专利名称：避免氧化炉管污染的方法
技术领域：
本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种避免氧化炉管污染的方法。
背景技术：
在半导体制造过程中，对半导体设备的日常保养(Preventive Maintenance PM)是必不可少的一部分。在PM过程中，可能会使用到重复利用的石英舟等内部器件，对于竖直型氧化炉管(Vertical Oxidation Furnace)而言也是如此。这些石英舟等内部器件，在PM开始时候被拆卸下了，用清洗机进行清洗。清洗完毕后，重新被安装到炉管上进行使用。对炉管内部石英部件进行清洗，往往不能彻底清洗干净。另外，在部件重新安装过程中，操作员手套上或者无尘服的污染物如汗溃及其他污染物可能会沾污到这些石英部件，如图I所示氧化炉管结构示意图；这些石英部件包括石英管(Tube) I、石英舟(Boat)2、 和鳍状薄片(Fin)3。其中的鳍状薄片3是ー系列圆形的石英材质的薄片，形状类似晶圆，材质为石英，主要作用是保温。因此，毎次PM完毕，炉管在进行正式生产之前，都会进行一次内部再清洗过程。參见图1，具体过程如下PM完成后，先在氢氧混合燃烧室9中通入氢气7和氧气8进行燃烧，然后通过管路10将燃烧产生的水蒸汽通入炉管I中，同时氮气4携帯ニ氯こ烯5 (DCE，Cl2C2H2, Dichloroethylene)通过管路6进入炉管1，在800 1200°C下对对炉管I内部的石英部件进行清洗，一般清洗大概半小吋。具体的清洗过程也可以參考CN101327487B号专利文献“炉管的清洗方法和系统”中炉管的清洗方法和系统。但是，这种现有技术的炉管清洗方法的清洗还是不够彻底，这种方法会造成鳍状薄片的下半部分在DCE清洗过程中因为温度较低，而且位置在死角，不容易被清洗到，这成为以后正常生产过程中的污染源。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的缺陷，提供一种避免氧化炉管污染的方法。使得整个鳍状薄片的上下部分都会被清洗干净，不会再因温度低而留有污染死角，可避免因为清洗不干净而对正常生产的晶圆造成的污染。实现本发明目的的技术方案是I、一种避免氧化炉管污染的方法，所述氧化炉管的石英部件包括石英管、石英舟、和鳍状薄片，在所述氧化炉的日常保养完成后对所述石英部件进行清洗，步骤如下第一次清洗，向所述氧化炉的炉管中通入氢气和氧气混合生成的水蒸气，同时通入ニ氯こ烯，在800 1200°C下，清洗20 60分钟；然后先重新安装所述鳍状薄片，将其下方的位置调到上方；最后进行第二次清洗，向所述氧化炉的炉管中通入氢气和氧气混合生成的水蒸气，同时通入ニ氯こ烯，在800 1200°C下，清洗时间20 60分钟。2、其中所述第一次清洗、和第二次清洗的温度为950°C。3、其中如果所述炉管里面放置有监测晶圆的话，则所述清洗时间以所述监测晶圆的硅片上的ニ氧化硅生长厚度为ioooA的反应时间为准。
4、其中所述第一次清洗、和第二次清洗的温度为950°C，清洗时间为半小吋。5、其中二氯こ烯通过氮气携带进入炉管。6、其中氢气和氧气的混合比例应当控制在氢氧爆炸临界比例之内。本发明避免氧化炉管污染的方法的有益效果是本发明的方法将PM完成后的清洗由一次改为两次，在第二次清洗前，先重新安装鳍状薄片，将下方的位置调到上方，然后再清洗一遍。这样，整个鳍状薄片的上下部分都会被清洗干净，不会再因温度低而留有污染死角。避免了因为清洗不干净而对正常生产的晶圆造成的污染。
图I为PM完成后进行炉内清洗的氧化炉管结构示意图；图2是本发明的避免氧化炉管污染的方法一个实施例采用两次清洗的流程图。图中编号I石英管2石英舟3鳍状薄片4 氮气5 ニ氯こ烯6管路(氮气携带ニ氯こ烯通过此管路进入炉管)7 氢气8 氧气9氢氧混合燃烧室10管路(氢氧燃烧产生的水蒸汽通过此管路进入炉管)
具体实施例方式以下结合附图并以具体实施方式
为例，对本发明进行详细说明。但是，本领域技术人员应该知晓的是，本发明不限于所列出的具体实施方式
，只要符合本发明的精神，都应该包括于本发明的保护范围内。本发明适用于竖直型炉管，针对鳍状薄片的下半部分在ニ氯こ烯清洗过程中因温度低，而且位置在死角，不容易被清洗到的问题，将PM完成后的清洗由一次改为两次。其中，第一次为正常清洗，在第二次清洗前，先重新安装鳍状薄片，将下方的位置调到上方，然后再清洗一遍。这样，整个鳍状薄片的上下部分都会被清洗干净，不会再因温度低而留有污染死角。避免了因为清洗不干净而对正常生产的晶圆造成的污染。图2是本发明的避免氧化炉管污染的方法一个实施例采用两次DCE清洗的流程图，并请同时參见图1，首先是步骤100第一次清洗；PM完成后，先在氢氧混合燃烧室9中通入氢气7和氧气8进行燃烧，然后通过管路10将燃烧产生的水蒸汽通入炉管I中，同时氮气4携带ニ氯こ烯5通过管路6进入炉管1，在800 1200°C下，清洗20 60分钟，优选地，清洗温度为950°C，清洗时间可以为半小时；如果炉管里面放置有监测晶圆的话，则以监测晶圆的硅片上的ニ氧化硅生长厚度为1000A的反应时间为准。其中氢气和氧气的混合比例、应当控制在氢氧爆炸临界比例之内。第一次清洗完成后，本发明还有第二次清洗，但是为了能够彻底清洗鳍状薄片3，在第二次清洗前，本发明步骤200重新安装鳍状薄片3，将下方的位置调到上方，然后才是步骤300第二次清洗，与步骤100的第一次清洗方法相同。这样，整个鳍状薄片3的上下部分都会被清洗干净，不会再因温度低而留有污染死角。避免了因为清洗不干净而对正常生产的晶圆造成的污染，给实际生产带来了很大的益处。应该注意的是上述实施例是示例而非限制本发明，本领域技术人员将能够设计很 多替代实施例而不脱离附后的权利要求书的范围。
权利要求
1.一种避免氧化炉管污染的方法，所述氧化炉管的石英部件包括石英管、石英舟、和鳍状薄片，在所述氧化炉的日常保养完成后对所述石英部件进行清洗，步骤如下 第一次清洗，向所述氧化炉的炉管中通入氢气和氧气混合生成的水蒸气，同时通入ニ氯こ烯，在800 1200°C下，清洗20 60分钟； 然后先重新安装所述鳍状薄片，将其下方的位置调到上方； 最后进行第二次清洗，向所述氧化炉的炉管中通入氢气和氧气混合生成的水蒸气，同时通入ニ氯こ烯，在800 1200°C下，清洗20 60分钟。
2.如权利要求I所述方法，其特征是所述第一次清洗、和第二次清洗的温度为950°C。
3.如权利要求I或2所述方法，其特征是如果所述炉管里面放置有监测晶圆的话，则所述清洗时间以所述监测晶圆的硅片上的ニ氧化硅生长厚度为ioooA的反应时间为准。
4.如权利要求I或2所述方法，其特征是所述第一次清洗、和第二次清洗的温度为950°C，清洗时间为半小吋。
5.如权利要求I或2所述方法，其特征是ニ氯こ烯通过氮气携帯进入炉管。
6.如权利要求I或2所述方法，其特征是其中氢气和氧气的混合比例应当控制在氢氧爆炸临界比例之内。
全文摘要
一种避免氧化炉管污染的方法，将日常保养完成后的清洗由一次改为两次。其中，第一次为正常清洗，在第二次清洗前，先重新安装鳍状薄片，将下方的位置调到上方，然后再清洗一遍。这样，整个鳍状薄片的上下部分都会被清洗干净，不会再因温度低而留有污染死角。避免了因为清洗不干净而对正常生产的晶圆造成的污染。给实际生产带来了很大的益处。
文档编号B08B7/00GK102755975SQ20111010437
公开日2012年10月31日 申请日期2011年4月25日 优先权日2011年4月25日
发明者李俊峰, 李春龙 申请人:中国科学院微电子研究所