专利名称：基板的表面处理方法以及等离子体处理装置的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及具有从基板表面除去有机物以及对基板表面进行改质化 的表面处理工序的基板的表面处理方法以及等离子体处理装置。
背景技术：
一直以来，公知有作为显示装置等中使用的液晶玻璃基板的清洁方法 的基板的表面处理方法(例如参考专利文献1)。在该基板的表面处理方法
中，在大气压附近的压力下，将优选含有20 30容量％的氧气的气体的 等离子体从等离子体枪的等离子体排出口供给向基板表面。由此，等离子 体中的氧自由基(radical)将附着或形成在基板表面的有机物进行低分子 化以及氧化，由此将其气化而从基板表面除去。
专利文献l:日本特开2002 —143795号公报(4页、图4) 但是，在现有的基板的表面处理方法中，由于在生成等离子体的气体 中优选含有20 30容量％的氧气，所以氧气以外的氮气最多只含有70 80容量％。在等离子体中生成激励状态的氮自由基和氧自由基，生成的几 种氮自由基内的一些存在着自由基的寿命长到数十秒者，但氧自由基的寿 命短，在1秒以下。为了从基板表面除去有机物，必要量的氧自由基必须 存在于基板附近。而且，为继续生成必要量的氧自由基，为了生成氧自由 基，需要使必要量的氮自由基存在于基板附近。但是，在由70 80容量 %的氮气生成的氮自由基中，存在着在基板附近无法生成必要量的氧自由 基的顾虑，从而有无法有效从基板表面除去有机物的问题。
发明内容
本发明为了解决上述问题的至少一部分而提出，可以通过以下的方式 或适用例实现。
适用例1本适用例涉及的基板的表面处理方法的特征在于，具有
3表面处理工序，所述表面处理工序在大气环境下，通过向基板表面供给使 用氮气和氧气而生成的第一等离子体，对所述基板表面进行表面处理，在 所述表面处理工序中，所述氧气占所述氮气和所述氧气的合计供给量的容 量比率小于在大气中氧所占的容量比率。
根据这样的方法，具有表面处理工序，所述表面处理工序在大气环境 下，通过向基板表面供给使用氮气和氧气而生成的第一等离子体，对基板 表面进行表面处理，表面处理工序中，氧气占氮气和氧气的合计供给量的 容量比率小于在大气中氧所占的容量比率。在第一等离子体中生成有激励 状态的氮自由基和氧自由基，氮自由基的寿命为数十秒，比氧自由基的寿 命长，氧自由基的寿命短，为1秒以下。因此，寿命长的氮自由基不仅在 作为氮自由基生成部的等离子体枪内或等离子体枪附近，还以自由基的状 态冲撞于从等离子体枪离开的基板附近的常态的氮气或氧气的原子或分 子，生成新的氮自由基和氧自由基，成为常态的氮。另外，寿命短的氧自 由基冲撞于氧自由基生成部即等离子体枪内或等离子体枪附近的常态的 氮气或氧气的原子或分子等，生成新的氮自由基和氧自由基，成为常态的 氧。通过重复进行上述冲撞，持续维持氮自由基和氧自由基的存在。在此， 氧自由基通过将吸附或形成在基板表面上的有机物低分子化以及氧化而 将其气化，从而从基板表面将其除去。另外，氧自由基在由有机材料形成 基板的情况下，通过对基板表面进行氧化而生成羟基，从而对其进行改质 化。
在此，如果氧气占氮气和氧气的合计供给量的容量比率过大，则氮气 变少，为了生成氧自由基所必要的氮自由基不足。因此，需要一定的容量 比率以上的氮气。另一方面，氧气古氮气和氧气的合计供给量的氧气的容 量比率如果过小，则生成的氧自由基变得不足。因此，需要一定的容量比 率以上的氧气。因此，在氮气和氧气的合计供给量中所占的各个气体的容 量比率存在一个适当的范围。在确认了在该合计供给量中所占的各个气体 的适当容量比率之后发现，氧气占合计供给量的适当容量比率是小于在大 气中氧所占的容量比率的容量比率，氮气占合计供给量的适当容量比率是 大于在大气中氮所占的容量比率的容量比率。利用由比大气中所占的氮的 容量比率大的容量比率的氮气生成的氮自由基，可以在基板附近生成必要量的氧自由基。由于在基板附近可以生成必要量的氧自由基，所以可以有 效地从基板表面除去有机物，以及对基板表面进行改质化。适用例2
本适用例涉及的基板的表面处理方法的特征在于，其具有表面处理工 序，所述表面处理工序在大气环境下，通过向基板表面供给使用氮气而生 成的第二等离子体和氧气，对所述基板表面进行表面处理，在所述表面处
理工序中，所述氧气占所述氮气和所述氧气的合计供给量的容量比率小于 在大气中氧所占的容量比率。
根据这样的方法，具有表面处理工序，所述表面处理工序在大气环境 下，通过向基板表面供给使用氮气而生成的第二等离子体和氧气，对基板 表面进行表面处理，在表面处理工序中，氧气占氮气和氧气的合计供给量 的容量比率小于在大气中氧所占的容量比率。在第二等离子体中生成有激 励状态的氮自由基，氮自由基的寿命为数十秒，寿命长。另外，氮自由基 等冲撞于氧气的原子或分子而生成的激励状态的氧自由基的寿命短，为1 秒以下。因此，寿命长的氮自由基不仅在作为氮自由基生成部的等离子体 枪内或等离子体枪附近，还以自由基的状态冲撞于从等离子体枪离开的基 板附近的常态的氮气或氧气的原子或分子，生成新的氮自由基和氧自由 基，成为常态的氮。另外，寿命短的氧自由基冲撞于氧自由基附近的常态 的氮气或氧气的原子或分子等，生成新的氮自由基和氧自由基，成为常态 的氧。通过重复进行上述冲撞，持续维持氮自由基和氧自由基的存在。在 此，氧自由基通过将吸附或形成在基板表面上的有机物低分子化以及氧化 而将其气化，从而从基板表面将其除去。另外，氧自由基在由有机材料形 成基板的情况下，通过对基板表面进行氧化而生成羟基，从而对其进行改 质化。
在此，如果氧气占氮气和氧气的合计供给量的容量比率过大，则氮气 变少，为了生成氧自由基所必要的氮自由基不足。因此，需要一定的容量 比率以上的氮气。另一方面，氧气占氮气和氧气的合计供给量的氧气的容 量比率如果过小，则生成的氧自由基变得不足。因此，需要一定的容量比 率以上的氧气。因此，在氮气和氧气的合计供给量中所占的各个气体的容 量比率存在一个适当的范围。在确认了在该合计供给量中所占的各个气体
5的适当容量比率之后发现，氧气占合计供给量的适当容量比率是小于在大 气中氧所占的容量比率的容量比率，氮气占合计供给量的适当容量比率是 大于在大气中氮所占的容量比率的容量比率。利用由比大气中所占的氮的 容量比率大的容量比率的氮气生成的氮自由基，可以在基板附近生成必要 量的氧自由基。由于在基板附近可以生成必要量的氧自由基，所以可以有 效地从基板表面除去有机物，以及对基板表面进行改质化。适用例3
在上述适用例涉及的基板的表面处理方法中，优选供给所述第一等离 子体或所述第二等离子体的等离子体枪与所述基板表面的距离越长，越减 小所述合计供给量中所述氧气所占的容量比率。
根据这样的方法，供给第一等离子体或第二等离子体的等离子体枪与 基板表面的距离越长，越减小合计供给量中氧气所占的容量比率。等离子 体枪与基板表面的距离变得越长，供给的第一等离子体的周围的大气中氧 被巻入第一等离子体的容量变大，基板附近的第一等离子体所含的氮气的 容量比率顺次变小。因此，通过随着上述距离越变长，越减小供给的第一 等离子体中所含的氧气的容量比率，可以将基板附近的第一等离子体中所 含的氮气以及氧气的容量比率限制在适当范围。另外，随着等离子体枪和 基板表面的距离越变长，供给的第二等离子体和氧气的周围的大气中氧被 巻入第二等离子体和氧气的容量变大，基板附近的第二等离子体和氧气中 所含的氮气的容量比率相应变小。因此，通过随着上述距离越变长，越减 小供给的第二等离子体和氧气中所含的氧气的容量比率，可以将基板附近 的第二等离子体和氧气中所含的氮气以及氧气的容量比率限制在适当范 围。因此，即使供给第一等离子体或第二等离子体的等离子体枪和基板表 面的距离变长，也可以有效地从基板表面除去有机物以及对基板表面进行 改质化。
适用例4
在上述适用例涉及的基板的表面处理方法中，优选所述氧气供给量占
所述合计供给量的容量比率处于0.01容量％ 1容量％的范围。
根据这样的方法，氧气供给量占合计供给量的容量比率处于0.01容量 % 1容量％的范围。由此，可以确保为了从基板表面除去有机物以及对基板表面进行改质化而所需要的必要最小容量的氧自由基，且可以充分确 保用于有效生成氮自由基。因此，可以更有效地从基板表面除去有机物以 及对基板表面进行改质化。适用例5
本适用例涉及的等离子体处理装置其特征在于，具有等离子体枪， 其具有中空的容器部、与所述容器部的外周面相对配置的一对电极以及在 所述容器部的一端设置的等离子体排出口；电源，其在所述一对电极间施
加电压；气体供给机构，其向所述容器部供给用于产生等离子体的气体； 在所述等离子体排出口设有环周接合的凸缘状板部。
根据这样的结构，在等离子体排出口设有环周状地接合的凸缘状板 部。由此，在以相对于表面处理对象的基板表面的方式设置等离子体排出 口时，环周状地接合于等离子体排出口的凸缘状半部与基板表面保持一定 距离。由此，从等离子体排出口供给的等离子体容易到达基板表面的宽广 的范围。而且，从等离子体排出口供给的等离子体难以巻入等离子体周围 的大气中的氧。因此，可以在宽广的范围且有效地从基板表面除去有机物 以及对基板表面进行改质化。适用例6
在上述适用例涉及的等离子体处理装置中，优选所述凸缘状板部从所 述凸缘状板部的所述等离子体排出口侧朝向所述凸缘状板部的外周侧向 所述等离子体供给方向侧倾斜。
根据这样的结构，凸缘状板部从凸缘状板部的等离子体排出口侧朝向 凸缘状板部的外周侧向等离子体供给方向侧倾斜。由此，在以相对于表面 处理对象的基板表面的方式设置等离子体排出口时，凸缘状板部的等离子 体排出口侧和相对于凸缘状板部的等离子体排出口侧的基板之间的距离、 以及凸缘状板部的外周侧和相对于凸缘状板部的外周侧的基板之间的距 离，存在前者的距离>后者的距离的大小关系。由此，从等离子体排出口 供给的等离子体容易留在凸缘状板部和基板表面之间。因此，可以更有效 地从基板表面除去有机物以及对基板表面进行改质化。
图1是表示第一实施方式的等离子体处理装置和基板的表面处理方法 的概略图2是表面处理条件和接触角的关系的说明图； 图3是接触角测定的说明图4是表示第二实施方式的等离子体处理装置和基板的表面处理方法 的概略图5是表示第三实施方式的等离子体处理装置和基板的表面处理方法 的概略图6是表示变形例的等离子体处理装置和基板的表面处理方法的概略图。
图中
1、 2、 3、 4一等离子体处理装置；IO —等离子体枪；ll一一对电极； 12 —容器部；12a—外周面；15 —等离子体排出口； 17—凸缘状板部；17a
一等离子体排出口侧；17b —外周侧；20—电源；30 —气体供给机构；70 一基板；70a—基板表面；Y —等离子体供给方向；d—距离。
具体实施例方式
以下，结合
实施方式。在以下的说明中参考的图为了方便图 示，是部件乃至部分的纵横比例尺与实际不同的模式图。 (第一实施方式)
图1是表示第一实施方式的等离子体处理装置和基板的表面处理方法
的概略图。如图1所示，等离子体处理装置1将等离子体排出口 15朝向 应进行表面处理的基板70配置。
基板70由硼硅酸系玻璃形成，可以在箭头X所示的方向上移动。等 离子体处理装置1包括等离子体10;其具有中空的容器部12、 一对电 极11、气体导入口 14、等离子体排出口 15、异物捕捉部16以及凸缘状板 部17;电源20;气体供给机构30。 一对电极11与容器部12的外周面12a 相对配置。等离子体排出口 15设置于容器部12的一端。等离子体导入口 14设置于容器部12的一端的相反侧的另一端。异物捕捉部16由多孔板形 成，具有捕捉由等离子体产生的异物的功能。凸缘状板部17环周接合于等离子体排出口 15。电源20具有在一对电极11间施加电压的功能。气体
供给机构30具有用于向容器部12供给产生等离子体用的气体的功能。在 此，凸缘状板部17由不锈钢形成，与基板表面70a保持一定的距离d而 与基板表面70a相对(等离子体排出口 15也与基板表面70a保持一定的 距离d)。
接下来，对于基板70的表面处理方法进行说明。如图1所示，配置 基板70使得基板表面70a与等离子体排出口 15以及凸缘状板部17相对。 使电源20工作，并从气体供给机构30送出流量经过了调整的氮气和氧气。 送出的氮气和氧气从气体导入口 14被导入容器部12内，到达一对电极11间。
根据上述电源20的动作，在一对电极11间施加高频电压，在容器部 12内的一对电极11间产生未图示的第一等离子体。在该第一等离子体中， 生成有激励状态的氮自由基和氧自由基，氮自由基的寿命为数十秒，比氧 自由基的寿命长，氧自由基的寿命短，为1秒以下。而且，该第一等离子 体向箭头Y所示的等离子体供给方向前进，从等离子体排出口 15作为远 程等离子体被供给向基板70。此时，使基板70朝向箭头X所示的方向以 一定的移动速度移动。上述供给的第一等离子体从等离子体排出口 15以 及等离子体排出口 15相对于的基板表面70a朝向其周围(朝向箭头Z所 示的方向)，在基板表面70a和凸缘状板部17之间扩散。
第一等离子体中的寿命长的氮自由基不仅在氮自由基生成部即等离 子体枪10内或等离子体枪10附近，以自由基的状态冲撞于从等离子体枪 10离开的基板70附近的正常状态的氮气或氧气的原子或分子，生成新的 氮自由基和氧自由基，回到正常状态的氮。另外，寿命短的氧自由基冲撞 于作为氧自由基生成部的等离子体枪10内或等离子体枪10附近的正常状 态的氮气或氧气的原子或分子等，生成新的氮自由基和氧自由基，回到正 常状态的氧。通过重复进行上述冲撞，维持氮自由基以及氧自由基的继续 存在。
接着，对于基板的表面处理条件与作为表面处理效果的确认的表面处 理前后的接触角e的测定结果进行说明。图2是表面处理条件和接触角的 关系的说明图。另外，图3是接触角测定的说明图。如图2所示，作为表面处理条件，将气体供给机构30的氮气流量固定为501/min，设定氧气流 量，使得成为横轴表示的氧气相对于氮气和氧气的合计供给量所占的容量 比率。作为具体的一例，在氧气的容量比率为0.01容量％的情况下，氧气 流量为5cc/min。另外，电源20的施加电力为1KW，电源频率为lOOKHz。 另外，距离d为lmm、 5mm、 10mm这三个阶段。另外，基板70的移动 速度设为20mm/sec。接触角测定通过利用协和界面科学公司制的接触角 计(dropmaster—700)的用纯水作为接触试剂的2分的0法进行。在2分 的e法中，如图3所示，在基板表面70a上滴下一定量的纯水的液滴80， 将在滴下后的一定的时间内滴下的液滴80的顶点81和液滴80的端点82 连结起来得到直线Ll ，测定直线Ll相对于基板表面70a的角度91 。在此， 2分的e法是以液滴80的轮廓为球的一部分为前提。因此，关于通过液滴 80的端点82的切线L2相对于基板表面70a的角度e (接触角0)与上述
的角度ei， e二2ei成立。而且，表面处理前的基板70在洗净后在室内放 置大约三个月，是吸附有有机物等的状态，接触角e的测定结果是大致为
65度。
如图2所示，在距离d为lmm、 5mm、 10mm的所有情况下，如果氧 气的容量比率在O.Ol容量。％ 0.5容量％的范围内，则表面处理后的基板 70的接触角显示为10度以下，可以确认到从基板表面70a除去有机物的 优越的效果。另外，在距离d为lmm的情况下，如果氧气供给量的容量 比率为0.01容量％ 1容量％的范围内，表面处理后的基板70的接触角 显示为5度前后，可以确认到从基板表面70a除去有机物的极其优越的效 果。而且，对于距离d为lmm，如果变长为5mm、 10mm，则将氧气的容 量比率即最大侧的容量比率减小，则可以有效地将有机物从基板表面70a 除去。
而且，在基板70的表面处理的实际作业中，设距离d为lmm，在0.01 容量％ 0.05容量％的范围内进行氧气供给量的容量比率的调整。生成的 氧自由基使吸附或形成在基板表面70a上的有机物低分子化以及氧化，由 此将其气化，从基板表面70a除去。该有机物除去可以如下这样顺次进行， 即如上所述向箭头X所示的方向以一定的移动速度移动基板70，直到图1 所示的、从基板表面70a的一端70b侧到一端70b的相反侧的另一端70c侧为止。
在上述的第一实施方式中，可以得到以下这样的效果。
(1) 通过由比大气中所占的氮的容量比率大的容量比率的氮气生成 的氮自由基，可以在基板70附近生成必要量的氧自由基。由于可以在基
板70的附近生成必要量的氧自由基，可以从基板表面70a有效地除去有 机物。
(2) 等离子体排出口 15和基板表面70a之间的距离d越长，供给的
第一等离子体的周围的大气中氧被巻入第一等离子体的容量变得越大，基 板70附近的第一等离子体中含有的氮气的容量比率顺次变小。因此，通 过随着距离d变得越长，越减小供给的第一等离子体中含有的氧气的容量 比率，从而可以将基板70附近的第一等离子体中含有的氮气以及氧气的 容量比率限制在适当的范围。因此，即使供给第一等离子体的等离子体排 出口 15和基板表面70a的距离变长，也可以有效地从基板表面70a除去 有机物。
(3) 氧气供给量在合计供给量中所占的容量比率是从0.01容量％到 0.5容量％的范围。由此，可以从基板表面70a除去有机物，而且可以确 保为了对基板表面70a进行改质化所需的最小容量的氧自由基，而且，可 以充分确保用于有效生成氧自由基的氮自由基。因此，可以更有效地从基 板表面70a除去有机物。
(4) 等离子体处理装置1在等离子体排出口设有环周状地接合的凸 缘状板部17。由此，在以相对于表面处理对象的基板表面70a的方式设置 等离子体排出口 15时，与等离子体排出口 15环周状接合的凸缘状板部17 与基板表面70a保持一定距离。因此，从等离子体排出口 15供给的等离 子体变得容易到达基板表面70a的宽广的范围。而且，从等离子体排出口 15供给的等离子体变得难以巻入等离子体周围的大气中的氧。因此，可以 在宽广的范围且有效地从基板表面70a除去有机物。
(第二实施方式)
在本实施方式中，对于与上述实施方式相同的内容省略说明，说明不 同的内容。图4是表示第二实施方式的等离子体处理装置和基板的表面处 理方法的概略图。如图4所示，等离子体处理装置2的气体供给机构30具有两个系统，从一个系统送出流量得到了调整的氮气，从另一个系统送 出流量得到了调整的氧气。送出的氮气从气体导入口 14被导入容器部12 内，到达一对电极11间。通过电源20的动作，在一对电极11间施加高
频电压，在容器部12内的一对电极11间生成未图示的第二等离子体。在
该第二等离子体中，生成激励状态的氮自由基。而且，该第二等离子体向
箭头所示的等离子体供给方向Y前进，从等离子体排出口 15作为运动等 离子体(壬一 卜7'，义'7)供给向基板70。另一方面，送出的氧气从在基 板表面70a附近设置的氧气排出口 18被供给向基板表面70a。供给的氧气 成为与第二等离子体混合的混合状态。在此，氮自由基由于与氧气的冲撞 而生成氧自由基。
在上述第二实施方式中可以得到以下效果。 (5)等离子体排出口 15和相对于等离子体排出口 15的基板表面70a 之间的距离d变得越长，被供给的第二等离子体和氧气的周围的大气中氧 被巻入第二等离子体和氧气的容量变得越大，基板70附近的第二等离子 体和氧气中所含的氮气的容量比率顺次变小。因此，通过随着距离d变得
越长，越减小供给的第二等离子体和氧气中含有的氧气的容量比率，可以 将基板70附近的第二等离子体和氧气中含有的氮气以及氧气的容量比率 限制在适当的范围。因此，即使等离子体排出口 15和相对于等离子体排 出口 15的基板表面70a的距离d变长，也可以有效地从基板表面70a除 去有机物。
(第三实施方式)
在本实施方式中，对于与上述实施方式相同的内容省略说明，说明不 同的内容。图5是表示第三实施方式的等离子体处理装置和基板的表面处 理方法的概略图。如图5所示，等离子体处理装置3的凸缘状板部17从 凸缘状板部17的等离子体排出口侧17a朝向凸缘状板部17的外周侧17b， 向箭头所示的等离子体供给方向Y侧倾斜。凸缘状板部17的等离子体排 出口侧17a和相对于凸缘状板部17的等离子体排出口侧17a的基板70的 内周侧距离dl，以及凸缘状板部17的外周侧17b和相对于凸缘状板部17 的外周侧17b的基板70的外周侧距离d2之间，是dl〉d2的关系。
在上述的第三实施方式中，可以得到以下效果。(6)凸缘状板部17从凸缘状板部17的等离子体排出口侧17a朝向凸 缘状板部17的外周侧17b向箭头所示的等离子体供给方向Y侧倾斜。由 此，在以相对于表面处理对象的基板表面70a的方式设置等离子体排出口 15时，凸缘状板部17的等离子体排出口侧17a和相对于凸缘状板部17的 等离子体排出口侧17a的基板70的内周侧距离dl，以及凸缘状板部17的 外周侧17b和相对于凸缘状板部17的外周侧17b的基板70的外周侧距离 d2之间，是dlxi2的关系。因此，从等离子体排出口 15供给的第一等离 子体容易留在凸缘状板部17和基板表面70a之间。因此，能够进一步有 效地从基板表面70a除去有机物。
而且，上述实施方式并不限定于上述内容，在不脱离其主旨的范围内 除了上述内容以外还可以进行各种变更。对于上述实施方式的变形进行说 明。
图6作为一个例子，是表示变形例的等离子体处理装置和基板的表面 处理方法的概略图。如图6所示，等离子体处理装置4的气体供给机构30 也可以通过两个系统与容器部12连接。在此，从一个系统送出流量经过 了调整的氮气，从另一个系统送出流量经过了调整的氧气。送出的氧气从 氧气专用导入口 19被倒入容器部12内，在容器部12内与第二等离子体 混合。然后，第二等离子体中的氮自由基通过与氧气的冲撞而生成氧自由 基。
另外，还可以在等离子体处理装置2上设置图5中所示的凸缘状板部17。
另外，距离d还可以大于lmm，且在10mm以下。
另外，基板70还可以是白板玻璃、青板玻璃、石英、水晶、氧化铝 等无机基板，丙烯酸系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚酰亚胺系树脂、环氧系 树脂、聚氨酯系树脂等有机基板，铁系金属、铜系金属、钛系金属、铝系 金属等金属基板。进而，还可以是上述的无机基板、有机基板、金属基板 的复合基板。
另外，基板70的有机物除去的对象还可以是冲压油、切削油等加工 处理剂，光刻剂、防锈剂等表面处理剂等。而且有机物除去的对象在是光 刻剂的情况下，表面处理为灰化处理。另外，基板的表面处理还可以在作为有机基板的基板表面70a上生成
羟基，来对基板表面进行改质化。
另外，凸缘状板部17还可以由铜系金属、钛系金属、铝系金属等金
属材料，硼酸系玻璃、氧化铝等无机材料，丙烯酸系树脂、聚碳酸酯系树 脂等有机材料等形成。
权利要求
1. 一种基板的表面处理方法，其特征在于，其具有表面处理工序，所述表面处理工序在大气环境下，通过向基板表面供给使用氮气和氧气而生成的第一等离子体，对所述基板表面进行表面处理，在所述表面处理工序中，所述氧气占所述氮气和所述氧气的合计供给量的容量比率小于在大气中氧所占的容量比率。
2. —种基板的表面处理方法，其特征在于，其具有表面处理工序，所 述表面处理工序在大气环境下，通过向基板表面供给使用氮气而生成的第 二等离子体和氧气，对所述基板表面进行表面处理，在所述表面处理工序中，所述氧气占所述氮气和所述氧气的合计供给 量的容量比率小于在大气中氧所占的容量比率。
3. 如权利要求1或2所述的基板的表面处理方法，其特征在于， 供给所述第一等离子体或所述第二等离子体的等离子体枪与所述基板表面的距离越长，越减小所述合计供给量中所述氧气所占的容量比率。
4. 如权利要求1 3中任一项所述的基板的表面处理方法，其特征在于，所述氧气供给量占所述合计供给量的容量比率处于0.01容量％ 1容 量％的范围。
5. —种等离子体处理装置，其特征在于，具有-等离子体枪，其具有中空的容器部、与所述容器部的外周面相对配置 的一对电极以及在所述容器部的一端设置的等离子体排出口 ； 电源，其在所述一对电极间施加电压；气体供给机构，其向所述容器部供给用于产生等离子体的气体； 在所述等离子体排出口设有环周接合的凸缘状板部。
6. 如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于， 所述凸缘状板部从所述凸缘状板部的所述等离子体排出口侧朝向所述凸缘状板部的外周侧向所述等离子体供给方向侧倾斜。
全文摘要
提供一种有效地从基板表面除去有机物以及进行基板表面改质化的基板的表面处理方法以及等离子体处理装置。利用由大于大气中氮所占的容量比率的容量比率的氮气生成的氮自由基，可以在基板(70)附近生成必要量的氧自由基。由于可以在基板(70)附近生成必要量的氧自由基，所以可以有效地从基板表面(70a)可以除去有机物。
文档编号B08B7/00GK101439342SQ20081017337
公开日2009年5月27日 申请日期2008年11月20日 优先权日2007年11月22日
发明者山崎正, 河西充 申请人:精工爱普生株式会社