多转子开关磁阻电机结构的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本实用新型提供一种多转子开关磁阻电机结构，属于开关磁阻电机领域。
【背景技术】
[0002]开关磁阻电机由电机定子，转子和机壳组成，机壳设有前端盖和后端盖。电机定子和转子上分别设有凸极，通过转子和定子上的凸极相互作用，实现开关磁阻电机的动力输出，但是开关磁阻电机的力矩在输出时，其波形呈现为高低起伏的曲线，这样就使开关磁阻电机在工作时会产生较大幅度的扭矩脉动，大幅度的扭矩脉动会引起电机本体较大的噪音，高噪音会影响开关磁阻电机的使用。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型目的在于提供一种多转子开关磁阻电机结构，可有效降低开关磁阻电机扭矩脉动和噪音。
[0004]本实用新型所述的多转子开关磁阻电机结构，包括电机本体和电机控制器，电机控制器为电机转子线圈供电。本实用新型所述的多转子开关磁阻电机结构，其转子个数多于一个，转子并排排列，不同转子之间的凸极错开，定子通过凸极与转子凸极进行磁力作用产生电机扭矩。
[0005]所述的多转子开关磁阻电机结构，与正常开关磁阻电机的供电方式相同，每个定子线圈均为单独供电；由于不同转子的凸极在角位置上是相互错开的，所以当定子线圈通电时，两个转子的力矩曲线就会出现偏差，转子之间的力矩波形曲线相互叠加，相对于单转子电机，就会大大减小峰谷的幅值，这样就减少了开关磁阻电机在工作中扭矩脉动以及伴随电机的噪音。
[0006]所述的多转子开关磁阻电机结构，相邻转子凸极的角度差为O到360/(2n)度，η是电机转子的凸极数。这样的角度差会使不同转子之间的力矩曲线叠加后，可以最大程度减小峰谷的幅值。
[0007]所述的多转子开关磁阻电机结构，定子为安装在机壳内的多段式结构，其个数和长度方向的位置均与转子对应，且定子凸极之间均对齐。
[0008]本实用新型与现有技术相比有益效果为:
[0009]所述的多转子开关磁阻电机结构，通过两个或两个以上转子凸极组合，由于不同转子的凸极在角位置上是相互错开的，所以当定子线圈通电时，两个转子的力矩曲线就会出现相位角度错位，转子之间的力矩波形曲线叠加，相对于单转子电机，就会大大减小峰谷的幅值，这样就减少了开关磁阻电机在工作中扭矩脉动以及伴随电机的噪音。转子个数越多，力矩曲线的叠加就越密集，同样峰谷的幅值就越小。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型实施例结构示意图；
[0011]图2为本实用新型剖视图。
[0012]图中:1、转子A;2、转子B;3、定子。
【具体实施方式】
[0013]下面结合本实用新型对本实用新型实施例做进一步说明:
[0014]实施例1:如图1和图2所示，如图1和图2所示，本实用新型所述的多转子开关磁阻电机结构，选用定子和转子的凸极为4、6极的开关磁阻电机为例进行解释，但是本结构可应用于各种凸极配比的开关磁阻电机;多转子开关磁阻电机结构，包括开关磁阻电机，开关磁阻电机设有定子3、转子Al、转子B2和电机控制器，电机控制器个数为一个，转子Al和转子B2并排排列，定子3个数为两个，且位置分别与转子Al和转子B2对齐，定子3及其凸极的宽度与转子Al和转子B2平齐，定子3通过凸极与转子Al和转子B2的凸极进行配合，转子Al和转子B2之间的凸极相互错开。
【主权项】
1.一种多转子开关磁阻电机结构，包括电机本体和电机控制器，电机控制器为电机定子(3)线圈供电，其特征在于，本实用新型所述的多转子开关磁阻电机结构，其转子个数多于一个，转子并排排列，不同转子之间的凸极错开，定子(3)通过凸极与转子凸极进行磁力作用产生电机扭矩。2.根据权利要求1所述的多转子开关磁阻电机结构，其特征在于，相邻转子凸极的角度差为O到360/(2n)度，η是电机转子的凸极数。3.根据权利要求2所述的多转子开关磁阻电机结构，其特征在于，定子(3)为安装在转轴上的多段式结构，其个数和位置均与转子对应，且转子长度方向上的两端与定子(3)长度方向上的两端平齐。
【专利摘要】本实用新型提供一种多转子开关磁阻电机结构，属于开关磁阻电机领域。本实用新型所述的多转子开关磁阻电机结构，包括电机本体和电机控制器。开关磁阻电机本体由转子、定子组成，转子个数多于一个，转子并排排列，转子长度方向上的两端与定子长度方向上的两端平齐，定子线圈连接电机控制器，不同转子之间的凸极错开，每个定子线圈均为单独供电；由于不同转子的凸极在角位置上是相互错开的，所以当定子线圈通电时，两个转子的力矩曲线就会出现相位角度偏差，转子之间的力矩波形曲线相互叠加，相对于单定子电机，就会大大减小峰谷的幅值，这样就减少了开关磁阻电机在工作中扭矩脉动以及伴随电机的噪音。
【IPC分类】H02K16/00, H02K1/14, H02K1/24
【公开号】CN205304550
【申请号】
【发明人】刘秀飞, 刘骅, 高建波, 马志勋, 关胜
【申请人】淄博中聚磁电科技有限公司, 刘秀飞
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2016年1月13日