热敏感层气体传感器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及分子传感器，特别是采用热敏感层运行的气体传感器。
【背景技术】
[0002]这种类型的传感器的敏感层通常包括半导体氧化物，根据将要检测的分子来选择半导体氧化物的性质和操作温度。敏感层的电阻率依据由氧化层吸附的分子浓度而变化。
[0003]图1A和IB示意性地示出常规热敏感层传感器的顶视图和沿着轴AA的截面，例如，如在以下论文中所描述的:[I Dewa Putu Hermida等人的“Development of Co GasSensing Based Sn02Thin film”，Internat1nal Journal of Engineering&TechnologyIJET-1JENS第13卷No:.01 ]和[George F.Fine等人的 “Metal Oxide Sem1-Conductor GasSensors in Environmental Monitoring”，Sensors 2010，10，5469_5502]。
[0004]传感器包括绝缘基底10，在该绝缘基底10上表面上承载基于半导体氧化物的敏感层12。以导电道El和E2形式的两个互补电极被设置为与敏感层12电接触。电极El和E2被配置为测量位于电极之间的敏感层带的电阻率的变化。为了改进灵敏度，期望增加两个电极的相邻长度。为此，通常将电极道形成为叉指式梳，如图所示。
[0005]每个电极包括放置在传感器的外围处、敏感层的有源区(activearea)外面的接触端子。电极El的端子被设定为地电压(OV)，且电极E2的端子被设定为测量电压M，大约IV。传感器通过测量在两个电极端子之间流过的电流而运行。
[0006]为了对敏感层12加热，提供与敏感层电隔离并且例如被放置在基底10的底表面上的电阻道14。道14被配置为均匀加热敏感层的有源区，即在电极的相对的指之间的区域。道14通常处于蛇纹线的形式，如图所示。于地(OV)和电压Vh之间供电，调节电压Vh以实现期望温度。
[0007]热敏感层传感器的结构和其中所使用的材料，特别地非常适于使用集成电路技术来制造。传感器尺寸很小，以致敏感层可以被加热到高达350°C，而功耗只有30mW。然而，已注意到，这种传感器的敏感层比其它技术中制造的传感器老化更快。
【发明内容】
[0008]因此，期望延长使用集成电路制造技术而生产的热敏感层传感器的寿命。
[0009]该需要通过包括以下的热敏感层传感器来解决:承载敏感层的绝缘基底;被配置为与敏感层电接触的以两个相邻的导电道形式的两个互补测量电极；以及用于均匀加热敏感层的有源区的以布置在基底上的电阻道形式的加热元件。电阻道包括至少三个匀称间隔的超过电阻道长度的电力供应点，且每个位列奇数的点由第一电源电压供电，而每个位列偶数的点由第二电源电压供电。
[0010]根据实施例，投射到电阻道的平面上的电极的导电道的版图，保持在限定电阻道周围的边界的外面。
[0011 ]根据实施例，电阻道和电极的导电道共面。
[0012]根据实施例，在敏感层的有源区中电阻道和电极的导电道的方向变化具有非零曲率半径。
[0013]根据实施例，电阻道包括连续的U形弧，而两个导电道平行于电阻道，进入每个弧，最远离电阻道的导电道在退出弧时结束，而邻近电阻道的导电道在退出弧时在最远的导电道的末端周围形成U形转弯以返回到弧中。
[0014]根据实施例，电阻道与导电道共面，而且还与敏感层电接触，邻近电阻道的导电道被设定为地电压，以使得在电阻道和相邻的导电道之间在敏感层中流过的任何电流不干扰在导电道之间流过的电流。
【附图说明】
[0015]根据本发明的特定实施例的以下描述，其它优点和特性将变得更为显而易见，该特定实施例仅出于示例性目的而提供并且在附图中表示，在附图中:
[0016]前文描述的图1A和IB，示意性示出常规热敏感层传感器的顶视图和截面；
[0017]图2示意性示出提高传感器寿命的传感器加热元件的电阻道的实施例；
[0018]图3示意性示出电阻道的另一实施例和适用电极的实施例；以及
[0019]图4示出用于图3类型的若干结构的串联技术。
【具体实施方式】
[0020]发明人已发现尤其是当使用集成电路制造技术来生成传感器时，小型热传感器的敏感层主要在为电阻道供电的高电压(Vh)侧上劣化，图1A所示的区域D中。发明人将该效应归于由敏感层所承受的电场。事实上，电阻道的电源电压Vh可相当高，高达5.7V，且在集成电路技术中在电阻道和电极的导电道之间的距离可特别小，以使得在电阻道处于最高电压的一侧上在每个电极与电阻道的交叉点处建立强电场。确实在这些道交叉点处发生对敏感层的最先损害。
[0021]为避免由电场导致的这种劣化，将电阻道移离电极事实上并不能解决问题，因为加热效率会降低，且会要求增加电阻道的电源电压。
[0022]图2示意性示出加热元件的电阻道配置14’，其降低了电场而不降低加热效率。此处以蛇形线形式的电阻道，除了在每个端处的电力供应端子外，还包括一个或多个沿电阻道长度匀称间隔的中间供应点。例如，在图2中，在对端处端子计数的所有五个供应点中，电阻道包括三个中间供电点。位列奇数的点由电源电压中的第一电源电压供电，如地(OV)，而位列偶数的点由第二电源电压供电，高压Vh’供电。为此，位列奇数的点可被连接到由第一电压供电的共用的低电阻率线路20，而位居偶数的点可被连接到由第二电压供电的共用的低电阻率线路22。
[0023]采用示出的配置，在提供相同的加热功率的同时，相对于仅两个电力供应端子所需要的电压Vh，电压Vh’可以是该电压Vh除以四。事实上，蛇形线的每段具有总电阻的四分之一，且从其端子看到常规电源电压的四分之一:电流相对常规配置没有变化，所以消耗的功率相同。因此，电场可除以电阻道中所使用的段数。
[0024]为简化传感器的制造，期望使电极的道和电阻道共面。这允许使道形成单独掩模级。在这种情况下，如图2所示，供应端子优选位于传感器的边上，以避免使电力供应道布线穿过传感器的有源带，或在该区域中放置过孔。然后，电力供应端子可被连接到布置在传感器有源区外面的金属道和过孔。
[0025]图