漏壶排气管；其中，所述第一排液管与所述第一漏壶、第一排液壁以及排气液槽相连，所述第一排液壁环绕所述晶圆卡盘；所述第一漏壶排气管与所述第一漏壶的侧壁相连。
6.如权利要求5所述的清洗设备，其特征在于，所述第一漏壶排气管的管径范围是1/2英寸?1/8英寸。
7.如权利要求2所述的清洗设备，其特征在于，所述第二排液单元还包括第二排液壁、第二漏壶排气管和冷却槽，所述第二排液壁与所述第一排液壁紧贴并环绕所述晶圆卡盘；所述第二漏壶排气管与所述第二漏壶的侧壁相连；所述冷却槽与所述第二排液管相连。
8.如权利要求7所述的清洗设备，其特征在于，所述第二漏壶排气管的管径范围是1/2英寸?1/8英寸。
9.如权利要求1所述的清洗设备，其特征在于，所述第一阀门为手动阀、电磁阀或气动阀。
10.如权利要求1所述的清洗设备，其特征在于，所述第二阀门为手动阀、电磁阀或气动阀。
【文档编号】B08B3/08GK203426124SQ201320456652
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年7月29日 优先权日:2013年7月29日
【发明者】董飏, 荣楠, 廖勇 申请人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司